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1. 发明专利

TWI587358B 處理腔室氣體流動的裝置、系統及方法有权
简体标题：处理腔室气体流动的设备、系统及方法
公开(公告)号：TWI587358B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102143863
申请日：2013-11-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬利尼爾 , MERRY, NIR , 賽帕寇錢德肯特M , SAPKALE, CHANDRAKANT M. , 慕蘇坎齊卡瑞普賽彌 , MUTHUKAMTCHI, KARUPPASAMY , 休根斯傑佛瑞C , HUDGENS, JEFFREY C. , 肯可那潘契拉N , KANKANLA, PENCHALA N.
IPC分类号： H01L21/02 , G05D16/10 , G05D16/16 , H01L21/205 , H01L21/3063
CPC分类号： F16K51/00 , C23C16/4412 , F16K1/24 , F16K31/00 , F16K51/02 , Y10T137/0318 , Y10T137/8593

2. 发明专利

TW201628082A 電漿蝕刻裝置审中-公开
简体标题：等离子蚀刻设备
公开(公告)号：TW201628082A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104138973
申请日：2015-11-24
申请人： SPTS科技公司 , SPTS TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：柏吉斯史帝芬R , BURGESS, STEPHEN R , 維爾拜安東尼P , WILBY, ANTHONY PAUL
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： H01J37/32467 , C23C14/046 , C23C14/34 , H01J37/18 , H01J37/321 , H01J37/32862 , H01J37/34
摘要：根據本發明提供一種用於蝕刻一基板的電漿蝕刻裝置，其包含：至少一腔室；一基板支撐件，其係經定位在該至少一腔室內；以及；一電漿製造構件，其用於產生電漿供蝕刻該基板使用；其中該電漿製造構件包含一導電線圈，其係經定位在該至少一腔室內，並且該線圈係由一金屬材料構成，其能夠經濺鍍位在該至少一腔室之一內部表面上。
简体摘要：根据本发明提供一种用于蚀刻一基板的等离子蚀刻设备，其包含：至少一腔室；一基板支撑件，其系经定位在该至少一腔室内；以及；一等离子制造构件，其用于产生等离子供蚀刻该基板使用；其中该等离子制造构件包含一导电线圈，其系经定位在该至少一腔室内，并且该线圈系由一金属材料构成，其能够经溅镀位在该至少一腔室之一内部表面上。

3. 实用新型

TWM498378U 乾蝕刻機台有权
简体标题：干蚀刻机台
公开(公告)号：TWM498378U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103218428
申请日：2014-10-17
申请人：鑫邦國際科技股份有限公司
发明人：江建良
IPC分类号： H01L21/3063

4. 发明专利

TWI437631B 於具有凹槽或間隙的薄膜或結構區域上移除材料的實質等化速率方法及組合有权
简体标题：于具有凹槽或间隙的薄膜或结构区域上移除材料的实质等化速率方法及组合
公开(公告)号：TWI437631B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW097129965
申请日：2008-08-06
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：尼許安特辛哈 , SINHA, NISHANT , J尼爾格瑞利 , GREELEY, J. NEIL
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06 , H01L21/31055 , H01L21/31111

5. 发明专利

TWI431162B 供用於圖案化薄膜電晶體－液晶裝置中之電路的蝕刻組成物有权
简体标题：供用于图案化薄膜晶体管－液晶设备中之电路的蚀刻组成物
公开(公告)号：TWI431162B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW097133242
申请日：2008-08-29
申请人：東進世美肯股份有限公司 , DONGJIN SEMICHEM CO., LTD.
发明人：金南緒 , KIM, NAM SEO , 姜東滸 , KANG, DONG HO , 李騏範 , LEE, KI BEOM , 曺三永 , CHO, SAM YOUNG
IPC分类号： C23F1/16 , H01L21/3063

6. 发明专利

TWI650886B 非揮發性金屬材料之蝕刻方法有权
简体标题：非挥发性金属材料之蚀刻方法
公开(公告)号：TWI650886B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104109675
申请日：2015-03-26
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：沈美華 , SHEN, MEIHUA , 席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 陳暹華 , TAN, SAMANTHA S.H. , 馬克思傑弗瑞 , MARKS, JEFFREY , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 兼內克理查P , JANEK, RICHARD P. , 楊文兵 , YANG, WENBING , 沙瑪普力圖 , SHARMA, PRITHU
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02 , H01L21/3063

7. 发明专利

TW201841246A 介層接觸窗蝕刻审中-公开
简体标题：介层接触窗蚀刻
公开(公告)号：TW201841246A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103923
申请日：2018-02-05
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：羅曼里歐尼德 , ROMM, LEONID , 詹森艾倫 , JENSEN, ALAN , 張馨 , ZHANG, XIN , 戴加迪諾傑瑞多 , DELGADINO, GERARDO
IPC分类号： H01L21/3063
摘要：提供在電漿處理腔室中形成半導體元件的方法。原子層蝕刻相對於SiN而選擇性地蝕刻SiO，並沉積氟化聚合物。氟化聚合物層係受到剝除，此步驟包含：（i）使包含氧的剝除氣體流入電漿處理腔室內，（ii）使剝除氣體形成電漿，及（iii）停止剝除氣體流入。相對於SiO及SiGe及Si而選擇性地蝕刻SiN層。
简体摘要：提供在等离子处理腔室中形成半导体组件的方法。原子层蚀刻相对于SiN而选择性地蚀刻SiO，并沉积氟化聚合物。氟化聚合物层系受到剥除，此步骤包含：（i）使包含氧的剥除气体流入等离子处理腔室内，（ii）使剥除气体形成等离子，及（iii）停止剥除气体流入。相对于SiO及SiGe及Si而选择性地蚀刻SiN层。

8. 发明专利

TW201810388A 一種低溫磊晶方法及裝置审中-公开
简体标题：一种低温磊晶方法及设备
公开(公告)号：TW201810388A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105137530
申请日：2016-11-16
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：三重野文健 , MIENO, FUMITAKE
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3063
摘要：本發明提供了一種低溫磊晶方法及裝置，所述方法包括如下步驟：S1：提供一基板，所述基板包括基底及突出於所述基底表面的至少一條半導體鰭片；S2：在所述半導體鰭片的側壁及上表面磊晶生長磊晶層；S3：採用經過紫外光照射而裂解的蝕刻氣體對所述磊晶層進行蝕刻，以減薄所述磊晶層的厚度。本發明的低溫磊晶方法在磊晶生長過程中通過蝕刻來減薄磊晶層，可以改善半導體鰭片表面磊晶層的表面輪廓，避免相鄰半導體鰭片表面磊晶層之間的融合，或者減小磊晶層融合後所產生的空隙。其中，紫外光照射蝕刻氣體的方式可以提高蝕刻氣體對磊晶層的蝕刻速率，並降低蝕刻磊晶層時的製程溫度，從而擴大製程窗口，降低製程難度。
简体摘要：本发明提供了一种低温磊晶方法及设备，所述方法包括如下步骤：S1：提供一基板，所述基板包括基底及突出于所述基底表面的至少一条半导体鳍片；S2：在所述半导体鳍片的侧壁及上表面磊晶生长磊晶层；S3：采用经过紫外光照射而裂解的蚀刻气体对所述磊晶层进行蚀刻，以减薄所述磊晶层的厚度。本发明的低温磊晶方法在磊晶生长过程中通过蚀刻来减薄磊晶层，可以改善半导体鳍片表面磊晶层的表面轮廓，避免相邻半导体鳍片表面磊晶层之间的融合，或者减小磊晶层融合后所产生的空隙。其中，紫外光照射蚀刻气体的方式可以提高蚀刻气体对磊晶层的蚀刻速率，并降低蚀刻磊晶层时的制程温度，从而扩大制程窗口，降低制程难度。

9. 实用新型

TWM498377U 半導體生產機台有权
简体标题：半导体生产机台
公开(公告)号：TWM498377U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103218426
申请日：2014-10-17
申请人：鑫邦國際科技股份有限公司
发明人：江建良
IPC分类号： H01L21/3063

10. 发明专利

TWI460781B 多段可調連續式電化學拋光系統有权
简体标题：多段可调连续式电化学抛光系统
公开(公告)号：TWI460781B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW101107891
申请日：2012-03-08
申请人：國家中山科學研究院
发明人：胡松城 , 林以中 , 李碩仁 , 陳貽和
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3063

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