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1. 发明专利

TW201802955A 去除阻擋層使側壁凹陷最小化的方法审中-公开
简体标题：去除阻挡层使侧壁凹陷最小化的方法
公开(公告)号：TW201802955A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105121964
申请日：2016-07-12
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/465 , C25D19/00
摘要：本發明提供了一種去除阻擋層使側壁凹陷最小化的方法。該方法包括如下步驟：向蝕刻腔內通入鹵素-貴族元素化合物氣體和載氣，在該蝕刻腔內進行熱氣相蝕刻工藝以蝕刻互連結構的非凹進區域上的阻擋層；檢測熱氣相蝕刻工藝的終點，如果熱氣相蝕刻工藝到達終點，則執行下一步驟，反之，如果熱氣相蝕刻工藝沒有到達終點，則返回到上一步驟；停止向蝕刻腔內通入鹵素-貴族元素化合物氣體和載氣。
简体摘要：本发明提供了一种去除阻挡层使侧壁凹陷最小化的方法。该方法包括如下步骤：向蚀刻腔内通入卤素-贵族元素化合物气体和载气，在该蚀刻腔内进行热气相蚀刻工艺以蚀刻互链接构的非凹进区域上的阻挡层；检测热气相蚀刻工艺的终点，如果热气相蚀刻工艺到达终点，则运行下一步骤，反之，如果热气相蚀刻工艺没有到达终点，则返回到上一步骤；停止向蚀刻腔内通入卤素-贵族元素化合物气体和载气。

2. 发明专利

TW201737417A ＴＳＶ結構的平坦化工藝和裝置审中-公开
简体标题：ＴＳＶ结构的平坦化工艺和设备
公开(公告)号：TW201737417A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105133926
申请日：2016-10-20
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , JIN, YI-NUO , 代迎偉 , DAI, YING-WEI , 楊貴璞 , YANG, GUI-PU , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/7684 , H01L21/76898 , H01L23/53238
摘要：本發明揭示了TSV結構的平坦化工藝和裝置。TSV結構包括晶圓、晶圓上的通孔、晶圓上的氧化層、氧化層上及通孔的底部和側壁上的阻擋層、通孔內及阻擋層上的金屬層。在一種具體實施方式中，TSV結構的平坦化工藝包括：採用無應力抛光工藝去除晶圓的非凹進區域上的全部金屬層；採用化學濕法刻蝕工藝去除非凹進區域上的金屬層殘餘以及阻擋層。
简体摘要：本发明揭示了TSV结构的平坦化工艺和设备。TSV结构包括晶圆、晶圆上的通孔、晶圆上的氧化层、氧化层上及通孔的底部和侧壁上的阻挡层、通孔内及阻挡层上的金属层。在一种具体实施方式中，TSV结构的平坦化工艺包括：采用无应力抛光工艺去除晶圆的非凹进区域上的全部金属层；采用化学湿法刻蚀工艺去除非凹进区域上的金属层残余以及阻挡层。

3. 发明专利

TW201730382A 基板保持装置审中-公开
公开(公告)号：TW201730382A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105127291
申请日：2016-08-25
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 楊宏超 , YANG, HONG-CHAO , 吳均 , WU, JUN , 王堅 , WANG, JIAN
IPC分类号： C25D17/06
CPC分类号： C25D17/06 , C25D17/001 , H01L21/2885
摘要：本發明公開了一種基板保持裝置，該裝置包括杯形夾盤、密封件、夾盤板和豎直驅動裝置。杯形夾盤包括基部，基部具有底壁、側壁的外表面和側壁的內表面，基部的側壁的內表面傾斜向上突出形成支撐基板正面邊緣的支撐部。密封件包括底部、外壁和內壁，內壁設有唇形密封部，密封件的底部和外壁分別包裹住杯形夾盤基部的底壁和側壁的外表面，唇形密封部包裹杯形夾盤的支撐部以密封基板正面的邊緣。豎直驅動裝置與夾盤板連接，豎直驅動裝置驅動夾盤板下降或上升，以使夾盤板壓在基板的背面來夾持基板或使夾盤板離開基板的背面。
简体摘要：本发明公开了一种基板保持设备，该设备包括杯形夹盘、密封件、夹盘板和竖直驱动设备。杯形夹盘包括基部，基部具有底壁、侧壁的外表面和侧壁的内表面，基部的侧壁的内表面倾斜向上突出形成支撑基板正面边缘的支撑部。密封件包括底部、外壁和内壁，内壁设有唇形密封部，密封件的底部和外壁分别包裹住杯形夹盘基部的底壁和侧壁的外表面，唇形密封部包裹杯形夹盘的支撑部以密封基板正面的边缘。竖直驱动设备与夹盘板连接，竖直驱动设备驱动夹盘板下降或上升，以使夹盘板压在基板的背面来夹持基板或使夹盘板离开基板的背面。

4. 发明专利

TW201545299A 互連結構的形成方法审中-公开
简体标题：互链接构的形成方法
公开(公告)号：TW201545299A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103117335
申请日：2014-05-16
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 賈照偉 , JIA, ZHAOWEI , 王暉 , WANG, DAVID
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/28
摘要：本發明揭示了一種互連結構的形成方法，包括：提供具有介質層的矽片；在介質層上形成第一凹槽區，第一凹槽區用於形成互連結構；在介質層上形成第二凹槽區，第二凹槽區用於形成虛擬結構；在介質層上沈積阻擋層，阻擋層覆蓋介質層的第一凹槽區、第二凹槽區和介質層的非凹槽區；在阻擋層上沈積金屬層，金屬層填滿第一凹槽區和第二凹槽區並覆蓋在非凹槽區上；將非凹槽區上的金屬層去除；將非凹槽區上的阻擋層去除。本發明透過在矽片的介質層上形成虛擬結構，當對非凹槽區上的金屬層進行過度抛光時，電流將更多的從虛擬結構傳導，避免阻擋層被氧化，從而能夠均勻地、完全地去除非凹槽區上的阻擋層。
简体摘要：本发明揭示了一种互链接构的形成方法，包括：提供具有介质层的硅片；在介质层上形成第一凹槽区，第一凹槽区用于形成互链接构；在介质层上形成第二凹槽区，第二凹槽区用于形成虚拟结构；在介质层上沉积阻挡层，阻挡层覆盖介质层的第一凹槽区、第二凹槽区和介质层的非凹槽区；在阻挡层上沉积金属层，金属层填满第一凹槽区和第二凹槽区并覆盖在非凹槽区上；将非凹槽区上的金属层去除；将非凹槽区上的阻挡层去除。本发明透过在硅片的介质层上形成虚拟结构，当对非凹槽区上的金属层进行过度抛光时，电流将更多的从虚拟结构传导，避免阻挡层被氧化，从而能够均匀地、完全地去除非凹槽区上的阻挡层。

5. 发明专利

TWI501297B 半導體矽片的清洗方法和裝置有权
简体标题：半导体硅片的清洗方法和设备
公开(公告)号：TWI501297B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW098110734
申请日：2009-03-31
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , S V 納其 , 謝良智 , 武俊萍 , 賈照偉 , 黃允文 , 高志峰 , 馬悅 , 王暉
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67 , B08B3/12

6. 发明专利

TWI663676B 載鎖腔及使用該載鎖腔處理基板的方法有权
简体标题：载锁腔及使用该载锁腔处理基板的方法
公开(公告)号：TWI663676B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW102127451
申请日：2013-07-31
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 何增華 , HE, ZENGHUA , 方志友 , FANG, ZHIYOU , 賈照偉 , JIA, ZHAOWEI , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/673 , B65G49/07

7. 发明专利

TWI614799B 晶圓拋光方法有权
简体标题：晶圆抛光方法
公开(公告)号：TWI614799B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW103117338
申请日：2014-05-16
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 金一諾 , JIN, YINUO , 王暉 , WANG, DAVID
IPC分类号： H01L21/304

8. 发明专利

TW201731596A 清洗半導體襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：清洗半导体衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201731596A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105106141
申请日：2016-03-01
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , HUI WANG , 陳福發 , FU-FA CHEN , 陳福平 , FU-PING CHEN , 王堅 , JIAN WANG , 王希 , XI WANG , 張曉燕 , XIAO-YAN ZHANG , 金一諾 , YI-NUO JIN , 賈照偉 , ZHAO-WEI JIA , 謝良智 , LIANG-ZHI XIE , 王俊 , JUN WANG , 李學軍 , XUE-JUN LI
IPC分类号： B08B3/12
摘要：一種使用超/兆聲波裝置清洗半導體襯底且不損傷半導體襯底上的圖案化結構的方法包括將液體噴射到半導體襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超/兆聲波裝置；在液體中的氣穴振盪損傷半導體襯底上的圖案化結構之前，設置超/兆聲波電源的頻率為f2，功率為P2以驅動超/兆聲波裝置；待氣泡內的溫度冷卻到設定溫度後，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；重復上述步驟直到半導體襯底洗淨。通常，如果f1=f2，那麽P2等於0或遠小於P1；如果P1=P2，那麽f2大於f1；如果f1
简体摘要：一种使用超/兆声波设备清洗半导体衬底且不损伤半导体衬底上的图案化结构的方法包括将液体喷射到半导体衬底和超/兆声波设备之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波设备；在液体中的气穴振荡损伤半导体衬底上的图案化结构之前，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波设备；待气泡内的温度冷却到设置温度后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复上述步骤直到半导体衬底洗净。通常，如果f1=f2，那么P2等于0或远小于P1；如果P1=P2，那么f2大于f1；如果f1

9. 发明专利

TW201726984A 在恒壓模式下電化學拋光的方法审中-公开
简体标题：在恒压模式下电化学抛光的方法
公开(公告)号：TW201726984A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134797
申请日：2016-10-27
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , JIN, YI-NUO , 代迎偉 , DAI, YING-WEI , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： C25F3/22
CPC分类号： C25F3/22 , C25F7/00
摘要：本發明揭示了一種在恒壓模式下電化學抛光的方法，該方法包括：預設一個具有電流分佈的恒流配方，包括晶圓上具有不同半徑的多個位置以及為每個位置預設的電流；使用恒流配方抛光第一晶圓；在抛光過程中檢測並記錄每個位置的電壓；生成具有電壓分佈的恒壓配方，包括多個位置以及對應每個位置記錄的電壓；使用恒壓配方抛光第二晶圓。
简体摘要：本发明揭示了一种在恒压模式下电化学抛光的方法，该方法包括：默认一个具有电流分布的恒流配方，包括晶圆上具有不同半径的多个位置以及为每个位置默认的电流；使用恒流配方抛光第一晶圆；在抛光过程中检测并记录每个位置的电压；生成具有电压分布的恒压配方，包括多个位置以及对应每个位置记录的电压；使用恒压配方抛光第二晶圆。

10. 发明专利

TWI501302B 阻擋層的去除方法和裝置有权
简体标题：阻挡层的去除方法和设备
公开(公告)号：TWI501302B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW097131982
申请日：2008-08-21
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , 賈照偉 , 武俊萍 , 謝良智 , 王暉
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/311 , H01L21/67

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