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1. 发明专利

TW201334110A 濕式處理設備审中-公开
简体标题：湿式处理设备
公开(公告)号：TW201334110A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101135984
申请日：2012-09-28
申请人： MM科技股份有限公司 , MMTECH CO., LTD.
发明人：張承逸 , CHANG, SEUNG IL , 安吉秀 , AN, KIL SOO
IPC分类号： H01L21/683
摘要：一種濕式處理設備，其包含：處理室，其包括基板進入所通過的第一門以及所述基板退出所通過的第二門；移動台，其經配備以在所述處理室中上下移動且其上放置有所述基板；多個支撐件，其連接到所述移動台；驅動單元，其經配備以通過連接到所述支撐件中的至少一個而上下移動所述移動台；固定台，其經固定地安置以面對所述移動台，且所述支撐件中的至少一個通過固定台；以及多個保護構件，其安置於所述固定台與所述移動台之間、圍繞所述支撐件中的每一個，且經配備以延伸以及收縮。
简体摘要：一种湿式处理设备，其包含：处理室，其包括基板进入所通过的第一门以及所述基板退出所通过的第二门；移动台，其经配备以在所述处理室中上下移动且其上放置有所述基板；多个支撑件，其连接到所述移动台；驱动单元，其经配备以通过连接到所述支撑件中的至少一个而上下移动所述移动台；固定台，其经固定地安置以面对所述移动台，且所述支撑件中的至少一个通过固定台；以及多个保护构件，其安置于所述固定台与所述移动台之间、围绕所述支撑件中的每一个，且经配备以延伸以及收缩。

2. 发明专利

TW201308444A 用於處理基板表面的葉片模組审中-公开
简体标题：用于处理基板表面的叶片模块
公开(公告)号：TW201308444A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100149699
申请日：2011-12-30
申请人： MM科技股份有限公司 , MMTECH CO., LTD.
发明人：安吉秀 , AN, KIL SOO , 張承逸 , CHANG, SEUNG IL , 崔鐘春 , CHOI, JONG CHUN
IPC分类号： H01L21/465
摘要：本發明提供用於處理基板表面的葉片模組，其實現緊湊簡潔設備的配置，所述葉片模組能夠有效地移除形成於基板表面(具體來說矽膜表面)上的氧化矽膜，從而提高基板表面的均勻度，且實現對清洗率的精確控制。所述葉片模組包含流體提供模組，所述流體提供模組在長度方向上朝所述基板提供選自由蝕刻流體和水組成的群組中的至少一者；噴氣模組，其中噴氣噴嘴佈置在所述長度方向上，並朝基板噴射流體切割空氣；以及框架，其固定流體提供模組的兩個相對端以及噴氣模組的兩個相對端，以將流體提供模組和噴氣模組裝配在一起。
简体摘要：本发明提供用于处理基板表面的叶片模块，其实现紧凑简洁设备的配置，所述叶片模块能够有效地移除形成于基板表面(具体来说硅膜表面)上的氧化硅膜，从而提高基板表面的均匀度，且实现对清洗率的精确控制。所述叶片模块包含流体提供模块，所述流体提供模块在长度方向上朝所述基板提供选自由蚀刻流体和水组成的群组中的至少一者；喷气模块，其中喷气喷嘴布置在所述长度方向上，并朝基板喷射流体切割空气；以及框架，其固定流体提供模块的两个相对端以及喷气模块的两个相对端，以将流体提供模块和喷气模块装配在一起。

3. 发明专利

TW201401362A 基板處理設備审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201401362A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW101135999
申请日：2012-09-28
申请人： MM科技股份有限公司 , MMTECH CO., LTD.
发明人：張承逸 , CHANG, SEUNG IL , 安吉秀 , AN, KIL SOO
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
摘要：一種襯底處理設備，包含：處理室，在其側壁中具有至少一狹縫，其中待處理的襯底放在所述處理室內；噴射單元，定位在所述處理室內以將處理介質噴到所述襯底上；驅動單元，定位在所述處理室外，通過所述狹縫而連接到所述噴射單元並且在所述襯底的表面方向上移動所述噴射單元；以及密封單元，介入在所述噴射單元與所述驅動單元之間並且密封所述驅動單元使其不受所述處理室的內部氣氛影響。
简体摘要：一种衬底处理设备，包含：处理室，在其侧壁中具有至少一狭缝，其中待处理的衬底放在所述处理室内；喷射单元，定位在所述处理室内以将处理介质喷到所述衬底上；驱动单元，定位在所述处理室外，通过所述狭缝而连接到所述喷射单元并且在所述衬底的表面方向上移动所述喷射单元；以及密封单元，介入在所述喷射单元与所述驱动单元之间并且密封所述驱动单元使其不受所述处理室的内部气氛影响。

4. 发明专利

TW201308500A 具有緻密結構之基底表面處理系統以及基底表面處理方法审中-公开
简体标题：具有致密结构之基底表面处理系统以及基底表面处理方法
公开(公告)号：TW201308500A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101128278
申请日：2012-08-06
申请人： MM科技股份有限公司 , MMTECH CO., LTD.
发明人：安吉秀 , AN, KIL SOO , 張承逸 , CHANG, SEUNG IL
IPC分类号： H01L21/67
摘要：本發明提供一種具有緻密結構之基底表面處理系統及一種基底表面處理方法。系統包括：第一處理腔室，在第一端部處包括入口且沿平行於地面的方向延伸；第二處理腔室，沿垂直於地面的方向延伸，第一處理腔室的第二端部在第二處理腔室的第一端部處附接至第二處理腔室的上部；第三處理腔室，沿平行於地面的方向延伸，位於第一處理腔室的下方，並在第一端部處具有出口，其中位於第二處理腔室的第一端部處的第二處理腔室的下部在第三處理腔室的第二端部處附接至第三處理腔室；第一水平傳送單元，安裝於第一處理腔室中並沿第一方向朝第二處理腔室水平地傳送基底；第二水平傳送單元，安裝於第二處理腔室中並水平地傳送所述基底；垂直傳送單元，安裝於第二處理腔室中，與第二水平傳送單元相組合，並沿垂直方向向上及向下移動第二水平傳送單元；第三水平傳送單元，安裝於第三處理腔室中並沿與第一方向相對的第二方向水平地傳送自第二處理腔室排出的基底；以及處理模組，安裝於第一處理腔室至第三處理腔室至少其中之一中並處理所述基底的表面。
简体摘要：本发明提供一种具有致密结构之基底表面处理系统及一种基底表面处理方法。系统包括：第一处理腔室，在第一端部处包括入口且沿平行于地面的方向延伸；第二处理腔室，沿垂直于地面的方向延伸，第一处理腔室的第二端部在第二处理腔室的第一端部处附接至第二处理腔室的上部；第三处理腔室，沿平行于地面的方向延伸，位于第一处理腔室的下方，并在第一端部处具有出口，其中位于第二处理腔室的第一端部处的第二处理腔室的下部在第三处理腔室的第二端部处附接至第三处理腔室；第一水平发送单元，安装于第一处理腔室中并沿第一方向朝第二处理腔室水平地发送基底；第二水平发送单元，安装于第二处理腔室中并水平地发送所述基底；垂直发送单元，安装于第二处理腔室中，与第二水平发送单元相组合，并沿垂直方向向上及向下移动第二水平发送单元；第三水平发送单元，安装于第三处理腔室中并沿与第一方向相对的第二方向水平地发送自第二处理腔室排出的基底；以及处理模块，安装于第一处理腔室至第三处理腔室至少其中之一中并处理所述基底的表面。

5. 发明专利

TW201332038A 基板表面處理系統以及方法审中-公开
简体标题：基板表面处理系统以及方法
公开(公告)号：TW201332038A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101135969
申请日：2012-09-28
申请人： MM科技股份有限公司 , MMTECH CO., LTD.
发明人：張承逸 , CHANG, SEUNG IL , 安吉秀 , AN, KIL SOO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306 , H01L21/336
摘要：一種基板表面處理系統包含：第一處理室，在平行於底面的方向上延伸，且包含第一端及第二端；第二處理室，在平行於底面的方向上延伸，且包含第三端及第四端；第三處理室，包含彼此相向的第五端及第六端，第五端與第二端及第四端組合，第三處理室與第一及第二處理室連通；第一水準移動單元，安裝在第一處理室中以移動基板；第二水準移動單元，安裝在第二處理室中以在移動基板；方向切換單元，安裝在第三處理室中以切換基板的移動方向；及第一濕式處理模組，安裝在第一處理室到第三處理室中的至少一個的區域中，以將處理液噴射到基板上。
简体摘要：一种基板表面处理系统包含：第一处理室，在平行于底面的方向上延伸，且包含第一端及第二端；第二处理室，在平行于底面的方向上延伸，且包含第三端及第四端；第三处理室，包含彼此相向的第五端及第六端，第五端与第二端及第四端组合，第三处理室与第一及第二处理室连通；第一水准移动单元，安装在第一处理室中以移动基板；第二水准移动单元，安装在第二处理室中以在移动基板；方向切换单元，安装在第三处理室中以切换基板的移动方向；及第一湿式处理模块，安装在第一处理室到第三处理室中的至少一个的区域中，以将处理液喷射到基板上。

6. 发明专利

TW201216353A 處理矽基板的方法與裝置 METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SILICON SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：处理硅基板的方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SILICON SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201216353A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW100135065
申请日：2011-09-28
申请人： MM科技股份有限公司
发明人：安吉秀 , 張承逸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31105 , H01L21/02068 , H01L21/6708 , H01L27/1262
摘要：本發明提供了一種處理矽基板的方法與裝置，其可有效地去除形成在矽膜表面的氧化矽薄膜，且改善矽膜的表面平整度。該方法包含了：提供一包含矽膜之基板；在第一時間帶(time band)提供一可以蝕刻氧化矽薄膜的第一流體到基板表面；在與第一時間帶不同的第二時間帶，提供一包含水的第二流體到基板表面；且在不同於第一時間帶和第二時間帶之第三時間帶，提供可以蝕刻氧化矽薄膜的第三流體到基板表面，其成分不同於第一流體，且有著較高的氧化矽薄膜蝕刻比率。
简体摘要：本发明提供了一种处理硅基板的方法与设备，其可有效地去除形成在硅膜表面的氧化硅薄膜，且改善硅膜的表面平整度。该方法包含了：提供一包含硅膜之基板；在第一时间带(time band)提供一可以蚀刻氧化硅薄膜的第一流体到基板表面；在与第一时间带不同的第二时间带，提供一包含水的第二流体到基板表面；且在不同于第一时间带和第二时间带之第三时间带，提供可以蚀刻氧化硅薄膜的第三流体到基板表面，其成分不同于第一流体，且有着较高的氧化硅薄膜蚀刻比率。

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