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1. 发明专利

TWI515403B 坩堝護框的製造方法有权
简体标题：坩埚护框的制造方法
公开(公告)号：TWI515403B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102104617
申请日：2013-02-06
申请人：昱成光能股份有限公司 , UTECH SOLAR CORPORATION
发明人：邵任民 , 余明儒 , 洪羿達
IPC分类号： F27B14/10 , C30B15/10 , C30B13/14

2. 发明专利

TWI605109B 濕蝕刻表面處理法及其方法製得的微孔矽晶片有权
简体标题：湿蚀刻表面处理法及其方法制得的微孔硅芯片
公开(公告)号：TWI605109B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW106105845
申请日：2017-02-22
申请人：昱成光能股份有限公司 , UTECH SOLAR CORPORATION
发明人：余明儒 , 黃彥鈞 , 謝博偉 , 陳堯博 , 林耕民 , 周芳儀
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/306 , H01L21/465

3. 发明专利

TWI522220B 多晶晶碇的切割方法有权
公开(公告)号：TWI522220B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW102121137
申请日：2013-06-14
申请人：昱成光能股份有限公司 , UTECH SOLAR CORPORATION
发明人：邵任民 , SHAO, JEN MIN , 余明儒 , 王峻聲 , 洪羿達
IPC分类号： B28D5/00

4. 实用新型

TWM460882U 坩堝護框有权
简体标题：坩埚护框
公开(公告)号：TWM460882U
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102202600
申请日：2013-02-06
申请人：昱成光能股份有限公司 , UTECH SOLAR CORPORATION
发明人：邵任民 , 余明儒 , 洪羿達
IPC分类号： C30B35/00

5. 发明专利

TW201329410A 坩堝護框的製造方法审中-公开
简体标题：坩埚护框的制造方法
公开(公告)号：TW201329410A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW102104617
申请日：2013-02-06
申请人：昱成光能股份有限公司 , UTECH SOLAR CORPORATION
发明人：邵任民 , 余明儒 , 洪羿達
IPC分类号： F27B14/10 , C30B15/10 , C30B13/14
摘要：一種坩堝護框的製造方法包含：(a)沿各護板長度方向分割各護板以形成第一、二板體，各第一板體沿長度方向與厚度方向分別具相反的第一、二端面與第一、二表面；(b)於各第一板體形成第一、二凹槽，各第一凹槽是自其第一板體第一端面朝內凹陷，各第二凹槽是自其第一板體第一表面朝第二表面凹陷並鄰近第二端面，且各第一板體的第一、二凹槽是沿高度方向自頂面朝底面延伸；(c)分割各第二板體以取出一條狀插銷；及(d)依序鄰接各第一板體使各第一凹槽面向其鄰接之第二凹槽以界定出供插入各條狀插銷的插銷孔，各條狀插銷頂面是相對各第一板體頂面高出一高度H。
简体摘要：一种坩埚护框的制造方法包含：(a)沿各护板长度方向分割各护板以形成第一、二板体，各第一板体沿长度方向与厚度方向分别具相反的第一、二端面与第一、二表面；(b)于各第一板体形成第一、二凹槽，各第一凹槽是自其第一板体第一端面朝内凹陷，各第二凹槽是自其第一板体第一表面朝第二表面凹陷并邻近第二端面，且各第一板体的第一、二凹槽是沿高度方向自顶面朝底面延伸；(c)分割各第二板体以取出一条状插销；及(d)依序邻接各第一板体使各第一凹槽面向其邻接之第二凹槽以界定出供插入各条状插销的插销孔，各条状插销顶面是相对各第一板体顶面高出一高度H。

6. 实用新型

TWM525808U 具斷線前預警功能的線鋸切割設備有权
简体标题：具断线前预警功能的线锯切割设备
公开(公告)号：TWM525808U
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW105205442
申请日：2016-04-19
申请人：昱成光能股份有限公司 , UTECH SOLAR CORPORATION
发明人：余明儒 , 黃彥鈞 , 謝博偉
IPC分类号： B23D57/00

7. 发明专利

TW201446452A 多晶晶碇的切割方法审中-公开
公开(公告)号：TW201446452A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102121137
申请日：2013-06-14
申请人：昱成光能股份有限公司 , UTECH SOLAR CORPORATION
发明人：邵任民 , SHAO, JEN MIN , 余明儒 , 王峻聲 , 洪羿達
IPC分类号： B28D5/00
摘要：一種多晶晶碇的切割方法包含(A)製備坩堝，坩堝具底壁及圍繞底壁以界定出容室的周壁，底壁具二維的平台區陣列，二維的平台區陣列具多數沿第一、二方向依序輪流設置的第一、二平台區，各相鄰第一、二平台區間界定出切割線段，且切割線段定義出多數沿第一、二方向延伸的第一、二開方線，各第一、二平台區沿底壁的厚度方向各具第一、二厚度T1、T2，T1＞T2；(B)融熔填於容室中的起始原料使成為熔湯；(C)定向凝固熔湯使成為多晶晶碇並於多晶晶碇底部轉寫有二維的平台區陣列與第一、二開方線；及(D)沿各第一、二開方線縱向切割多晶晶碇以成多數晶磚。
简体摘要：一种多晶晶碇的切割方法包含(A)制备坩埚，坩埚具底壁及围绕底壁以界定出容室的周壁，底壁具二维的平台区数组，二维的平台区数组具多数沿第一、二方向依序轮流设置的第一、二平台区，各相邻第一、二平台区间界定出切割线段，且切割线段定义出多数沿第一、二方向延伸的第一、二开方线，各第一、二平台区沿底壁的厚度方向各具第一、二厚度T1、T2，T1＞T2；(B)融熔填于容室中的起始原料使成为熔汤；(C)定向凝固熔汤使成为多晶晶碇并于多晶晶碇底部转写有二维的平台区数组与第一、二开方线；及(D)沿各第一、二开方线纵向切割多晶晶碇以成多数晶砖。

8. 发明专利

TW201829742A 濕蝕刻表面處理法及其方法製得的微孔矽晶片审中-公开
简体标题：湿蚀刻表面处理法及其方法制得的微孔硅芯片
公开(公告)号：TW201829742A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106105845
申请日：2017-02-22
申请人：昱成光能股份有限公司 , UTECH SOLAR CORPORATION
发明人：余明儒 , 黃彥鈞 , 謝博偉 , 陳堯博 , 林耕民 , 周芳儀
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/306 , H01L21/465
摘要：本發明提供一種酸蝕刻液，其以重量百分比計(wt%)含有氫氟酸、硝酸、緩衝劑，及水。氫氟酸介於35 wt%至60 wt%間；硝酸介於20wt%至30wt%間；緩衝劑大於0 wt%且小於等於5 wt%；水介於20 wt%至40 wt%間。此外，本發明亦提供一種濕蝕刻表面處理法，其依序包含一使用一如前所述之酸蝕刻液對一經固定砥粒切割所取得的多晶矽片施予酸蝕刻的酸蝕刻步驟、一鹼蝕刻步驟、一酸洗步驟，及一乾燥步驟。又，本發明亦提供一種由前述方法所製得的微孔矽晶片。
简体摘要：本发明提供一种酸蚀刻液，其以重量百分比计(wt%)含有氢氟酸、硝酸、缓冲剂，及水。氢氟酸介于35 wt%至60 wt%间；硝酸介于20wt%至30wt%间；缓冲剂大于0 wt%且小于等于5 wt%；水介于20 wt%至40 wt%间。此外，本发明亦提供一种湿蚀刻表面处理法，其依序包含一使用一如前所述之酸蚀刻液对一经固定砥粒切割所取得的多晶硅片施予酸蚀刻的酸蚀刻步骤、一碱蚀刻步骤、一酸洗步骤，及一干燥步骤。又，本发明亦提供一种由前述方法所制得的微孔硅芯片。

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