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1. 发明专利

TW202008454A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW202008454A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108125488
申请日：2019-07-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：葉凌彥 , YEH, LING YEN , 卡羅司迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H.
IPC分类号： H01L21/306
摘要：堆疊形成於基材上方。所述堆疊包括多個第一磊晶層和多個第二磊晶層，此些第一磊晶層和此些第二磊晶層彼此交替地堆疊。第一磊晶層包括硫、磷、硒、砷或上述的組合。對堆疊進行第一蝕刻製程，以形成鰭。介電層形成於鰭上方。暴露出鰭的通道區。使用碳氫化合物化學蝕刻法，對鰭的通道區中的第一磊晶層之每一者的第一部分進行第二蝕刻製程。第二蝕刻製程蝕刻第一磊晶層的蝕刻速率高於第二蝕刻製程蝕刻第二磊晶層的蝕刻速率。形成閘極結構，此閘極結構環繞鰭的通道區中的第二磊晶層之每一者的第一部分。
简体摘要：堆栈形成于基材上方。所述堆栈包括多个第一磊晶层和多个第二磊晶层，此些第一磊晶层和此些第二磊晶层彼此交替地堆栈。第一磊晶层包括硫、磷、硒、砷或上述的组合。对堆栈进行第一蚀刻制程，以形成鳍。介电层形成于鳍上方。暴露出鳍的信道区。使用碳氢化合物化学蚀刻法，对鳍的信道区中的第一磊晶层之每一者的第一部分进行第二蚀刻制程。第二蚀刻制程蚀刻第一磊晶层的蚀刻速率高于第二蚀刻制程蚀刻第二磊晶层的蚀刻速率。形成闸极结构，此闸极结构环绕鳍的信道区中的第二磊晶层之每一者的第一部分。

2. 发明专利

TWI651853B 半導體元件結構及其製造方法及電晶體有权
简体标题：半导体组件结构及其制造方法及晶体管
公开(公告)号：TWI651853B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW103146471
申请日：2014-12-31
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：戴爾茲卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H. , 林群雄 , LIN, CHUN HSIUNG , 張惠政 , CHANG, HUI CHENG , 章勳明 , JANG, SYUN MING , 王建勛 , WANG, CHIEN HSUN , 黃懋霖 , HUANG, MAO LIN
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/78 , B82Y10/00

3. 发明专利

TW201824565A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201824565A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106134961
申请日：2017-10-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：珍皮爾柯林 , COLINGE, JEAN-PIERRE , 吳忠政 , WU, CHUNG CHENG , 卡羅司迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H. , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 後藤賢一 , GOTO, KEN-ICHI , 郭大鵬 , GUO, TA PEN , 楊育佳 , YEO, YEE-CHIA , 吳志強 , WU, ZHI-QIANG , 林佑明 , LIN, YU MING
IPC分类号： H01L29/78
摘要：本揭示描述了包括二維(2D)材料之半導體結構及其製造方法。藉由在電晶體閘極架構(例如：場效電晶體)中使用2D材料，本揭示之半導體結構包括垂直閘極結構並且包含有2D材料，例如：石墨烯、過渡金屬二硫屬化物或磷烯。
简体摘要：本揭示描述了包括二维(2D)材料之半导体结构及其制造方法。借由在晶体管闸极架构(例如：场效应管)中使用2D材料，本揭示之半导体结构包括垂直闸极结构并且包含有2D材料，例如：石墨烯、过渡金属二硫属化物或磷烯。

4. 发明专利

TW201735364A 鰭式場效電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：鳍式场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TW201735364A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105132087
申请日：2016-10-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：江國誠 , CHING, KUO CHENG , 潘冠廷 , PAN, KUAN TING , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG , 卡羅司迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H.
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/283 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/24 , H01L29/49 , H01L29/785 , H01L29/7851
摘要：一種鰭式場效電晶體的製造方法包含形成隔離區延伸至半導體基材內，及使隔離區內縮。介於隔離區之間的半導體基材之一部分突出至高於隔離區，以形成半導體鰭片。形成虛擬閘極電極覆蓋半導體鰭片的中間部分，而半導體鰭片的末端部分不被虛擬閘極電極覆蓋。虛擬閘極電極包含虛擬閘極電極下部分及虛擬閘極電極上部分，其中虛擬閘極電極上部分包含在虛擬閘極電極下部分上方的多晶矽。虛擬閘極電極下部分及虛擬閘極電極上部分是由不同材料所形成。源/汲極區係形成在虛擬閘極電極的相對側上。取代閘極電極係替換為虛擬閘極電極。
简体摘要：一种鳍式场效应管的制造方法包含形成隔离区延伸至半导体基材内，及使隔离区内缩。介于隔离区之间的半导体基材之一部分突出至高于隔离区，以形成半导体鳍片。形成虚拟闸极电极覆盖半导体鳍片的中间部分，而半导体鳍片的末端部分不被虚拟闸极电极覆盖。虚拟闸极电极包含虚拟闸极电极下部分及虚拟闸极电极上部分，其中虚拟闸极电极上部分包含在虚拟闸极电极下部分上方的多晶硅。虚拟闸极电极下部分及虚拟闸极电极上部分是由不同材料所形成。源/汲极区系形成在虚拟闸极电极的相对侧上。取代闸极电极系替换为虚拟闸极电极。

5. 发明专利

TWI597828B 非揮發性記憶體結構及其形成方法有权
简体标题：非挥发性内存结构及其形成方法
公开(公告)号：TWI597828B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105135368
申请日：2016-11-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：珍皮爾柯林 , COLINGE, JEAN-PIERRE , 卡羅司迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H. , 郭大鵬 , GUO, TA PEN
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L27/115 , B82Y10/00
CPC分类号： G06F3/0679 , B82Y10/00 , G06F3/0688 , G11C13/025 , G11C14/0018 , G11C14/009 , G11C15/046 , H01L21/02491 , H01L27/0688 , H01L27/11514 , H01L27/11578 , H01L29/0673 , H01L29/66439 , H01L29/66833 , H01L29/775 , H01L29/78654 , H01L29/78696 , H01L29/792

7. 发明专利

TW201701359A 半導體元件與其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件与其制作方法
公开(公告)号：TW201701359A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104138302
申请日：2015-11-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：江國誠 , CHING, KUO CHENG , 蔡慶威 , TSAI, CHING WEI , 卡羅司迪亞玆 , DIAZ, CARLOS H. , 王志豪 , WANG, CHIH HAO , 連萬益 , LIEN, WAI YI , 梁英強 , LEUNG, YING-KEUNG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/165 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66537 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/7851
摘要：一種半導體元件的製造方法，包含形成從基材延伸之鰭片並具有源極/汲極區域和通道區域。鰭片包含具有第一組成的第一磊晶層和位於第一磊晶層之上的第二磊晶層，而第二磊晶層具有第二組成。從鰭片之閘極/源極區域移除第二磊晶層以形成間隙。填充介電材料於間隙中。於第一磊晶層之至少兩個表面上形成另一磊晶層以形成源極/汲極特徵。
简体摘要：一种半导体组件的制造方法，包含形成从基材延伸之鳍片并具有源极/汲极区域和信道区域。鳍片包含具有第一组成的第一磊晶层和位于第一磊晶层之上的第二磊晶层，而第二磊晶层具有第二组成。从鳍片之闸极/源极区域移除第二磊晶层以形成间隙。填充介电材料于间隙中。于第一磊晶层之至少两个表面上形成另一磊晶层以形成源极/汲极特征。

8. 发明专利

TW201613090A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201613090A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104132024
申请日：2015-09-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：戴爾茲卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H. , 柯林基尙皮耶 , COLINGE, JEAN-PIERRE
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/0657 , H01L29/1033 , H01L29/42392 , H01L29/51 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/78603 , H01L29/78642 , H01L29/78681
摘要：本揭露提供之半導體裝置具有複合結構，其包括內部核心柱，實質上沿著半導體裝置的通道方向延伸；以及外部管層，位於內部核心柱上。內部核心柱在半導體裝置的通道長度上，機械性地支撐外部管層。
简体摘要：本揭露提供之半导体设备具有复合结构，其包括内部内核柱，实质上沿着半导体设备的信道方向延伸；以及外部管层，位于内部内核柱上。内部内核柱在半导体设备的信道长度上，机械性地支撑外部管层。

9. 发明专利

TWI694499B 負電容結構的製造方法、負電容場效電晶體及其製造方法有权
简体标题：负电容结构的制造方法、负电容场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TWI694499B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107115739
申请日：2018-05-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：呂俊頡 , LU, CHUN CHIEH , 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 李建興 , LEE, CHIEN HSING , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 戴爾茲卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H.
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/43 , H01L29/778

10. 发明专利

TW201841206A 用以蝕刻半導體材料的方法审中-公开
简体标题：用以蚀刻半导体材料的方法
公开(公告)号：TW201841206A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106133446
申请日：2017-09-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：珍皮爾柯林 , COLINGE, JEAN-PIERRE , 卡羅司迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H. , 馬克范達爾 , MARK VAN DAL
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/465
摘要：本揭示敘述一個方法，其可選擇性地從矽鍺/矽鍺堆疊蝕刻矽，或可選擇性地從矽鍺/鍺堆疊蝕刻矽鍺，以形成富含鍺的奈米線通道。舉例而言，方法可以包括由具有富含矽材料與富含鍺材料的交替層所形成的多層堆疊。薄的第一硫族化合物層同時形成於富含矽材料上，而厚的第二硫族化合物層形成於富含鍺材料上。蝕刻第一硫族化合物層與第二硫族化合物層，直到從富含矽材料移除第一硫族化合物層。以不同的蝕刻速率蝕刻富含矽材料與第二硫族化合物層。
简体摘要：本揭示叙述一个方法，其可选择性地从硅锗/硅锗堆栈蚀刻硅，或可选择性地从硅锗/锗堆栈蚀刻硅锗，以形成富含锗的奈米线信道。举例而言，方法可以包括由具有富含硅材料与富含锗材料的交替层所形成的多层堆栈。薄的第一硫族化合物层同时形成于富含硅材料上，而厚的第二硫族化合物层形成于富含锗材料上。蚀刻第一硫族化合物层与第二硫族化合物层，直到从富含硅材料移除第一硫族化合物层。以不同的蚀刻速率蚀刻富含硅材料与第二硫族化合物层。

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