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1. 发明专利

TWI647343B 電鍍或電拋光矽片的裝置及方法有权
简体标题：电镀或电抛光硅片的设备及方法
公开(公告)号：TWI647343B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103117339
申请日：2014-05-16
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 金一諾 , JIN, YINUO , 楊宏超 , 王暉 , WANG, DAVID
IPC分类号： C25D5/08 , C25D5/52 , C25D7/12 , C25F3/22 , C25D17/00 , C25F7/00

2. 发明专利

TWI639488B 無應力電化學拋光用噴嘴有权
简体标题：无应力电化学抛光用喷嘴
公开(公告)号：TWI639488B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW102127453
申请日：2013-07-31
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 金一諾 , JIN, YINUO , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： B24B57/02 , H01L21/304

3. 发明专利

TW201825203A 使用高溫化學品和超聲波裝置清洗襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：使用高温化学品和超声波设备清洗衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201825203A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106100638
申请日：2017-01-09
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：陳福平 , CHEN, FU-PING , 王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 賈社娜 , JIA, SHE-NA , 王丹穎 , WANG, DAN-YING , 蔣超偉 , JIANG, CHAO-WEI , 代迎偉 , DAI, YING-WEI , 王堅 , WANG, JIAN
IPC分类号： B08B3/12 , B08B3/14 , H01L21/02
摘要：本發明公開了一種用來清洗襯底的高溫化學溶液供液系統。該系統包括溶液槽、緩衝槽、第一泵和第二泵。溶液槽容納高溫化學溶液。緩衝槽具有槽體、排氣管和針閥。槽體容納高溫化學溶液。排氣管的一端連接槽體，排氣管的另一端連接溶液槽。針閥安裝在排氣管上，透過調節針閥以達到一流量使高溫化學溶液內的氣泡透過排氣管排出緩衝槽。第一泵的進口連接溶液槽，第一泵的出口連接緩衝槽。第二泵的進口連接緩衝槽，第二泵的出口連接清洗襯底的清洗腔。本發明還提供了一種包括高溫化學溶液供液系統和超聲波/兆聲波裝置的襯底清洗裝置。本發明還提供了清洗襯底的方法。
简体摘要：本发明公开了一种用来清洗衬底的高温化学溶液供液系统。该系统包括溶液槽、缓冲槽、第一泵和第二泵。溶液槽容纳高温化学溶液。缓冲槽具有槽体、排气管和针阀。槽体容纳高温化学溶液。排气管的一端连接槽体，排气管的另一端连接溶液槽。针阀安装在排气管上，透过调节针阀以达到一流量使高温化学溶液内的气泡透过排气管排出缓冲槽。第一泵的进口连接溶液槽，第一泵的出口连接缓冲槽。第二泵的进口连接缓冲槽，第二泵的出口连接清洗衬底的清洗腔。本发明还提供了一种包括高温化学溶液供液系统和超声波/兆声波设备的衬底清洗设备。本发明还提供了清洗衬底的方法。

4. 发明专利

TW201817502A 清洗襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：清洗衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201817502A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135566
申请日：2016-11-02
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12
摘要：本發明公開了一種使用超/兆聲波裝置有效清洗襯底上的通孔、槽或凹進區域的方法，包括：將液體噴射到襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡總體積和襯底上的通孔、槽或凹進區域的體積的比值增大到第一設定值後，設置超/兆聲波電源的頻率為f2，功率為P2以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡總體積和襯底上的通孔、槽或凹進區域的體積的比值減小到第二設定值後，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；重復以上步驟直到襯底洗淨。
简体摘要：本发明公开了一种使用超/兆声波设备有效清洗衬底上的通孔、槽或凹进区域的方法，包括：将液体喷射到衬底和超/兆声波设备之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波设备；在气泡总体积和衬底上的通孔、槽或凹进区域的体积的比值增大到第一设置值后，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波设备；在气泡总体积和衬底上的通孔、槽或凹进区域的体积的比值减小到第二设置值后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复以上步骤直到衬底洗净。

5. 发明专利

TW201806053A 基板斜邊和背面保護裝置审中-公开
简体标题：基板斜边和背面保护设备
公开(公告)号：TW201806053A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105125479
申请日：2016-08-10
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王希 , WANG, XI , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/67
摘要：本發明公開了一種基板斜邊和背面保護裝置。裝置包括真空卡盤、保護裝置、供氣裝置、旋轉致動器和垂直致動器。真空卡盤承載並固定基板。保護裝置包括基部和支撐部，支撐部靠近基板並與基板之間形成有間隙，支撐部設有多個向間隙內供氣的氣體進口和多個將間隙內的氣體排出的氣體出口。基部設有多條氣體通道，每條氣體通道與一個氣體進口相連接。供氣裝置向保護裝置的氣體通道供應氣體。該多個氣體進口向間隙內供氣使間隙內的氣壓大於大氣壓，間隙內的氣體作為氣體阻擋層保護基板的斜邊和背面。旋轉致動器驅動真空卡盤和保護裝置旋轉。垂直致動器驅動真空卡盤垂直移動。
简体摘要：本发明公开了一种基板斜边和背面保护设备。设备包括真空卡盘、保护设备、供气设备、旋转致动器和垂直致动器。真空卡盘承载并固定基板。保护设备包括基部和支撑部，支撑部靠近基板并与基板之间形成有间隙，支撑部设有多个向间隙内供气的气体进口和多个将间隙内的气体排出的气体出口。基部设有多条气体信道，每条气体信道与一个气体进口相连接。供气设备向保护设备的气体信道供应气体。该多个气体进口向间隙内供气使间隙内的气压大于大气压，间隙内的气体作为气体阻挡层保护基板的斜边和背面。旋转致动器驱动真空卡盘和保护设备旋转。垂直致动器驱动真空卡盘垂直移动。

6. 发明专利

TW201743399A 輸送半導體襯底的機械手审中-公开
简体标题：输送半导体衬底的机械手
公开(公告)号：TW201743399A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW105118434
申请日：2016-06-13
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 吳均 , WU, JUN , 方志友 , FANG, ZHIYOU
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687
摘要：本發明公開了一種輸送半導體襯底的機械手，該機械手包括主體部分、從主體部分延伸出的末端部分、位於末端部分的多個真空吸盤、分別與多個真空吸盤連接的多條真空管路。任意兩個相鄰的真空吸盤之間的距離滿足以下條件：半導體襯底因被這兩個相鄰真空吸盤中的一個向下吸而產生的豎直位移大於這兩個相鄰真空吸盤之間的半導體襯底的翹曲，因此，一旦這兩個相鄰真空吸盤中的一個吸住半導體襯底，這兩個相鄰真空吸盤中的另一個也跟著吸住半導體襯底。
简体摘要：本发明公开了一种输送半导体衬底的机械手，该机械手包括主体部分、从主体部分延伸出的末端部分、位于末端部分的多个真空吸盘、分别与多个真空吸盘连接的多条真空管路。任意两个相邻的真空吸盘之间的距离满足以下条件：半导体衬底因被这两个相邻真空吸盘中的一个向下吸而产生的竖直位移大于这两个相邻真空吸盘之间的半导体衬底的翘曲，因此，一旦这两个相邻真空吸盘中的一个吸住半导体衬底，这两个相邻真空吸盘中的另一个也跟着吸住半导体衬底。

7. 发明专利

TWI606545B 真空夾具有权
简体标题：真空夹具
公开(公告)号：TWI606545B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW102127456
申请日：2013-07-31
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 金一諾 , JIN, YINUO , 邵勇 , SHAO, YONG , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/683

8. 发明专利

TW201736646A 阻擋層的去除方法和半導體結構的形成方法审中-公开
简体标题：阻挡层的去除方法和半导体结构的形成方法
公开(公告)号：TW201736646A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105111507
申请日：2016-04-13
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , YI-NUO JIN , 代迎偉 , YING-WEI DAI , 王堅 , JIAN WANG , 王暉 , HUI WANG
IPC分类号： C25F3/30 , H01L21/321
摘要：本發明提供了一種阻擋層的去除方法，該阻擋層包括至少一層鈷或釕層，該方法包括：採用電抛光方法去除形成在半導體結構的非凹進區域上的鈷或釕層。本發明還進一步提供了一種半導體結構的形成方法，包括：提供一半導體結構，該半導體結構包括介質層、形成在介質層上的硬掩膜層、形成在硬掩膜層和介質層上的凹進區、阻擋層及金屬層，阻擋層形成在硬掩膜層以及凹進區的側壁和底部上，該阻擋層包括至少一層鈷或釕層，金屬層形成在鈷或釕層上並填滿凹進區；採用電抛光方法去除非凹進區域上的金屬層和鈷或釕層；採用熱流蝕刻方法去除硬掩膜層。
简体摘要：本发明提供了一种阻挡层的去除方法，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，该方法包括：采用电抛光方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上的钴或钌层。本发明还进一步提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一半导体结构，该半导体结构包括介质层、形成在介质层上的硬掩膜层、形成在硬掩膜层和介质层上的凹进区、阻挡层及金属层，阻挡层形成在硬掩膜层以及凹进区的侧壁和底部上，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，金属层形成在钴或钌层上并填满凹进区；采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层和钴或钌层；采用热流蚀刻方法去除硬掩膜层。

9. 发明专利

TW201733693A 清洗半導體矽片的裝置和方法审中-公开
简体标题：清洗半导体硅片的设备和方法
公开(公告)号：TW201733693A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105109199
申请日：2016-03-24
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王希 , XI WANG , 程成 , CHENG CHENG , 吳均 , JUN WU , 王暉 , HUI WANG
IPC分类号： B08B1/04 , B08B3/04
摘要：本發明公開了一種清洗半導體矽片的裝置和方法。該裝置包括刷子組件、擺臂、旋轉驅動裝置和升降驅動裝置。刷子組件包括一個向矽片表面提供機械力的刷頭。擺臂的一端安裝刷子組件。旋轉驅動裝置與擺臂的另一端連接，旋轉驅動裝置驅動擺臂擺動並經過整個矽片表面，從而帶動刷頭在整個矽片表面移動。升降驅動裝置與擺臂的另一端連接，升降驅動裝置驅動擺臂上升或下降，從而帶動刷子組件上升或下降。該裝置利用刷頭來清洗半導體矽片，提高了清洗效果。
简体摘要：本发明公开了一种清洗半导体硅片的设备和方法。该设备包括刷子组件、摆臂、旋转驱动设备和升降驱动设备。刷子组件包括一个向硅片表面提供机械力的刷头。摆臂的一端安装刷子组件。旋转驱动设备与摆臂的另一端连接，旋转驱动设备驱动摆臂摆动并经过整个硅片表面，从而带动刷头在整个硅片表面移动。升降驱动设备与摆臂的另一端连接，升降驱动设备驱动摆臂上升或下降，从而带动刷子组件上升或下降。该设备利用刷头来清洗半导体硅片，提高了清洗效果。

10. 发明专利

TW201725655A 形成金屬互連結構的方法审中-公开
简体标题：形成金属互链接构的方法
公开(公告)号：TW201725655A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105100198
申请日：2016-01-05
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , JIAN WANG , 賈照偉 , ZHAO-WEI JIA , 金一諾 , YI-NUO JIN , 肖東風 , DONG-FENG XIAO , 楊貴璞 , GUI-PU YANG , 代迎偉 , YING-WEI DAI , 王暉 , HUI WANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/311
摘要：本發明提供了一種形成金屬互連結構的方法，以避免凹進區域側壁上的阻擋層被過刻蝕。該方法包括以下步驟：在硬掩膜層和介質層上形成凹進區域；在硬掩膜層上、凹進區域的側壁和凹進區域的底部沈積阻擋層；在阻擋層上沈積金屬並使凹進區域填滿金屬；使用電抛光工藝去除非凹進區域上的金屬，並將凹進區域內的金屬過抛光形成凹陷，在電抛光過程中，阻擋層上形成氧化膜；去除硬掩膜層上阻擋層上的氧化膜，並留下一定厚度的凹進區域側壁上阻擋層上的氧化膜；透過刻蝕去除阻擋層和硬掩膜層，該刻蝕對氧化膜具有高選擇比，留下來的氧化膜阻止凹進區域側壁上的阻擋層被過刻蝕。
简体摘要：本发明提供了一种形成金属互链接构的方法，以避免凹进区域侧壁上的阻挡层被过刻蚀。该方法包括以下步骤：在硬掩膜层和介质层上形成凹进区域；在硬掩膜层上、凹进区域的侧壁和凹进区域的底部沉积阻挡层；在阻挡层上沉积金属并使凹进区域填满金属；使用电抛光工艺去除非凹进区域上的金属，并将凹进区域内的金属过抛光形成凹陷，在电抛光过程中，阻挡层上形成氧化膜；去除硬掩膜层上阻挡层上的氧化膜，并留下一定厚度的凹进区域侧壁上阻挡层上的氧化膜；透过刻蚀去除阻挡层和硬掩膜层，该刻蚀对氧化膜具有高选择比，留下来的氧化膜阻止凹进区域侧壁上的阻挡层被过刻蚀。

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