专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201802955A 去除阻擋層使側壁凹陷最小化的方法审中-公开
简体标题：去除阻挡层使侧壁凹陷最小化的方法
公开(公告)号：TW201802955A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105121964
申请日：2016-07-12
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/465 , C25D19/00
摘要：本發明提供了一種去除阻擋層使側壁凹陷最小化的方法。該方法包括如下步驟：向蝕刻腔內通入鹵素-貴族元素化合物氣體和載氣，在該蝕刻腔內進行熱氣相蝕刻工藝以蝕刻互連結構的非凹進區域上的阻擋層；檢測熱氣相蝕刻工藝的終點，如果熱氣相蝕刻工藝到達終點，則執行下一步驟，反之，如果熱氣相蝕刻工藝沒有到達終點，則返回到上一步驟；停止向蝕刻腔內通入鹵素-貴族元素化合物氣體和載氣。
简体摘要：本发明提供了一种去除阻挡层使侧壁凹陷最小化的方法。该方法包括如下步骤：向蚀刻腔内通入卤素-贵族元素化合物气体和载气，在该蚀刻腔内进行热气相蚀刻工艺以蚀刻互链接构的非凹进区域上的阻挡层；检测热气相蚀刻工艺的终点，如果热气相蚀刻工艺到达终点，则运行下一步骤，反之，如果热气相蚀刻工艺没有到达终点，则返回到上一步骤；停止向蚀刻腔内通入卤素-贵族元素化合物气体和载气。

2. 发明专利

TW201730382A 基板保持装置审中-公开
公开(公告)号：TW201730382A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105127291
申请日：2016-08-25
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 楊宏超 , YANG, HONG-CHAO , 吳均 , WU, JUN , 王堅 , WANG, JIAN
IPC分类号： C25D17/06
CPC分类号： C25D17/06 , C25D17/001 , H01L21/2885
摘要：本發明公開了一種基板保持裝置，該裝置包括杯形夾盤、密封件、夾盤板和豎直驅動裝置。杯形夾盤包括基部，基部具有底壁、側壁的外表面和側壁的內表面，基部的側壁的內表面傾斜向上突出形成支撐基板正面邊緣的支撐部。密封件包括底部、外壁和內壁，內壁設有唇形密封部，密封件的底部和外壁分別包裹住杯形夾盤基部的底壁和側壁的外表面，唇形密封部包裹杯形夾盤的支撐部以密封基板正面的邊緣。豎直驅動裝置與夾盤板連接，豎直驅動裝置驅動夾盤板下降或上升，以使夾盤板壓在基板的背面來夾持基板或使夾盤板離開基板的背面。
简体摘要：本发明公开了一种基板保持设备，该设备包括杯形夹盘、密封件、夹盘板和竖直驱动设备。杯形夹盘包括基部，基部具有底壁、侧壁的外表面和侧壁的内表面，基部的侧壁的内表面倾斜向上突出形成支撑基板正面边缘的支撑部。密封件包括底部、外壁和内壁，内壁设有唇形密封部，密封件的底部和外壁分别包裹住杯形夹盘基部的底壁和侧壁的外表面，唇形密封部包裹杯形夹盘的支撑部以密封基板正面的边缘。竖直驱动设备与夹盘板连接，竖直驱动设备驱动夹盘板下降或上升，以使夹盘板压在基板的背面来夹持基板或使夹盘板离开基板的背面。

3. 发明专利

TW201817502A 清洗襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：清洗衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201817502A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135566
申请日：2016-11-02
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12
摘要：本發明公開了一種使用超/兆聲波裝置有效清洗襯底上的通孔、槽或凹進區域的方法，包括：將液體噴射到襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡總體積和襯底上的通孔、槽或凹進區域的體積的比值增大到第一設定值後，設置超/兆聲波電源的頻率為f2，功率為P2以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡總體積和襯底上的通孔、槽或凹進區域的體積的比值減小到第二設定值後，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；重復以上步驟直到襯底洗淨。
简体摘要：本发明公开了一种使用超/兆声波设备有效清洗衬底上的通孔、槽或凹进区域的方法，包括：将液体喷射到衬底和超/兆声波设备之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波设备；在气泡总体积和衬底上的通孔、槽或凹进区域的体积的比值增大到第一设置值后，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波设备；在气泡总体积和衬底上的通孔、槽或凹进区域的体积的比值减小到第二设置值后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复以上步骤直到衬底洗净。

4. 发明专利

TW202003887A 電鍍設備及電鍍方法审中-公开
简体标题：电镀设备及电镀方法
公开(公告)号：TW202003887A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108115766
申请日：2019-05-07
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI , 楊宏超 , YANG, HONG-CHAO
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/54
摘要：本發明提出一種電鍍設備，在晶圓表面進行電鍍，該電鍍設備具有多個電極，多個電極在晶圓表面形成電場，其中在指定區域形成獨立電場，獨立電場的強度為獨立控制，當晶圓缺口處於指定區域時，晶圓缺口在指定區域內接收到的總電量降低。本發明還提出一種電鍍方法，使用具有多個電極的電鍍設備在晶圓表面進行電鍍，控制多個電極在晶圓表面形成電場，其中在指定區域形成獨立電場，獨立電場的強度為獨立控制，當晶圓缺口處於所述指定區域時，晶圓缺口在指定區域內接收到的總電量降低。該電鍍設備和電鍍方法，通過直接控制電場強弱的方式來控制晶圓缺口區域的電鍍高度，與單純依靠改變晶圓轉速的傳統方法相比，該控制更加準確可靠，且電鍍效率更高。
简体摘要：本发明提出一种电镀设备，在晶圆表面进行电镀，该电镀设备具有多个电极，多个电极在晶圆表面形成电场，其中在指定区域形成独立电场，独立电场的强度为独立控制，当晶圆缺口处于指定区域时，晶圆缺口在指定区域内接收到的总电量降低。本发明还提出一种电镀方法，使用具有多个电极的电镀设备在晶圆表面进行电镀，控制多个电极在晶圆表面形成电场，其中在指定区域形成独立电场，独立电场的强度为独立控制，当晶圆缺口处于所述指定区域时，晶圆缺口在指定区域内接收到的总电量降低。该电镀设备和电镀方法，通过直接控制电场强弱的方式来控制晶圆缺口区域的电镀高度，与单纯依靠改变晶圆转速的传统方法相比，该控制更加准确可靠，且电镀效率更高。

5. 发明专利

TW201824335A 加工互連結構使阻擋層側壁凹進最小化的方法审中-公开
简体标题：加工互链接构使阻挡层侧壁凹进最小化的方法
公开(公告)号：TW201824335A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105133106
申请日：2016-10-13
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/321
摘要：本發明揭示了一種加工互連結構使阻擋層側壁凹進最小化的方法，該方法包括以下步驟：步驟1，去除金屬層以在凹進區域內產生相同的凹陷值使位於凹進區域內的金屬層的頂面與硬掩膜層的底面對齊；步驟2，引入鹵素-貴族元素化合物氣體，採用氣相化學反應工藝去除位於頂面的第一阻擋層和至少一部分的位於側壁上的第二阻擋層，使側壁上的第二阻擋層的頂面與硬掩膜層的底面對齊；步驟3，引入氧化性氣體使位於側壁上的第二阻擋層的頂面產生阻擋層表面氧化，同時凹進區域內的金屬層的頂面產生金屬表面氧化；步驟4，引入鹵素-貴族元素化合物氣體，採用氣相化學反應工藝去除硬掩膜層；步驟5，還原或去除金屬表面氧化。
简体摘要：本发明揭示了一种加工互链接构使阻挡层侧壁凹进最小化的方法，该方法包括以下步骤：步骤1，去除金属层以在凹进区域内产生相同的凹陷值使位于凹进区域内的金属层的顶面与硬掩膜层的底面对齐；步骤2，引入卤素-贵族元素化合物气体，采用气相化学反应工艺去除位于顶面的第一阻挡层和至少一部分的位于侧壁上的第二阻挡层，使侧壁上的第二阻挡层的顶面与硬掩膜层的底面对齐；步骤3，引入氧化性气体使位于侧壁上的第二阻挡层的顶面产生阻挡层表面氧化，同时凹进区域内的金属层的顶面产生金属表面氧化；步骤4，引入卤素-贵族元素化合物气体，采用气相化学反应工艺去除硬掩膜层；步骤5，还原或去除金属表面氧化。

6. 发明专利

TW201817503A 襯底清洗方法及清洗裝置审中-公开
简体标题：衬底清洗方法及清洗设备
公开(公告)号：TW201817503A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135568
申请日：2016-11-02
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/02
摘要：本發明揭示了一種使用超/兆聲波裝置清洗襯底且不損傷襯底上的圖案化結構的方法，包括：將液體噴射到襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡內爆產生微噴射之後且在氣泡內爆產生的微噴射損傷襯底上的圖案化結構之前，設置超/兆聲波電源的頻率為f2，功率為P2以驅動超/兆聲波裝置；待氣泡內的溫度冷卻到設定溫度後，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；重復上述步驟直到襯底被洗淨。
简体摘要：本发明揭示了一种使用超/兆声波设备清洗衬底且不损伤衬底上的图案化结构的方法，包括：将液体喷射到衬底和超/兆声波设备之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波设备；在气泡内爆产生微喷射之后且在气泡内爆产生的微喷射损伤衬底上的图案化结构之前，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波设备；待气泡内的温度冷却到设置温度后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复上述步骤直到衬底被洗净。

7. 发明专利

TW201801210A 清潔半導體襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：清洁半导体衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201801210A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119588
申请日：2016-06-22
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王俊 , WANG, JUN , 王暉 , WANG, HUI , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 王堅 , WANG, JIAN , 王希 , WANG, XI , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 謝良智 , XIE, LIANG-ZHI , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/02
摘要：一種使用超聲波或兆聲波裝置清洗半導體襯底且不損傷半導體襯底上的圖案化結構的方法，包括：將液體噴射到半導體襯底和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙中；設置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超聲波或兆聲波裝置；在液體中的氣穴振盪損傷半導體襯底上的圖案化結構之前，設置超聲波或兆聲波電源的輸出為零；待氣泡內的溫度下降到設定溫度後，再次設置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；分別檢測頻率為f1，功率為P1時的通電時間和斷電時間或者檢測超聲波或兆聲波電源每個輸出波形的振幅；將檢測到的通電時間和預設時間T1進行比較，或者將檢測到的斷電時間和預設時間T2進行比較，或者將檢測到的每個波形的振幅和預設值進行比較；如果檢測到的通電時間比預設時間T1長，或者檢測到的斷電時間比預設時間T2短，或者檢測到的任一波形的振幅比預設值大，則關閉超聲波或兆聲波電源並發出報警信號。
简体摘要：一种使用超声波或兆声波设备清洗半导体衬底且不损伤半导体衬底上的图案化结构的方法，包括：将液体喷射到半导体衬底和超声波或兆声波设备之间的间隙中；设置超声波或兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超声波或兆声波设备；在液体中的气穴振荡损伤半导体衬底上的图案化结构之前，设置超声波或兆声波电源的输出为零；待气泡内的温度下降到设置温度后，再次设置超声波或兆声波电源的频率为f1，功率为P1；分别检测频率为f1，功率为P1时的通电时间和断电时间或者检测超声波或兆声波电源每个输出波形的振幅；将检测到的通电时间和默认时间T1进行比较，或者将检测到的断电时间和默认时间T2进行比较，或者将检测到的每个波形的振幅和默认值进行比较；如果检测到的通电时间比默认时间T1长，或者检测到的断电时间比默认时间T2短，或者检测到的任一波形的振幅比默认值大，则关闭超声波或兆声波电源并发出报警信号。

8. 发明专利

TWI698291B 襯底清洗方法及清洗裝置有权
简体标题：衬底清洗方法及清洗设备
公开(公告)号：TWI698291B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105135568
申请日：2016-11-02
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/02

9. 发明专利

TWI695743B 清洗襯底的方法和裝置有权
简体标题：清洗衬底的方法和设备
公开(公告)号：TWI695743B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW105135566
申请日：2016-11-02
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12

10. 发明专利

TWI691619B 基板保持裝置有权
简体标题：基板保持设备
公开(公告)号：TWI691619B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105127291
申请日：2016-08-25
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 楊宏超 , YANG, HONG-CHAO , 吳均 , WU, JUN , 王堅 , WANG, JIAN
IPC分类号： C25D17/06

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式