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1. 发明专利

TWI405608B 表面處理方法以及被表面處理的物品有权
简体标题：表面处理方法以及被表面处理的物品
公开(公告)号：TWI405608B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW095110248
申请日：2006-03-24
申请人：三菱麗陽股份有限公司 , MITSUBISHI RAYON CO., LTD. , 國立大學法人愛媛大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION EHIME UNIVERSITY
发明人：上西理玄 , UENISHI, MASAMOTO , 野村信福 , NOMURA, SHINFUKU , 豊田洋通 , TOYOTA, HIROMICHI
IPC分类号： B01J19/08 , H05H1/24
CPC分类号： B01D65/02 , A61L2/14 , B01D2321/2075 , C23G5/00 , H01L21/02054 , H01L21/02315 , H01L21/3065 , H05H1/00 , H05H1/24

2. 发明专利

TW201401431A 具有冷卻底座之靜電夾盤审中-公开
简体标题：具有冷却底座之静电夹盘
公开(公告)号：TW201401431A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102113789
申请日：2013-04-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 坦汀汪凱爾 , TANTIWONG, KYLE
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H05H1/00 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724
摘要：本發明提供一種用於諸如電漿蝕刻腔室之電漿處理腔室的具有冷卻底座之靜電夾盤(electrostatic chuck;ESC)。ESC總成包括2級設計，其中熱轉移流體入口(供應)及熱轉移流體出口(回流)處於相同實體平面中。該2級設計包括底座總成，陶瓷(例如，AlN)經安置於該底座總成上。該底座安置於擴散器之上，該擴散器可在夾盤區域之上具有數百個小孔，以提供熱轉移流體之均勻分配。儲水槽板經固定至擴散器，該儲水槽板係用以在擴散器與儲水槽板之間提供將流體供應至擴散器之儲水槽。經由擴散器回流之熱轉移流體通過儲水槽板。
简体摘要：本发明提供一种用于诸如等离子蚀刻腔室之等离子处理腔室的具有冷却底座之静电夹盘(electrostatic chuck;ESC)。ESC总成包括2级设计，其中热转移流体入口(供应)及热转移流体出口(回流)处于相同实体平面中。该2级设计包括底座总成，陶瓷(例如，AlN)经安置于该底座总成上。该底座安置于扩散器之上，该扩散器可在夹盘区域之上具有数百个小孔，以提供热转移流体之均匀分配。储水槽板经固定至扩散器，该储水槽板系用以在扩散器与储水槽板之间提供将流体供应至扩散器之储水槽。经由扩散器回流之热转移流体通过储水槽板。

3. 发明专利

TW201306162A 處理裝置审中-公开
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TW201306162A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101110817
申请日：2012-03-28
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：長田智明 , OSADA, TOMOAKI , 長谷川雅己 , HASEGAWA, MASAMI
IPC分类号： C23C16/507 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/00 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01L21/67069 , H01L21/6719
摘要：本發明提供對於生產性的提高有利的技術。處理裝置，於處理基板的處理空間具備：支撐前述基板的基板支撐部，包含具有開口部的屋頂部而由外部空間區隔出前述處理空間的第1區隔構件，及以閉塞前述開口部而與前述第1區隔構件一起由前述外部空間區隔出前述處理空間的方式被安裝於前述第1區隔構件的第2區隔構件。前述第2區隔構件，以朝向前述屋頂部的下面所朝向的空間藉由使前述第2區隔構件移動而使前述第2區隔構件由前述第1區隔構件取下的方式，安裝於前述第1區隔構件。
简体摘要：本发明提供对于生产性的提高有利的技术。处理设备，于处理基板的处理空间具备：支撑前述基板的基板支撑部，包含具有开口部的屋顶部而由外部空间区隔出前述处理空间的第1区隔构件，及以闭塞前述开口部而与前述第1区隔构件一起由前述外部空间区隔出前述处理空间的方式被安装于前述第1区隔构件的第2区隔构件。前述第2区隔构件，以朝向前述屋顶部的下面所朝向的空间借由使前述第2区隔构件移动而使前述第2区隔构件由前述第1区隔构件取下的方式，安装于前述第1区隔构件。

4. 发明专利

TW201215252A 感應耦合電漿產生裝置审中-公开
简体标题：感应耦合等离子产生设备
公开(公告)号：TW201215252A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100119300
申请日：2011-06-01
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：松田龍一 , 西川誠二
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/00 , H01J37/321 , H01J37/32183 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要：本發明提供一種可同時實現較廣之匹配範圍與損耗之降低之感應耦合電漿產生裝置。於將來自高頻電源11之高頻波經由使阻抗匹配之匹配器12而供給至天線14,並藉由來自天線14之電磁波於真空容器內生成電漿之感應耦合電漿產生裝置中,使用L型匹配電路作為匹配器12,並且於該L型匹配電路中之較電容器C1、C2更接近於天線14之位置上,與天線14並列地設置電容器C3。
简体摘要：本发明提供一种可同时实现较广之匹配范围与损耗之降低之感应耦合等离子产生设备。于将来自高频电源11之高频波经由使阻抗匹配之匹配器12而供给至天线14,并借由来自天线14之电磁波于真空容器内生成等离子之感应耦合等离子产生设备中,使用L型匹配电路作为匹配器12,并且于该L型匹配电路中之较电容器C1、C2更接近于天线14之位置上,与天线14并列地设置电容器C3。

5. 发明专利

TW201633401A 使用金屬氧化物微粒子作為變色層的電漿處理檢測指示劑审中-公开
简体标题：使用金属氧化物微粒子作为变色层的等离子处理检测指示剂
公开(公告)号：TW201633401A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104139747
申请日：2015-11-27
申请人：櫻花彩色筆股份有限公司 , SAKURA COLOR PRODUCTS CORPORATION
发明人：菱川敬太 , HISHIKAWA, KEITA , 釆山和弘 , UNEYAMA, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L21/31 , C23C14/22 , C23C14/52 , C23C16/44 , C23C16/50 , H05H1/00
CPC分类号： H01L21/67253 , C01G29/00 , C01G31/02 , C01G39/02 , C01G41/02 , C09D11/037 , C09D11/50 , C23C14/52 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C24/085 , C23C28/04 , C23C28/042 , C23C28/322 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/40 , G01N21/75 , G01N21/78 , G01N21/783 , G01N31/223 , G01N31/226 , G01N2021/751 , H01J37/244 , H01J37/32917 , H01J37/32935 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/32136 , H05H1/00
摘要：本發明係提供一種電漿處理檢測指示劑，其係具有藉由電漿處理而變色之變色層的指示劑，且可將因電漿處理所導致變色層氣體化或形成為微細碎屑而飛散之情形，抑制到不會影響到電子設備特性的程度，並且，具有良好耐熱性者。本發明，具體而言，係提供一種電漿處理檢測指示劑，其特徵為其係具有藉由電漿處理而變色之變色層的電漿處理檢測指示劑；且前述變色層係含有金屬氧化物微粒子；前述金屬氧化物微粒子係含選自Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi所成群中至少一種元素且平均粒徑為50μm以下者。
简体摘要：本发明系提供一种等离子处理检测指示剂，其系具有借由等离子处理而变色之变色层的指示剂，且可将因等离子处理所导致变色层气体化或形成为微细碎屑而飞散之情形，抑制到不会影响到电子设备特性的程度，并且，具有良好耐热性者。本发明，具体而言，系提供一种等离子处理检测指示剂，其特征为其系具有借由等离子处理而变色之变色层的等离子处理检测指示剂；且前述变色层系含有金属氧化物微粒子；前述金属氧化物微粒子系含选自Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi所成群中至少一种元素且平均粒径为50μm以下者。

6. 发明专利

TWI490975B 處理裝置有权
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TWI490975B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW101110817
申请日：2012-03-28
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：長田智明 , OSADA, TOMOAKI , 長谷川雅己 , HASEGAWA, MASAMI
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/507 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/00 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01L21/67069 , H01L21/6719

7. 发明专利

TW201401424A 分散式靜電夾盤之冷卻审中-公开
简体标题：分佈式静电夹盘之冷却
公开(公告)号：TW201401424A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102114221
申请日：2013-04-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：席門瑞費南多 , SILVEIRA, FERNANDO , 佛菲爾理查 , FOVELL, RICHARD , 塔法梭利哈米德 , TAVASSOLI, HAMID
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/00 , H01J37/32724 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要：本發明之實施例包括在電漿處理過程中用以冷卻支撐工件的基座之設備、系統和方法。基座之實施例包括：底座，該工件係將被配置於該底座上方；複數個噴嘴，用以從供應氣室供應流體來非平行地撞擊於該底座之表面上；以及複數個返回管道，用以將供應的流體送回到返回氣室。將由該複數個噴嘴供應的流體可以在介於該複數個噴嘴和該底座之間的空間內被噴射成一或更多個淹沒於周圍流體中的射流，或被噴射成從周圍流體浮現的噴霧，以撞擊於該底座之該表面上。
简体摘要：本发明之实施例包括在等离子处理过程中用以冷却支撑工件的基座之设备、系统和方法。基座之实施例包括：底座，该工件系将被配置于该底座上方；复数个喷嘴，用以从供应气室供应流体来非平行地撞击于该底座之表面上；以及复数个返回管道，用以将供应的流体送回到返回气室。将由该复数个喷嘴供应的流体可以在介于该复数个喷嘴和该底座之间的空间内被喷射成一或更多个淹没于周围流体中的射流，或被喷射成从周围流体浮现的喷雾，以撞击于该底座之该表面上。

8. 发明专利

TW200637648A 表面處理方法以及被表面處理的物品 SURFACE MODIFICATION METHOD AND SURFACE-MODIFIED ARTICLE 审中-公开
简体标题：表面处理方法以及被表面处理的物品 SURFACE MODIFICATION METHOD AND SURFACE-MODIFIED ARTICLE
公开(公告)号：TW200637648A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：TW095110248
申请日：2006-03-24
申请人：三菱麗陽股份有限公司 MITSUBISHI RAYON CO., LTD. , 國立大學法人愛媛大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION EHIME UNIVERSITY
发明人：上西理玄 UENISHI, MASAMOTO , 野村信福 NOMURA, SHINFUKU , 豊田洋通 TOYOTA, HIROMICHI
IPC分类号： B01J , H05H
CPC分类号： B01D65/02 , A61L2/14 , B01D2321/2075 , C23G5/00 , H01L21/02054 , H01L21/02315 , H01L21/3065 , H05H1/00 , H05H1/24
摘要：本發明提供一種表面處理方法，其使含水液體11中水蒸氣氣泡17內產生的電漿，於該液體11中接觸對水的接觸角小於等於90度的物品15。又，使電漿接觸附著於物品15的有機物，並自材料上去除有機物。藉以使電漿接觸物品15，而可蝕刻材料表面，且不會破壞物品15。物品15亦可包括具有對水的接觸角大於90度的疏水性部分與小於等於90度的親水性部分兩者的材料，且使電漿接觸物品15僅蝕刻其疏水性部分。
简体摘要：本发明提供一种表面处理方法，其使含水液体11中水蒸气气泡17内产生的等离子，于该液体11中接触对水的接触角小于等于90度的物品15。又，使等离子接触附着于物品15的有机物，并自材料上去除有机物。借以使等离子接触物品15，而可蚀刻材料表面，且不会破坏物品15。物品15亦可包括具有对水的接触角大于90度的疏水性部分与小于等于90度的亲水性部分两者的材料，且使等离子接触物品15仅蚀刻其疏水性部分。

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