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1. 发明专利

TW201301387A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201301387A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101110815
申请日：2012-03-28
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：吉田達彥 , YOSHIDA, TATSUHIKO , 長谷川雅己 , HASEGAWA, MASAMI , 長田智明 , OSADA, TOMOAKI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/32559 , H05H2001/463
摘要：以電漿處理基板的基板處理裝置，其特徵為具備：容器，其係具有形成供處理基板之用的處理空間之第1容器構件，以及在被安裝於第1容器構件的狀態下形成與處理空間連通的電漿生成用的電漿生成空間之第2容器構件；氣體導入部，係對容器導入氣體；電漿生成部，係被射於容器的外部空間，具有藉由來自電源的高頻電壓的供電導致的電場激發電漿生成空間內的氣體的天線；以及基板保持部，係於處理空間可以保持基板。在被配置於與天線接近的位置之第2容器構件的表面形成含有半導體材料的覆蓋膜。
简体摘要：以等离子处理基板的基板处理设备，其特征为具备：容器，其系具有形成供处理基板之用的处理空间之第1容器构件，以及在被安装于第1容器构件的状态下形成与处理空间连通的等离子生成用的等离子生成空间之第2容器构件；气体导入部，系对容器导入气体；等离子生成部，系被射于容器的外部空间，具有借由来自电源的高频电压的供电导致的电场激发等离子生成空间内的气体的天线；以及基板保持部，系于处理空间可以保持基板。在被配置于与天线接近的位置之第2容器构件的表面形成含有半导体材料的覆盖膜。

2. 发明专利

TWI490975B 處理裝置有权
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TWI490975B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW101110817
申请日：2012-03-28
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：長田智明 , OSADA, TOMOAKI , 長谷川雅己 , HASEGAWA, MASAMI
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/507 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/00 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01L21/67069 , H01L21/6719

3. 发明专利

TWI481317B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI481317B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW100143742
申请日：2011-11-29
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：池田真義 , IKEDA, MASAYOSHI , 坂本清尚 , SAKAMOTO, KIYOTAKA , 澤田明宏 , SAWADA, AKIHIRO , 佐護康實 , SAGO, YASUMI , 長谷川雅己 , HASEGAWA, MASAMI , 栗田資三 , KURITA, MOTOZO
IPC分类号： H05H1/46 , H05H1/02
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32669 , H05H2001/4667

4. 发明专利

TWI495002B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI495002B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW101110815
申请日：2012-03-28
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：吉田達彥 , YOSHIDA, TATSUHIKO , 長谷川雅己 , HASEGAWA, MASAMI , 長田智明 , OSADA, TOMOAKI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/32559 , H05H2001/463

5. 发明专利

TW201306162A 處理裝置审中-公开
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TW201306162A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101110817
申请日：2012-03-28
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：長田智明 , OSADA, TOMOAKI , 長谷川雅己 , HASEGAWA, MASAMI
IPC分类号： C23C16/507 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/00 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01L21/67069 , H01L21/6719
摘要：本發明提供對於生產性的提高有利的技術。處理裝置，於處理基板的處理空間具備：支撐前述基板的基板支撐部，包含具有開口部的屋頂部而由外部空間區隔出前述處理空間的第1區隔構件，及以閉塞前述開口部而與前述第1區隔構件一起由前述外部空間區隔出前述處理空間的方式被安裝於前述第1區隔構件的第2區隔構件。前述第2區隔構件，以朝向前述屋頂部的下面所朝向的空間藉由使前述第2區隔構件移動而使前述第2區隔構件由前述第1區隔構件取下的方式，安裝於前述第1區隔構件。
简体摘要：本发明提供对于生产性的提高有利的技术。处理设备，于处理基板的处理空间具备：支撑前述基板的基板支撑部，包含具有开口部的屋顶部而由外部空间区隔出前述处理空间的第1区隔构件，及以闭塞前述开口部而与前述第1区隔构件一起由前述外部空间区隔出前述处理空间的方式被安装于前述第1区隔构件的第2区隔构件。前述第2区隔构件，以朝向前述屋顶部的下面所朝向的空间借由使前述第2区隔构件移动而使前述第2区隔构件由前述第1区隔构件取下的方式，安装于前述第1区隔构件。

6. 发明专利

TW201249262A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201249262A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100143742
申请日：2011-11-29
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：池田真義 , 坂本清尚 , 澤田明宏 , 佐護康實 , 長谷川雅己 , 栗田資三
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32669 , H05H2001/4667
摘要： [課題]提供一種:能夠對於電漿密度分布之偏差作修正並將基板均一地進行處理之電漿處理裝置。[解決手段]具備有對於被配置在減壓容器內之基板進行電漿處理的構成,減壓容器,係在外側周圍處被配置有環狀天線,並由產生電漿之電力供給容器、和與電力供給容器內相通的被配置有基板之處理容器所成。在電力供給容器內,係藉由被供給至環狀天線處之高頻電力而產生電漿。所產生了的電漿,係藉由被配置在環狀天線外周部處之螺旋管線圈的磁場,而朝向處理容器內擴散。藉由用以調整此螺旋管線圈之相對於處理基板的傾斜度之傾斜調整手段,來對於藉由螺旋管線圈所產生之磁場的傾斜度作調整,而進行基板處理。
简体摘要： [课题]提供一种:能够对于等离子密度分布之偏差作修正并将基板均一地进行处理之等离子处理设备。[解决手段]具备有对于被配置在减压容器内之基板进行等离子处理的构成,减压容器,系在外侧周围处被配置有环状天线,并由产生等离子之电力供给容器、和与电力供给容器内相通的被配置有基板之处理容器所成。在电力供给容器内,系借由被供给至环状天线处之高频电力而产生等离子。所产生了的等离子,系借由被配置在环状天线外周部处之螺旋管线圈的磁场,而朝向处理容器内扩散。借由用以调整此螺旋管线圈之相对于处理基板的倾斜度之倾斜调整手段,来对于借由螺旋管线圈所产生之磁场的倾斜度作调整,而进行基板处理。

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