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1. 发明专利

TWI693860B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI693860B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107121814
申请日：2018-06-26
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：関谷一成 , SEKIYA, KAZUNARI , 田名部正治 , TANABE, MASAHARU , 井上忠 , INOUE, TADASHI , 笹本浩 , SASAMOTO, HIROSHI , 佐藤辰憲 , SATO, TATSUNORI , 土屋信昭 , TSUCHIYA, NOBUAKI
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/34

2. 发明专利

TW201946718A 利用液滴聚集雷射光之加工裝置及其加工方法审中-公开
简体标题：利用液滴聚集激光光之加工设备及其加工方法
公开(公告)号：TW201946718A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW107116798
申请日：2018-05-17
申请人：國立雲林科技大學 , NATIONAL YUNLIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：張元震 , CHANG, YUAN-JEN , 周士涵 , 張勇祥
IPC分类号： B23K26/00 , H05G2/00 , H05H1/24 , H05H1/42
摘要：本發明係包括一工作部及一雷射光源。工作部係具有一工作空間，用以設一待加工物。待加工物具有一工作表面，用以披覆一工作液，工作液係為一高分子材料及一溶劑之混合液。利用呼吸圖法，使工作液於溶劑揮發後變成一高分子膜，並於高分子膜上冷凝出複數液滴，而形成一透鏡部。雷射光源用以朝透鏡部發出一雷射光，進而聚集於工作表面上，使工作表面形成至少一雷射加工凹部。故，本案達到改變液滴形狀或排列方式即可輕易控制改變雷射聚集或加工條件，及非平面結構也可進行雷射加工微奈米孔洞等優點。
简体摘要：本发明系包括一工作部及一激光光源。工作部系具有一工作空间，用以设一待加工物。待加工物具有一工作表面，用以披覆一工作液，工作液系为一高分子材料及一溶剂之混合液。利用呼吸图法，使工作液于溶剂挥发后变成一高分子膜，并于高分子膜上冷凝出复数液滴，而形成一透镜部。激光光源用以朝透镜部发出一激光光，进而聚集于工作表面上，使工作表面形成至少一激光加工凹部。故，本案达到改变液滴形状或排列方式即可轻易控制改变激光聚集或加工条件，及非平面结构也可进行激光加工微奈米孔洞等优点。

3. 发明专利

TWI674616B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI674616B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW106102650
申请日：2017-01-24
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：池田紀彥 , IKEDA, NORIHIKO , 安井尚輝 , YASUI, NAOKI
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/24

4. 发明专利

TWI669757B 蝕刻方法有权
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TWI669757B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW104133039
申请日：2015-10-07
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：竹谷考司 , TAKEYA, KOJI , 西村和晃 , NISHIMURA, KAZUAKI , 高橋信博 , TAKAHASHI, NOBUHIRO , 松永淳一郎 , MATSUNAGA, JUNICHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/24

5. 发明专利

TW201919548A 活性氣體照射裝置审中-公开
简体标题：活性气体照射设备
公开(公告)号：TW201919548A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107130674
申请日：2018-08-31
申请人：日商積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：長原悠 , NAGAHARA, YU , 瀧川喜重 , TAKIKAWA, YOSHISHIGE , 大下貴也 , OSHITA, TAKAYA , 上原剛 , UEHARA, TSUYOSHI
IPC分类号： A61C1/08 , A61C17/00 , A61C17/02 , A61C19/04 , H05H1/24
摘要：本發明之活性氣體照射裝置100具備：電漿產生部12；噴嘴1，其噴出藉由電漿產生部12產生之電漿而活化的活性氣體；及光源部50，其朝噴嘴1之前端之前方之任意位置發出光。該活性氣體照射裝置100較佳為進而具備控制部，該控制部使電漿產生部之電漿產生與上述光源部之發光同步。
简体摘要：本发明之活性气体照射设备100具备：等离子产生部12；喷嘴1，其喷出借由等离子产生部12产生之等离子而活化的活性气体；及光源部50，其朝喷嘴1之前端之前方之任意位置发出光。该活性气体照射设备100较佳为进而具备控制部，该控制部使等离子产生部之等离子产生与上述光源部之发光同步。

6. 发明专利

TW201906585A 醫療用治療器具、醫療用治療器具之使用方法及活性氣體之照射方法审中-公开
简体标题：医疗用治疗器具、医疗用治疗器具之使用方法及活性气体之照射方法
公开(公告)号：TW201906585A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107120786
申请日：2018-06-15
申请人：日商積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大下貴也 , OSHITA, TAKAYA , 上原剛 , UEHARA, TSUYOSHI , 長原悠 , NAGAHARA, YU , 瀧川喜重 , TAKIKAWA, YOSHISHIGE
IPC分类号： A61C17/022 , H05H1/24
摘要：本發明係一種醫療用治療器具100，其係產生電漿並將藉由所產生之電漿而生成之活性氣體自照射口照射者，且上述活性氣體在位於自上述照射口起1mm以上且10mm以下之距離內之被照射面的溫度為40℃以下，且自由基濃度為0.1~300μmol/L。自由基濃度係以下述方式求出。對於0.4mL之DMPO(5,5-二甲基-1-吡咯啉-N-氧化物)0.2mol/L溶液，將自照射口至液面之距離設為5.0mm，照射活性氣體30秒後，藉由電子自旋共振(ESR)法對經活性氣體照射之上述溶液測定羥基自由基濃度，而將其作為自由基濃度。
简体摘要：本发明系一种医疗用治疗器具100，其系产生等离子并将借由所产生之等离子而生成之活性气体自照射口照射者，且上述活性气体在位于自上述照射口起1mm以上且10mm以下之距离内之被照射面的温度为40℃以下，且自由基浓度为0.1~300μmol/L。自由基浓度系以下述方式求出。对于0.4mL之DMPO(5,5-二甲基-1-吡咯啉-N-氧化物)0.2mol/L溶液，将自照射口至液面之距离设为5.0mm，照射活性气体30秒后，借由电子自旋共振(ESR)法对经活性气体照射之上述溶液测定羟基自由基浓度，而将其作为自由基浓度。

7. 发明专利

TWI645440B 電漿處理裝置、熱電子產生器、電漿點燃裝置及其方法有权
简体标题：等离子处理设备、热电子产生器、等离子点燃设备及其方法
公开(公告)号：TWI645440B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW106108414
申请日：2017-03-14
申请人：大陸商中微半導體設備(上海)有限公司 , ADVANCED MICRO-FABRICATION EQUIPMENT INC.
发明人：劉季霖 , 吳狄
IPC分类号： H01J37/075 , H05H1/24

8. 发明专利

TW201842576A 蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TW201842576A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107107420
申请日：2018-03-06
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大內健次 , OUCHI, KENJI
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/24
摘要： [課題]提供可以充分維持圖案形狀之同時，可以將順著該形狀之層容易積層於圖案上的技術。　　[解決手段]對被處理體的一實施形態的蝕刻方法中，被處理體包含主面、溝部、及膜，溝部設置於主面，膜將主面及溝部的表面覆蓋，該方法具備：將被處理體收納於處理室內的第1工程；開始對處理室內供給第1氣體之第2工程；及對處理室內供給第2氣體與電漿生成用高頻電力並使基於包含第2氣體的處理室內的氣體之電漿在處理室內生成而開始處理的第3工程；第1氣體為含有不包含氫原子之氧化劑的氣體，第2氣體為含有包含矽原子及氟原子且不包含氫原子之化合物的氣體，膜的材料為可以使用氟進行乾蝕刻之材料，僅覆蓋溝部的表面之膜被選擇性除去。
简体摘要： [课题]提供可以充分维持图案形状之同时，可以将顺着该形状之层容易积层于图案上的技术。　　[解决手段]对被处理体的一实施形态的蚀刻方法中，被处理体包含主面、沟部、及膜，沟部设置于主面，膜将主面及沟部的表面覆盖，该方法具备：将被处理体收纳于处理室内的第1工程；开始对处理室内供给第1气体之第2工程；及对处理室内供给第2气体与等离子生成用高频电力并使基于包含第2气体的处理室内的气体之等离子在处理室内生成而开始处理的第3工程；第1气体为含有不包含氢原子之氧化剂的气体，第2气体为含有包含硅原子及氟原子且不包含氢原子之化合物的气体，膜的材料为可以使用氟进行干蚀刻之材料，仅覆盖沟部的表面之膜被选择性除去。

9. 发明专利

TW201840295A 成膜方法、成膜裝置以及醫療用器具审中-公开
简体标题：成膜方法、成膜设备以及医疗用器具
公开(公告)号：TW201840295A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107107408
申请日：2018-03-06
申请人：日商STRAWB股份有限公司 , STRAWB INC. , 學校法人加計學園 , KAKE EDUCATIONAL INSTITUTION , 國立大學法人岡山大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION OKAYAMA UNIVERSITY
发明人：今井裕一 , IMAI, YUICHI , 中谷達行 , NAKATANI, TATSUYUKI , 大澤晋 , OZAWA, SUSUMU , 藤井泰宏 , FUJII, YASUHIRO , 内田治仁 , UCHIDA, HARUHITO
IPC分类号： A61F2/06 , H05H1/24 , A61M25/00
摘要：本發明旨在提供一種成膜方法，其包括以下步驟：將非導電性細長管102配置在內部壓力可調節的腔室101內且供給含烴的原料氣體，在該狀態下，在細長管102的內部生成電漿，從而在細長管102的內壁面上形成類鑽碳鍍膜。在細長管102的一端部佈置有放電電極125，細長管102的另一端部敞開，以該狀態將細長管102配置在腔室101內，間歇地將交流偏壓施加在放電電極125和相對電極126之間，相對電極126與細長管102之間保持有距離。
简体摘要：本发明旨在提供一种成膜方法，其包括以下步骤：将非导电性细长管102配置在内部压力可调节的腔室101内且供给含烃的原料气体，在该状态下，在细长管102的内部生成等离子，从而在细长管102的内壁面上形成类钻碳镀膜。在细长管102的一端部布置有放电电极125，细长管102的另一端部敞开，以该状态将细长管102配置在腔室101内，间歇地将交流偏压施加在放电电极125和相对电极126之间，相对电极126与细长管102之间保持有距离。

10. 发明专利

TW201832466A 驅動電路以及阻抗整合裝置审中-公开
简体标题：驱动电路以及阻抗集成设备
公开(公告)号：TW201832466A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106139887
申请日：2017-11-17
申请人：日商達誼恆股份有限公司 , DAIHEN CORPORATION
发明人：森井龍哉 , MORII, TATSUYA , 中濱真之 , NAKAHAMA, MASAYUKI
IPC分类号： H03H7/38 , H05H1/24 , H05H1/46
摘要：提供可以抑制熱切換(Hot Switching)引起的PIN 二極體的可靠性下降的驅動電路以及使用上述驅動電路的阻抗整合裝置。轉換PIN二極體D的ON(通)狀態與OFF(斷) 狀態的驅動電路A1，包括切換元件SH及切換元件SL、驅動電源、以及調整PIN二極體D的順向電流的電流限制電阻R。於是，切換元件SH是ON狀態，而且切換元件SL是OFF狀態時，從上述驅動電源，經由電流限制電阻R，對PIN二極體D施加順向電壓，使PIN二極體D成為ON狀態，切換元件SH是OFF狀態，而且切換元件SL是ON狀態時，從上述驅動電源，不經由電流限制電阻R，對PIN二極體D施加逆向電壓，使PIN二極體D成為OFF狀態。
简体摘要：提供可以抑制热切换(Hot Switching)引起的PIN 二极管的可靠性下降的驱动电路以及使用上述驱动电路的阻抗集成设备。转换PIN二极管D的ON(通)状态与OFF(断) 状态的驱动电路A1，包括切换组件SH及切换组件SL、驱动电源、以及调整PIN二极管D的顺向电流的电流限制电阻R。于是，切换组件SH是ON状态，而且切换组件SL是OFF状态时，从上述驱动电源，经由电流限制电阻R，对PIN二极管D施加顺向电压，使PIN二极管D成为ON状态，切换组件SH是OFF状态，而且切换组件SL是ON状态时，从上述驱动电源，不经由电流限制电阻R，对PIN二极管D施加逆向电压，使PIN二极管D成为OFF状态。

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