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1. 发明专利

TWI700776B 用於電漿處理系統的高溫夾盤有权
简体标题：用于等离子处理系统的高温夹盘
公开(公告)号：TWI700776B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105101264
申请日：2016-01-15
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 馬立克蘇坦 , MALIK, SULTAN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 羅伊珊胡N , ROY, SHAMBHU N. , 小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 曹台昇 , CHO, TAE SEUNG , 朴書南 , PARK, SOONAM , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/673

2. 发明专利

TWI696211B 用於半導體處理的氣體分配噴頭有权
简体标题：用于半导体处理的气体分配喷头
公开(公告)号：TWI696211B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW106113382
申请日：2017-04-21
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：恩蓋葉安哈N , NGUYEN, ANH N. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 薩米爾梅莫特圖格魯爾 , SAMIR, MEHMET TUGRUL
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/67

3. 发明专利

TWI673821B 基板支撐系統有权
简体标题：基板支撑系统
公开(公告)号：TWI673821B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW103129966
申请日：2014-08-29
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/683

4. 发明专利

TWI672399B 作為鋁半導體製程設備之阻障層的鋁電鍍和氧化物形成有权
简体标题：作为铝半导体制程设备之阻障层的铝电镀和氧化物形成
公开(公告)号：TWI672399B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW106105550
申请日：2017-02-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕利克尤基塔 , PAREEK, YOGITA , 卡利塔拉克希瓦 , KALITA, LAKSHESWAR , 班傑葛堤卡 , BAJAJ, GEETIKA , 帕克凱文A , PAPKE, KEVIN A. , 卡丹安庫 , KADAM, ANKUR , 塔庫爾畢平 , THAKUR, BIPIN , 林一莘 , LIN, YIXING , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 葛拉迪亞皮耶納A , GORADIA, PRERNA A.
IPC分类号： C25D3/44 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D7/12 , H01L21/02 , H01L21/28

5. 实用新型

TWM583122U 用於電漿過濾的半導體處理腔室有权
简体标题：用于等离子过滤的半导体处理腔室
公开(公告)号：TWM583122U
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107214415
申请日：2018-10-24
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴壽南 , PARK, SOONAM , 崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 卡寧尼可萊 , KALNIN, NIKOLAI , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 德法拉康達阿奇爾 , DEVARAKONDA, AKHIL
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/00

6. 发明专利

TWI670783B 增進製程均勻性的方法及系統有权
简体标题：增进制程均匀性的方法及系统
公开(公告)号：TWI670783B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104138764
申请日：2015-11-23
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：辛沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 曹永崙 , TSO, ALAN , 張景春 , ZHANG, JINGCHUN , 李資慧 , LI, ZIHUI , 張漢申 , ZHANG, HANSHEN , 露波默斯基德米翠 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065

7. 发明专利

TW201841287A 用於多壓力建制的使用同心泵送的設備审中-公开
简体标题：用于多压力建制的使用同心泵送的设备
公开(公告)号：TW201841287A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103200
申请日：2018-01-30
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡寧尼可萊尼古拉耶維奇 , KALNIN, NIKOLAI NIKOLAEVICH , 崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
摘要：此處揭露用於基板處理設備的排放模組，具有一主體、一泵送環及一對稱流動閥。該主體具有經過該主體形成的第一及第二真空泵送開口。在該主體中在該第一及該第二真空泵送開口兩者上放置該泵送環。該泵送環包含具有一頂部表面、一底部表面及一開口的一實質環形主體。該頂部表面具有在該頂部表面中形成的一個或更多個穿孔，排列成與該第一真空泵送開口同心的一圖案。該底部表面具有在該底部表面中形成的一流體通路，內部連接該一個或更多個穿孔之每一者。在該實質環形主體中形成該開口，該開口實質上與該真空泵送開口對齊。在該主體中在該泵送環上放置該對稱流動閥，該對稱流動閥可在一升高位置及一降低位置之間移動。
简体摘要：此处揭露用于基板处理设备的排放模块，具有一主体、一泵送环及一对称流动阀。该主体具有经过该主体形成的第一及第二真空泵送开口。在该主体中在该第一及该第二真空泵送开口两者上放置该泵送环。该泵送环包含具有一顶部表面、一底部表面及一开口的一实质环形主体。该顶部表面具有在该顶部表面中形成的一个或更多个穿孔，排列成与该第一真空泵送开口同心的一图案。该底部表面具有在该底部表面中形成的一流体通路，内部连接该一个或更多个穿孔之每一者。在该实质环形主体中形成该开口，该开口实质上与该真空泵送开口对齐。在该主体中在该泵送环上放置该对称流动阀，该对称流动阀可在一升高位置及一降低位置之间移动。

8. 发明专利

TWI610360B 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器有权
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TWI610360B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW103136175
申请日：2014-10-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK, JONGHOON , 朴秀南 , PARK SOONAM , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/30 , C23C16/513
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/503 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32532 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32697 , H01J2237/334

9. 发明专利

TW201800619A 作為鋁半導體製程設備之阻障層的鋁電鍍和氧化物形成审中-公开
简体标题：作为铝半导体制程设备之阻障层的铝电镀和氧化物形成
公开(公告)号：TW201800619A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106105550
申请日：2017-02-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕利克尤基塔 , PAREEK, YOGITA , 卡利塔拉克希瓦 , KALITA, LAKSHESWAR , 班傑葛堤卡 , BAJAJ, GEETIKA , 帕克凱文A , PAPKE, KEVIN A. , 卡丹安庫 , KADAM, ANKUR , 塔庫爾畢平 , THAKUR, BIPIN , 林一莘 , LIN, YIXING , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 葛拉迪亞皮耶納A , GORADIA, PRERNA A.
IPC分类号： C25D3/44 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D7/12 , H01L21/02 , H01L21/28
CPC分类号： C25D3/44 , C25D5/022 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D11/04 , H01L21/67023
摘要：本案揭露內容大體上關於電化學式形成鋁或氧化鋁之方法。該等方法可包括：視情況任選地製備電化學浴，將鋁或氧化鋁電沉積至基材上，從該基材之表面移除溶劑，及後處理上面有該電沉積之鋁或氧化鋁的該基材。
简体摘要：本案揭露内容大体上关于电化学式形成铝或氧化铝之方法。该等方法可包括：视情况任选地制备电化学浴，将铝或氧化铝电沉积至基材上，从该基材之表面移除溶剂，及后处理上面有该电沉积之铝或氧化铝的该基材。

10. 发明专利

TWI573778B 具有陶瓷塗層之經熱處理陶瓷基板及用於經塗佈陶瓷之熱處理方法有权
简体标题：具有陶瓷涂层之经热处理陶瓷基板及用于经涂布陶瓷之热处理方法
公开(公告)号：TWI573778B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW102106241
申请日：2013-02-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 段仁官 , DUAN, REN-GUAN , 卡農哥比拉賈P , KANUNGO, BIRAJA P. , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： C04B38/00 , B05D3/02 , B32B18/00
CPC分类号： C04B41/87 , C04B41/0072 , C04B41/009 , C04B41/5025 , C04B41/5032 , C04B41/5042 , C04B41/5045 , C04B41/52 , C04B41/80 , C04B41/89 , Y10T428/249988 , Y10T428/265 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B41/4556

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