专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI530451B 碗狀金屬奈米結構有权
简体标题：碗状金属奈米结构
公开(公告)号：TWI530451B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW103104490
申请日：2014-02-11
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：朱振東 , ZHU, ZHEN-DONG , 李群慶 , LI, QUN-QING , 白本鋒 , BAI, BEN-FENG , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： B82Y20/00
CPC分类号： H01J37/32431 , B82Y20/00 , G01J3/02 , G01N21/65 , G01N21/658

2. 发明专利

TW201608603A 加熱器供電機構及平台溫度控制方法审中-公开
简体标题：加热器供电机构及平台温度控制方法
公开(公告)号：TW201608603A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104114658
申请日：2015-05-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：喜多川大 , KITAGAWA, DAI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67103 , H01J37/32009 , H01J37/32431 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/6831
摘要：本發明之課題係對於平台溫度以各區域進行控制之際，對於區域構成進行可變控制。係提供一種加熱器供電機構，係將載置基板之平台以複數加熱器來區域化，而可對各區域進行溫度控制者；具有：複數組加熱器用端子，係以一組加熱器用端子為一區段，以區段單位來連接於該複數加熱器之中一者；加熱器配線；以及配線構造，係使用該加熱器配線將該複數組加熱器用端子之間之至少一者以區段單位來連繋。
简体摘要：本发明之课题系对于平台温度以各区域进行控制之际，对于区域构成进行可变控制。系提供一种加热器供电机构，系将载置基板之平台以复数加热器来区域化，而可对各区域进行温度控制者；具有：复数组加热器用端子，系以一组加热器用端子为一区段，以区段单位来连接于该复数加热器之中一者；加热器配线；以及配线构造，系使用该加热器配线将该复数组加热器用端子之间之至少一者以区段单位来连繋。

3. 发明专利

TW201528373A 液體或蒸氣注入電漿灰化系統及方法审中-公开
简体标题：液体或蒸气注入等离子灰化系统及方法
公开(公告)号：TW201528373A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103139789
申请日：2014-11-17
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：華德佛瑞卡洛 , WALDFRIED, CARLO , 艾斯科西亞奧蘭多 , ESCORCIA, ORLANDO
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31138 , H01J37/32357 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , H01J2237/335
摘要：電漿灰化系統包括含有基板的程序腔室。載體氣體供應器供應載體氣體至程序腔室。電漿源設置為產生電漿至程序腔室。液體注入源設置為：「注入化合物進入電漿」或「供應化合物進入電漿」之至少一者。化合物在室溫及大氣壓下通常為液體。控制器設置為控制液體注入源、將基板暴露於電漿經過一預設期間、以及在該預設期間後將反應物吹洗離開程序腔室。
简体摘要：等离子灰化系统包括含有基板的进程腔室。载体气体供应器供应载体气体至进程腔室。等离子源设置为产生等离子至进程腔室。液体注入源设置为：“注入化合物进入等离子”或“供应化合物进入等离子”之至少一者。化合物在室温及大气压下通常为液体。控制器设置为控制液体注入源、将基板暴露于等离子经过一默认期间、以及在该默认期间后将反应物吹洗离开进程腔室。

4. 发明专利

TWI430359B 用於電漿蝕刻之高溫陰極失效
简体标题：用于等离子蚀刻之高温阴极
公开(公告)号：TWI430359B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW097126461
申请日：2008-07-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：顏德勒包利斯S , YENDLER, BORIS S. , 瑪佑西金亞力山大 , MATYUSHKIN, ALEXANDER , 古沙丹尼斯M , KOOSAU, DENNIS M. , 伊卡米葛蘭E , EGAMI, GLEN E.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J37/20 , H01J2237/002 , H01J2237/2001 , H01L21/67069

5. 发明专利

TWI358971B 電漿之機械侷限的磁性提昇 MAGNETIC ENHANCEMENT FOR MECHANICAL CONFINEMENT OF PLASMA 有权
简体标题：等离子之机械局限的磁性提升 MAGNETIC ENHANCEMENT FOR MECHANICAL CONFINEMENT OF PLASMA
公开(公告)号：TWI358971B
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：TW093117559
申请日：2004-06-17
申请人：泛林股份有限公司
发明人：道格拉斯凱爾 , 李魯民 , 艾瑞克哈德森 , 瑞拉沙德傑迪 , 伊瑞凌斯 , 拉金德丁沙 , 金知洙
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/3266 , H01J37/32431 , H01J37/32623
摘要：提供一種處理基體的電漿處理裝置。提供一具有室壁的電漿處理室。提供一該室壁內的基體支架。提供至少一侷限環，其中該侷限環及該基體支架定義一電漿體積。提供一磁性源產生磁場，以磁性地提昇該至少一侷限環所提供的實體侷限。
简体摘要：提供一种处理基体的等离子处理设备。提供一具有室壁的等离子处理室。提供一该室壁内的基体支架。提供至少一局限环，其中该局限环及该基体支架定义一等离子体积。提供一磁性源产生磁场，以磁性地提升该至少一局限环所提供的实体局限。

6. 发明专利

TW201204185A 電極承載組件 ELECTRODE CARRIER ASSEMBLIES 审中-公开
简体标题：电极承载组件 ELECTRODE CARRIER ASSEMBLIES
公开(公告)号：TW201204185A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100121206
申请日：2011-06-17
申请人：蘭姆研究公司
发明人：拉庫克斯克里夫 , 雅維言亞門 , 奧特卡道恩 , 周凱薩琳 , 侍宏
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32532 , H01J37/32431
摘要：依本發明之一實施例的電極承載組件包含一電極承載環和複數之電極安裝構件。此電極承載環包含一個構成電極承載環之內半徑範圍或外半徑範圍的電極圍阻側壁。此電極承載環更包含複數之徑向遠離電極圍阻側壁突起的徑向側壁凸部。此徑向側壁凸部各包含一個具有一面朝上之微型台面的面朝上之錐形間隔件。此電極安裝構件各包含一個具有一面朝下之微型台面之一面朝下之錐形間隔件。電極安裝構件以可旋轉方式與該電極承載環接合。此電極安裝構件係建構成可於一自由位置與一固定位置之間旋轉。
简体摘要：依本发明之一实施例的电极承载组件包含一电极承载环和复数之电极安装构件。此电极承载环包含一个构成电极承载环之内半径范围或外半径范围的电极围阻侧壁。此电极承载环更包含复数之径向远离电极围阻侧壁突起的径向侧壁凸部。此径向侧壁凸部各包含一个具有一面朝上之微型台面的面朝上之锥形间隔件。此电极安装构件各包含一个具有一面朝下之微型台面之一面朝下之锥形间隔件。电极安装构件以可旋转方式与该电极承载环接合。此电极安装构件系建构成可于一自由位置与一固定位置之间旋转。

7. 发明专利

TWI349720B 動力傳送機構及使用該機構之電漿輔助化學氣相沈積裝置 A POWER-DELIVERY MECHANISM AND APPARATUS OF PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION USING THE SAME 有权
简体标题：动力发送机构及使用该机构之等离子辅助化学气相沉积设备 A POWER-DELIVERY MECHANISM AND APPARATUS OF PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION USING THE SAME
公开(公告)号：TWI349720B
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW096119236
申请日：2007-05-30
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：江源遠 , 陳冠州 , 董福慶
IPC分类号： C23C , H01J
CPC分类号： H01L21/6719 , H01J37/32431 , H01J37/32568 , H01L21/67748 , H01L21/68792
摘要：本發明係提供一種動力傳送機構，其係利用具有氣密與伸縮特性之元件與動力單元相結合，以產生特定方向之位移運動。此外，本發明更提供一種電漿輔助化學氣相沈積裝置，其係利用該動力傳送機構作為控制待加工件移動之機構，使得該電漿輔助化學氣相沈積裝置可與自動化傳送裝置相結合以使得晶片進出自動化。此外，本發明在該電漿輔助化學氣相沈積裝置上更設置有升降調整單元以及位置標示單元，以供操作者可以依製程需要調整上、下電極之間距，並讓機台操作人員在腔體外部能清楚掌控腔體內上、下電極之間距。
简体摘要：本发明系提供一种动力发送机构，其系利用具有气密与伸缩特性之组件与动力单元相结合，以产生特定方向之位移运动。此外，本发明更提供一种等离子辅助化学气相沉积设备，其系利用该动力发送机构作为控制待加工件移动之机构，使得该等离子辅助化学气相沉积设备可与自动化发送设备相结合以使得芯片进出自动化。此外，本发明在该等离子辅助化学气相沉积设备上更设置有升降调整单元以及位置标示单元，以供操作者可以依制程需要调整上、下电极之间距，并让机台操作人员在腔体外部能清楚掌控腔体内上、下电极之间距。

8. 发明专利

TWI320951B 以電磁輻射放射原地監視基底溫度之方法 METHODS FOR IN SITU SUBSTRATE TEMPERATURE MONITORING BY ELECTROMAGNETIC RADIATION EMISSION 有权
简体标题：以电磁辐射放射原地监视基底温度之方法 METHODS FOR IN SITU SUBSTRATE TEMPERATURE MONITORING BY ELECTROMAGNETIC RADIATION EMISSION
公开(公告)号：TWI320951B
公开(公告)日：2010-02-21
申请号：TW092122165
申请日：2003-08-12
申请人：泛林股份有限公司
发明人：安立克馬格尼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , G01J5/60 , H01J2237/2001
摘要：一種在電漿處理系統中決定基底溫度的方法。方法包含設置包括材料組的基底，其中，該基底係配置成吸收包括第一組電磁頻率之電磁輻射，以將該第一組電磁頻率轉換成熱振動組，以及傳送第二組電磁頻率。方法也包含將基底設置於基底支撐結構上，其中，基底支撐結構包含夾具；將蝕刻氣體混合物流入該電漿處理系統的電漿反應器；及撞擊該蝕刻氣體混合物以產生電漿，其中，該電漿包括該第一組電磁頻率。方法又包含以電漿處理基底，藉以產生第二組電磁頻率；計算第二組電磁頻率的量值；及將該量值轉換成溫度值。 A method in a plasma processing system of determining the temperature of a substrate. The method includes providing a substrate comprising a set of materials, wherein the substrate being configured to absorb electromagnetic radiation comprising a first set of electromagnetic frequencies, to convert the first set of electromagnetic frequencies to a set of thermal vibrations, and to transmit a second set of electromagnetic frequencies. The method also includes positioning the substrate on a substrate support structure, wherein the substrate support structure includes a chuck; flowing an etchant gas mixture into a plasma reactor of the plasma processing system; and striking the etchant gas mixture to create a plasma, wherein the plasma comprises the first set of electromagnetic frequencies. The method further includes processing the substrate with the plasma thereby generating the second set of electromagnetic frequencies; calculating a magnitude of the second set of electromagnetic frequencies; and converting the magnitude to a temperature value. 【創作特點】本發明在一實施例中係關於決定基底溫度的電漿處理系統之方法。方法包含提供包括材料組之基底，其中，基底係配置成吸收包括第一組電磁頻率之電磁輻射以將第一組電磁頻率轉換成熱振動組，及傳送第二組電磁頻率。此方法包含將基底設置於基底支撐結構上，其中，基底支撐結構包含夾具；使蝕刻氣體混合物流入電漿處理系統的電漿反應器；及撞擊蝕刻氣體混合物以產生電漿，其中，電漿包括第一組電磁頻率。方法又包含以電漿處理基底，藉以產生第二組電磁頻率；計算第二組電磁頻率的量值；及將量值轉換成溫度值。
在另一實施例中，本發明係關於用於決定電漿處理系統中的裝置。裝置包含包括材料組的基底，其中，基底配置成吸收包括第一組電磁頻率的電磁輻射，以將第一組電磁頻率轉換成熱振盪組，以及發送第二組電磁頻率。裝置也包含基底支撐結構，其中，基底支撐結構包含夾具，且基底設於基底支撐結構上；輸送機構，將蝕刻氣體混合物流入電漿處理系統的電漿反應器；及撞擊機構，撞擊蝕刻氣體混合物以產生電漿，其中，電漿包括第一組電磁頻率。裝置又包含處理機構，以電漿處理基底，藉以產生第二組電磁頻率；計算機構，計算第二組電磁頻率的量值；及轉換機構，將該量值轉換成溫度值。
在配合附圖之下述詳細說明中，將更詳細地說明本發明的這些及其它特點。
简体摘要：一种在等离子处理系统中决定基底温度的方法。方法包含设置包括材料组的基底，其中，该基底系配置成吸收包括第一组电磁频率之电磁辐射，以将该第一组电磁频率转换成热振动组，以及发送第二组电磁频率。方法也包含将基底设置于基底支撑结构上，其中，基底支撑结构包含夹具；将蚀刻气体混合物流入该等离子处理系统的等离子反应器；及撞击该蚀刻气体混合物以产生等离子，其中，该等离子包括该第一组电磁频率。方法又包含以等离子处理基底，借以产生第二组电磁频率；计算第二组电磁频率的量值；及将该量值转换成温度值。 A method in a plasma processing system of determining the temperature of a substrate. The method includes providing a substrate comprising a set of materials, wherein the substrate being configured to absorb electromagnetic radiation comprising a first set of electromagnetic frequencies, to convert the first set of electromagnetic frequencies to a set of thermal vibrations, and to transmit a second set of electromagnetic frequencies. The method also includes positioning the substrate on a substrate support structure, wherein the substrate support structure includes a chuck; flowing an etchant gas mixture into a plasma reactor of the plasma processing system; and striking the etchant gas mixture to create a plasma, wherein the plasma comprises the first set of electromagnetic frequencies. The method further includes processing the substrate with the plasma thereby generating the second set of electromagnetic frequencies; calculating a magnitude of the second set of electromagnetic frequencies; and converting the magnitude to a temperature value. 【创作特点】本发明在一实施例中系关于决定基底温度的等离子处理系统之方法。方法包含提供包括材料组之基底，其中，基底系配置成吸收包括第一组电磁频率之电磁辐射以将第一组电磁频率转换成热振动组，及发送第二组电磁频率。此方法包含将基底设置于基底支撑结构上，其中，基底支撑结构包含夹具；使蚀刻气体混合物流入等离子处理系统的等离子反应器；及撞击蚀刻气体混合物以产生等离子，其中，等离子包括第一组电磁频率。方法又包含以等离子处理基底，借以产生第二组电磁频率；计算第二组电磁频率的量值；及将量值转换成温度值。在另一实施例中，本发明系关于用于决定等离子处理系统中的设备。设备包含包括材料组的基底，其中，基底配置成吸收包括第一组电磁频率的电磁辐射，以将第一组电磁频率转换成热振荡组，以及发送第二组电磁频率。设备也包含基底支撑结构，其中，基底支撑结构包含夹具，且基底设于基底支撑结构上；输送机构，将蚀刻气体混合物流入等离子处理系统的等离子反应器；及撞击机构，撞击蚀刻气体混合物以产生等离子，其中，等离子包括第一组电磁频率。设备又包含处理机构，以等离子处理基底，借以产生第二组电磁频率；计算机构，计算第二组电磁频率的量值；及转换机构，将该量值转换成温度值。在配合附图之下述详细说明中，将更详细地说明本发明的这些及其它特点。

9. 发明专利

TW200807552A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW200807552A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096109758
申请日：2007-03-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：手塚一幸 TEZUKA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02 , H01J37/32431 , H01J2237/20 , H01L21/6831
摘要：具備替換時期檢測手段64,其係於停止來自直流電源13的直流電壓的施加,而從靜電吸盤10來舉起半導體晶圓W時,檢測吸附半導體晶圓W的殘留電荷的狀態,檢測出靜電吸盤10的替換時期。
简体摘要：具备替换时期检测手段64,其系于停止来自直流电源13的直流电压的施加,而从静电吸盘10来举起半导体晶圆W时,检测吸附半导体晶圆W的残留电荷的状态,检测出静电吸盘10的替换时期。

10. 发明专利

TW200739724A 基底處理裝置 SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS 失效
简体标题：基底处理设备 SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS
公开(公告)号：TW200739724A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW096112788
申请日：2007-04-12
申请人：愛德牌工程有限公司 ADVANCED DISPLAY PROCESS ENGINEERING CO., LTD.
发明人：全宗鎮 JUN, JONG-JIN
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/68742 , H01J37/32431
摘要：本發明係關於一種基底處理裝置,且更特定言之,係關於一種基底處理裝置,其中可安裝若干提升桿,使用一諸如一扳手之工具易於調節該等提升桿之高度。本發明之一基底處理裝置包括:一腔體;一被提供於該腔體內部或外部之桿板;一用於提升或降低該桿板之驅動構件;以及穿過該桿板以使其被耦合至該桿板之至少一提升桿,且該提升桿具有一在其一底端形成之工具插入凹槽。
简体摘要：本发明系关于一种基底处理设备,且更特定言之,系关于一种基底处理设备,其中可安装若干提升杆,使用一诸如一扳手之工具易于调节该等提升杆之高度。本发明之一基底处理设备包括:一腔体;一被提供于该腔体内部或外部之杆板;一用于提升或降低该杆板之驱动构件;以及穿过该杆板以使其被耦合至该杆板之至少一提升杆,且该提升杆具有一在其一底端形成之工具插入凹槽。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式