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1. 发明专利

TW201338020A 用於光電應用之使用矽上之局部應變鍺之雷射审中-公开
简体标题：用于光电应用之使用硅上之局部应变锗之激光
公开(公告)号：TW201338020A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102104672
申请日：2013-02-06
申请人： APIC公司 , APIC CORPORATION
发明人：督特畢瑞德拉 , DUTT, BIRENDRA
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/12
CPC分类号： H01L31/109 , H01L29/165 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01S5/021 , H01S5/0264 , H01S5/0265 , H01S5/1071 , H01S5/1082 , H01S5/2063 , H01S5/2272 , H01S5/3027 , H01S5/3201 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明所揭示之標的係關於具有拉伸應變之矽鍺裝置之形成。在製造中施加至一矽鍺裝置之拉伸應變可改良一矽鍺雷射或光檢測器之效能。
简体摘要：本发明所揭示之标的系关于具有拉伸应变之硅锗设备之形成。在制造中施加至一硅锗设备之拉伸应变可改良一硅锗激光或光检测器之性能。

2. 发明专利

TW531950B 光學泵送式表面發射之半導體雷射裝置及其製造方法有权
简体标题：光学泵送式表面发射之半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW531950B
公开(公告)日：2003-05-11
申请号：TW091102587
申请日：2002-02-15
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司
发明人：東尼艾布瑞特
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/18305 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1071 , H01S5/4056
摘要：一種光學泵送式表面發射之半導體雷射裝置，其包含至少一輻射產生用之量子井結構(11)及至少一泵式輻射源(用來對量子井結構(11)進行光學泵送)，泵式輻射源包含至少一種邊緣發射式半導體結構(30)且至少一種邊緣發射式半導體結構(30)及量子井結構(11)以磊晶方式生長在共同之基板(1)上。泵式輻射源之邊緣發射式半導體結構(30)是以半導體環形雷射之形式構成。
简体摘要：一种光学泵送式表面发射之半导体激光设备，其包含至少一辐射产生用之量子井结构(11)及至少一泵式辐射源(用来对量子井结构(11)进行光学泵送)，泵式辐射源包含至少一种边缘发射式半导体结构(30)且至少一种边缘发射式半导体结构(30)及量子井结构(11)以磊晶方式生长在共同之基板(1)上。泵式辐射源之边缘发射式半导体结构(30)是以半导体环形激光之形式构成。

3. 发明专利

TW512224B 環雷射迴轉機有权
简体标题：环激光掉头机
公开(公告)号：TW512224B
公开(公告)日：2002-12-01
申请号：TW090115348
申请日：2001-06-26
申请人：摩托羅拉公司
发明人：查理 W 史恩禮
IPC分类号： G01C , H01S
CPC分类号： G01C19/661 , H01S3/083 , H01S5/1071
摘要：本發明提供了環雷射迴轉機半導體結構以及用以形成此種結構的方法。該積體結構包括一基板(1200)，在其上提供了一光束分離區域(1220)，一波導(1290)，一光敏器(1295)，以及最好提供一雷射(1298)。亦可包括用以處理由光敏器產生之資料之積體電路(1299)。藉由以一感光元件陣列偵測邊緣圖樣，可使資料符合干涉圖樣之數學模型。然後使用該符合以決定一或多個旋轉參數。
简体摘要：本发明提供了环激光掉头机半导体结构以及用以形成此种结构的方法。该积体结构包括一基板(1200)，在其上提供了一光束分离区域(1220)，一波导(1290)，一光敏器(1295)，以及最好提供一激光(1298)。亦可包括用以处理由光敏器产生之数据之集成电路(1299)。借由以一感光组件数组侦测边缘图样，可使数据符合干涉图样之数学模型。然后使用该符合以决定一或多个旋转参数。

4. 发明专利

TW200535922A 斜空腔半導體光電元件及其製法 TILTED CAVITY SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
简体标题：斜空腔半导体光电组件及其制法 TILTED CAVITY SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME
公开(公告)号：TW200535922A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW093136425
申请日：2004-11-26
申请人： NL-那諾半導體股份有限公司 NL-NANOSEMICONDUCTOR GMBH
发明人：雷登瑟夫, 尼可萊 NIKOLAI LEDENTSOV , 旭庫金, 維他立 VITALY SHCHUKIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/105 , H01S5/0028 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/06253 , H01S5/0654 , H01S5/1071 , H01S5/1085 , H01S5/141 , H01S5/162 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S5/2004 , H01S5/2027 , H01S5/204 , H01S5/2231 , H01S5/50
摘要：茲揭示一新穎類型半導體發光裝置，或"斜空腔發光裝置"。該裝置包含通常是放在空腔內的至少一帶有主動區的主動元件，該主動區係藉由注入電流產生光學增益；與兩個反射鏡。該裝置產生數個光模，其傳播方向係相對於p–n接合平面及與此平面的垂直方向兩者均呈傾斜。也揭示一種發光二極體，其中係將該空腔與反射鏡設計成使得：所產生的光功率在某一光譜範圍內及在對基板的某一角度範圍內之傳輸最小化。在對應於該發光主動介質的發射範圍及從該裝置出來的某一角度範圍內之光功率傳輸係經最佳化成以達到所需的輸出功率水準。
简体摘要：兹揭示一新颖类型半导体发光设备，或"斜空腔发光设备"。该设备包含通常是放在空腔内的至少一带有主动区的主动组件，该主动区系借由注入电流产生光学增益；与两个反射镜。该设备产生数个光模，其传播方向系相对于p–n接合平面及与此平面的垂直方向两者均呈倾斜。也揭示一种发光二极管，其中系将该空腔与反射镜设计成使得：所产生的光功率在某一光谱范围内及在对基板的某一角度范围内之传输最小化。在对应于该发光主动介质的发射范围及从该设备出来的某一角度范围内之光功率传输系经最优化成以达到所需的输出功率水准。

5. 发明专利

TW536860B 具有窄線寬之頻寬加强型自注射鎖定分散回饋雷射失效
简体标题：具有窄线宽之带宽加强型自注射锁定分散回馈激光
公开(公告)号：TW536860B
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：TW091105945
申请日：2002-03-26
申请人： HRL實驗室LLC
发明人：徐聰源 , 威利爾 NG , 丹尼爾雅帕
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/12 , H01S3/083 , H01S5/1071 , H01S5/146
摘要：一種關於自注射鎖定的雷射系統及方法。此系統包括一雷射，其具有頻率Wo的一雷射輸出。一光學端，於此端提供部份的上述雷射輸出；以及一調制器，耦接於此端，藉由頻率Wm的RF信號驅動以便產生兩個Wo±Wm的側波段。一濾波器，使上述兩個側波段信號Wo±Wm的其中一個通過；以及一光路徑，將濾波器之輸出端偶接至雷射用以注射鎖定。
简体摘要：一种关于自注射锁定的激光系统及方法。此系统包括一激光，其具有频率Wo的一激光输出。一光学端，于此端提供部份的上述激光输出；以及一调制器，耦接于此端，借由频率Wm的RF信号驱动以便产生两个Wo±Wm的侧波段。一滤波器，使上述两个侧波段信号Wo±Wm的其中一个通过；以及一光路径，将滤波器之输出端偶接至激光用以注射锁定。

6. 发明专利

TW201415739A 半導體環形雷射裝置审中-公开
简体标题：半导体环形激光设备
公开(公告)号：TW201415739A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102131406
申请日：2013-08-30
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：梶山康一 , KAJIYAMA, KOICHI , 名須川利通 , NASUKAWA, TOSHIMICHI , 石川晉 , ISHIKAWA, SHIN , 金尾正康 , KANAO, MASAYASU
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/14 , G01C19/66
CPC分类号： H01S5/1071 , G01C19/661 , H01S3/07 , H01S3/083 , H01S5/021 , H01S5/0261 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/14 , H01S5/2031 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/4006
摘要：本發明提供一種半導體環形雷射裝置，其能夠進行環形雷射的穩定振盪，並且能夠進行精度較高的角速度檢測，亦能夠滿足超緻密/超輕質化的要求。本發明的半導體環形雷射裝置具備：一個Si半導體基板(10)；環形諧振器(20)，由形成於Si半導體基板(10)之光波導(21)構成；半導體雷射部(2)，在光波導(21)的至少一部份具備發光放大部(2A)，並產生使環形諧振器(20)相互朝相反方向環繞之2個雷射光(L1、L2)；及光檢測部(4)，形成於Si半導體基板(10)且從環形諧振器(20)取出2個雷射光(L1、L2)來檢測2個雷射光(L1、L2)的頻率差，發光放大部(2A)具有pn接合部(13a)，前述pn接合部藉由一邊對在Si半導體基板(10)中之第1半導體層(10n)以高濃度摻雜B亦即硼而得到之第2半導體層(13)照射光，一邊實施退火處理而得到。
简体摘要：本发明提供一种半导体环形激光设备，其能够进行环形激光的稳定振荡，并且能够进行精度较高的角速度检测，亦能够满足超致密/超轻质化的要求。本发明的半导体环形激光设备具备：一个Si半导体基板(10)；环形谐振器(20)，由形成于Si半导体基板(10)之光波导(21)构成；半导体激光部(2)，在光波导(21)的至少一部份具备发光放大部(2A)，并产生使环形谐振器(20)相互朝相反方向环绕之2个激光光(L1、L2)；及光检测部(4)，形成于Si半导体基板(10)且从环形谐振器(20)取出2个激光光(L1、L2)来检测2个激光光(L1、L2)的频率差，发光放大部(2A)具有pn接合部(13a)，前述pn接合部借由一边对在Si半导体基板(10)中之第1半导体层(10n)以高浓度掺杂B亦即硼而得到之第2半导体层(13)照射光，一边实施退火处理而得到。

7. 发明专利

TW200400676A 光學泵控式半導體雷射裝置 OPTISCH GEPUMPTE HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 失效
简体标题：光学泵控式半导体激光设备 OPTISCH GEPUMPTE HALBLEITERLASERVORRICHTUNG
公开(公告)号：TW200400676A
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW092110127
申请日：2003-04-30
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：史帝芬路特根 STEPHAN LUTGEN
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/1835 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1071 , H01S5/141 , H01S5/18344 , H01S5/4056
摘要：本發明涉及一種光學泵控式半導体雷射裝置，其包含-一垂直發射器(1)，其具有一中央波導(3)和一配置於該中央波導(3)內部之量子井結構(其具有至少一量子層(5))，-一泵輻射源，其以光學方式對該量子井結構進行泵控且包含至少一泵式波導(9)，泵輻射(11)導入該泵式波導(9)中，該中央波導(3)之寬度(A)大於該泵式波導(9)之寬度(B)，且該中央波導(3)之寬度(A)和該泵式波導(9)之寬度(B)須互相調整，使該垂直發射器(1)之量子井結構以相同方式被泵控。
简体摘要：本发明涉及一种光学泵控式半导体激光设备，其包含-一垂直发射器(1)，其具有一中央波导(3)和一配置于该中央波导(3)内部之量子井结构(其具有至少一量子层(5))，-一泵辐射源，其以光学方式对该量子井结构进行泵控且包含至少一泵式波导(9)，泵辐射(11)导入该泵式波导(9)中，该中央波导(3)之宽度(A)大于该泵式波导(9)之宽度(B)，且该中央波导(3)之宽度(A)和该泵式波导(9)之宽度(B)须互相调整，使该垂直发射器(1)之量子井结构以相同方式被泵控。

8. 发明专利

TW550868B 一種具有側向光侷限之半導體雷射二極體失效
简体标题：一种具有侧向光局限之半导体激光二极管
公开(公告)号：TW550868B
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091118599
申请日：2002-08-16
申请人：華上光電股份有限公司
发明人：王望南 , 憂里G 需里特 , 憂里T 里班尼
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/1071 , H01S5/1075 , H01S5/1085 , H01S5/125
摘要：本發明提供一種具有側向光學腔之半導體雷射二極體，而該側向光學腔的材料係以III-V及II-VI半導體化合物或其合金為基礎。本說明書之本質是利用多角形表面光柵共振器以側向侷限光線，並且選擇光學模式。PGR允許單一光學模式雷射二極體的製作，以用於各種應用如CD或 DVD讀寫頭、高品質印表機等。而PGR也允許半導體雷射二極體的受控的多重波長操作，以用於電通訊目的。相較於習知的平台結構或脊形光學腔(ridge optical cavity)共振器(resonator)，PGR的優點在於表面光柵製程與平面半導體技術的整合的簡易性。
简体摘要：本发明提供一种具有侧向光学腔之半导体激光二极管，而该侧向光学腔的材料系以III-V及II-VI半导体化合物或其合金为基础。本说明书之本质是利用多角形表面光栅共振器以侧向局限光线，并且选择光学模式。PGR允许单一光学模式激光二极管的制作，以用于各种应用如CD或 DVD读写头、高品质打印机等。而PGR也允许半导体激光二极管的受控的多重波长操作，以用于电通信目的。相较于习知的平台结构或嵴形光学腔(ridge optical cavity)共振器(resonator)，PGR的优点在于表面光栅制程与平面半导体技术的集成的简易性。

9. 发明专利

TW520578B 光學式泵送之表面發射式半導體雷射裝置及其製造方法有权
简体标题：光学式泵送之表面发射式半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW520578B
公开(公告)日：2003-02-11
申请号：TW090112786
申请日：2001-05-28
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司
发明人：湯尼艾貝奇特 , 諾伯特林德 , 約翰魯夫特
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/18305 , B82Y20/00 , H01S3/1062 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1017 , H01S5/1071 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/141 , H01S5/1835 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/34313 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要：一種光學式泵送之表面發射式半導體雷射裝置，其具有至少一個發光之量子井結構(11)及至少一個泵光源(20)(用來對量子井結構(11)進行光學式泵送)，泵光源(20)具有一個邊緣發射式半導體結構(21)，發光之量子非結構(11)及邊緣發射式牛導體結構(21)介別具有一種半導體層序列，其以磊品方式依序生長在一個共同之基板(1)上。利用這樣所製成之單石式半導體雷射裝置，則可對發光之量子井結構進行一種很有效且均勻之光學式泵送。此外，本發明亦捉供此種半導體雷射裝置之製造方法。
简体摘要：一种光学式泵送之表面发射式半导体激光设备，其具有至少一个发光之量子井结构(11)及至少一个泵光源(20)(用来对量子井结构(11)进行光学式泵送)，泵光源(20)具有一个边缘发射式半导体结构(21)，发光之量子非结构(11)及边缘发射式牛导体结构(21)介别具有一种半导体层串行，其以磊品方式依序生长在一个共同之基板(1)上。利用这样所制成之单石式半导体激光设备，则可对发光之量子井结构进行一种很有效且均匀之光学式泵送。此外，本发明亦捉供此种半导体激光设备之制造方法。

10. 发明专利

TWI497852B 直接調變雷射失效
简体标题：直接调制激光
公开(公告)号：TWI497852B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW101139063
申请日：2012-10-23
申请人：惠普發展公司有限責任合夥企業 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L. P.
发明人：梁迪 , LIANG, DI
IPC分类号： H01S5/062 , H01S5/32
CPC分类号： H01S3/136 , H01S3/10 , H01S5/021 , H01S5/02461 , H01S5/0261 , H01S5/0265 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/0427 , H01S5/06203 , H01S5/06213 , H01S5/06216 , H01S5/06226 , H01S5/0624 , H01S5/1032 , H01S5/1071 , H01S5/222 , H01S5/2222 , H01S2301/176

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