专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201803239A 端面射出型半導體雷射审中-公开
简体标题：端面射出型半导体激光
公开(公告)号：TW201803239A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105140208
申请日：2016-12-06
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：淵田步 , FUCHIDA, AYUMI , 奧貫雄一郎 , OKUNUKI, YUICHIRO
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/125 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/0425 , H01S5/2022 , H01S5/2027 , H01S5/305 , H01S5/3213 , H01S5/3412 , H01S5/34313 , H01S2301/166
摘要：不使生產性及成品率下降，得到可以抑制隨著溫度變化的振盪波長偏移之端面射出型半導體雷射。半導體基板1上，形成具有第1折射率的第1遮蓋層2。第1遮蓋層2上，形成具有比第1折射率高的第2折射率的活性層3。活性層3上，以λ為振盪波長，n為媒體的折射率，形成厚度分別比λ/4n厚的低折射率層4a與高折射率層4b交互堆疊的布拉格(bragg)反射鏡4。布拉格(bragg)反射鏡4上，形成具有比活性層3小的能帶間隙能量之光吸收層5。光吸收層5上，形成具有比第2折射率低的第3折射率之第2遮蓋層6。
简体摘要：不使生产性及成品率下降，得到可以抑制随着温度变化的振荡波长偏移之端面射出型半导体激光。半导体基板1上，形成具有第1折射率的第1遮盖层2。第1遮盖层2上，形成具有比第1折射率高的第2折射率的活性层3。活性层3上，以λ为振荡波长，n为媒体的折射率，形成厚度分别比λ/4n厚的低折射率层4a与高折射率层4b交互堆栈的布拉格(bragg)反射镜4。布拉格(bragg)反射镜4上，形成具有比活性层3小的能带间隙能量之光吸收层5。光吸收层5上，形成具有比第2折射率低的第3折射率之第2遮盖层6。

2. 发明专利

TWI634715B 端面射出型半導體雷射有权
简体标题：端面射出型半导体激光
公开(公告)号：TWI634715B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW105140208
申请日：2016-12-06
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：淵田步 , FUCHIDA, AYUMI , 奧貫雄一郎 , OKUNUKI, YUICHIRO
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/125 , H01S5/20

3. 发明专利

TW557620B 分散回饋雷射元件有权
简体标题：分散回馈激光组件
公开(公告)号：TW557620B
公开(公告)日：2003-10-11
申请号：TW091116345
申请日：2002-07-23
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：奧貫雄一郎
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/1028 , H01S5/12 , H01S5/2004
摘要：獲得可抑制製造誤差引起之光耦合係數之變動，可提升良品率的分散回饋雷射元件。包括：設於InP基板1上，位於活化層(4)兩側的覆蓋層；及在上述覆蓋層之任一之中，具有折射率和上述覆蓋層不同，於光之射出方向被以既定間距朝向與該射出方向交叉之方向延伸之架橋狀格子的繞射光柵(6)；包括：與繞射光柵隔離且位於覆蓋層內，具有和上述繞射光柵之組成為相同組成之至少一層之光分布調整層(2)。
简体摘要：获得可抑制制造误差引起之光耦合系数之变动，可提升良品率的分散回馈激光组件。包括：设于InP基板1上，位于活化层(4)两侧的覆盖层；及在上述覆盖层之任一之中，具有折射率和上述覆盖层不同，于光之射出方向被以既定间距朝向与该射出方向交叉之方向延伸之架桥状格子的绕射光栅(6)；包括：与绕射光栅隔离且位于覆盖层内，具有和上述绕射光栅之组成为相同组成之至少一层之光分布调整层(2)。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式