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1. 发明专利

TWI289944B 具有發光二極體晶片的發光二極體元件 LIGHT-EMITTING-DIODE-ELEMENT WITH A LIGHT-EMITTING-DIODE-CHIP 有权
简体标题：具有发光二极管芯片的发光二极管组件 LIGHT-EMITTING-DIODE-ELEMENT WITH A LIGHT-EMITTING-DIODE-CHIP
公开(公告)号：TWI289944B
公开(公告)日：2007-11-11
申请号：TW094143365
申请日：2001-05-24
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG
发明人：伯索德韓 BERTHOLD HAHN , 巫歷奇雅各 URICH JACOB , 漢斯爵根魯高爾 HANS-JUERGEN LUGAUER , 曼富雷德穆布洛梵格羅 MANFRED MUNDBROD-VANGEROW
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L24/73 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01067 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：本發明係關於一種發光二極體元件，其具有一種發光二極體晶片，此晶片以其p-面，即，以反射式接觸金屬層，置於LED-殼體之晶片安裝表面上，尤其是電性導線架上，或是LED-殼體之導電軌上而安裝。
简体摘要：本发明系关于一种发光二极管组件，其具有一种发光二极管芯片，此芯片以其p-面，即，以反射式接触金属层，置于LED-壳体之芯片安装表面上，尤其是电性导线架上，或是LED-壳体之导电轨上而安装。

2. 发明专利

TWI224225B 以非線性光學過程為主之白色光源 WHITE LIGHT SOURCE ON THE BASIS OF NON-LINEAR OPTICAL PROCESS 有权
简体标题：以非线性光学过程为主之白色光源 WHITE LIGHT SOURCE ON THE BASIS OF NON-LINEAR OPTICAL PROCESS
公开(公告)号：TWI224225B
公开(公告)日：2004-11-21
申请号：TW089125592
申请日：2000-12-01
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG
发明人：路丁格穆勒 RUEDIGER MUELLER , 維納史巴斯 WERNER SPAETH
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L27/156 , G02F1/3532 , H01L33/50
摘要：本發明是有關一種白色光源，其具有光線發射裝置(1)，尤其是紅外線(IR)雷射二極體，其所發射的光束在一非線性光學元件(2)與一轉變元件(3)中轉變成具有波長為λ1，λn之光束，其成為可看得見的白色光。
简体摘要：本发明是有关一种白色光源，其具有光线发射设备(1)，尤其是红外线(IR)激光二极管，其所发射的光束在一非线性光学组件(2)与一转变组件(3)中转变成具有波长为λ1，λn之光束，其成为可看得见的白色光。

3. 发明专利

TW575595B 表面安裝式溫度較高且亮度較大之LED用之透明之鑄模樹脂材料有权
简体标题：表面安装式温度较高且亮度较大之LED用之透明之铸模树脂材料
公开(公告)号：TW575595B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW089115581
申请日：2000-08-03
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG
发明人：克羅斯霍恩 KLAUS HOEHN , 剛特爾懷特爾 GUENTER WAITL , 卡爾海恩茲亞恩特 KARLHEINZ ARNDT
IPC分类号： C08G , C08L , H01L
CPC分类号： C08G59/38 , C08G59/42 , H01L23/293 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要：一種用於電子和光電元件、模組和零件等作為組裝材料和包封材料之本發明鑄模樹脂，例如以酸軒可硬化之環氧化合物為基礎，尤其是雙酚A-二縮水甘油基醚，用於光電元件之鑄模，其為含有多官能基之環氧線型酚醛樹脂者，尤其是環氧甲酚線型酚醛樹脂者，表現優異。此種鑄模樹脂具有顯然提高之玻璃轉變溫度，適合大量生產程序，顯示無健康上之顧慮，提供可作表面安裝(SMT)之產品，可以使用於汽車領域。
简体摘要：一种用于电子和光电组件、模块和零件等作为组装材料和包封材料之本发明铸模树脂，例如以酸轩可硬化之环氧化合物为基础，尤其是双酚A-二缩水甘油基醚，用于光电组件之铸模，其为含有多官能基之环氧线型酚醛树脂者，尤其是环氧甲酚线型酚醛树脂者，表现优异。此种铸模树脂具有显然提高之玻璃转变温度，适合大量生产进程，显示无健康上之顾虑，提供可作表面安装(SMT)之产品，可以使用于汽车领域。

4. 发明专利

TW540163B LED模組及多重配置有权
简体标题： LED模块及多重配置
公开(公告)号：TW540163B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW090125413
申请日：2001-10-15
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司
发明人：馬修韋納 , 史派特韋納 , 華特爾根特
IPC分类号： H01L , F21K
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01019 , H01L2924/01068 , H01L2924/12041 , Y10S362/80 , H01L2924/00012
摘要：本發明涉及一LED模組(1)，其承載體(2)含有一種半導體層(5)及一平坦之主面，其上施加多個LED半導體本體(11)。LED半導體本體(11)在操作時發出中央波長不同之光，使LED模組(1)適合用來產生混合彩色之光且特別是產生白色光。
简体摘要：本发明涉及一LED模块(1)，其承载体(2)含有一种半导体层(5)及一平坦之主面，其上施加多个LED半导体本体(11)。LED半导体本体(11)在操作时发出中央波长不同之光，使LED模块(1)适合用来产生混合彩色之光且特别是产生白色光。

5. 发明专利

TW516246B 光電元件用之半導體晶片及其製造方法有权
简体标题：光电组件用之半导体芯片及其制造方法
公开(公告)号：TW516246B
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：TW090119347
申请日：2001-08-08
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司
发明人：史帝芬伊克 , 安卓普洛瑟 , 克勞斯史雀貝 , 華特衛格雷特 , 洛夫威什
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種光電元件用之半導體晶片，特別是發光之半導體晶片，其包括：一個活性薄層(2)，其中形成一種發射光子之區域(3)；此種薄層(2)用之載體基板(1)，其配置在此薄層(2)之遠離此晶片之輻射方向之此側上且與此薄層(2)相連，在活性薄層(2)中由載體基板(1)方向形成至少一個空腔(8)，藉此空腔(8)而在載體基板(1)及薄層(2)之間之界面上形成許多平台(4)。
简体摘要：一种光电组件用之半导体芯片，特别是发光之半导体芯片，其包括：一个活性薄层(2)，其中形成一种发射光子之区域(3)；此种薄层(2)用之载体基板(1)，其配置在此薄层(2)之远离此芯片之辐射方向之此侧上且与此薄层(2)相连，在活性薄层(2)中由载体基板(1)方向形成至少一个空腔(8)，借此空腔(8)而在载体基板(1)及薄层(2)之间之界面上形成许多平台(4)。

6. 发明专利

TW513816B 電流耦合作用已改良且表面已結構化之發光二極體失效
简体标题：电流耦合作用已改良且表面已结构化之发光二极管
公开(公告)号：TW513816B
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：TW089120052
申请日：2000-09-28
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司
发明人：雷爾夫渦士 , 克勞斯史崔伯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L2933/0091
摘要：在發光二極體(100)中具有一發光層(20)與一相當厚的、透明的電流擴散層(30)，而藉由在電流擴散層(30)的表面之垂直結構而達成光線耦合而出之改善，而同時藉由一具有垂直側面的結構的一第二電性接觸層(50)而在電流擴散層(30)中，在基本上達成電流均勻之進入耦合。第2圖
简体摘要：在发光二极管(100)中具有一发光层(20)与一相当厚的、透明的电流扩散层(30)，而借由在电流扩散层(30)的表面之垂直结构而达成光线耦合而出之改善，而同时借由一具有垂直侧面的结构的一第二电性接触层(50)而在电流扩散层(30)中，在基本上达成电流均匀之进入耦合。第2图

7. 发明专利

TW508846B 發光二極體失效
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TW508846B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW090128087
申请日：2001-11-13
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司
发明人：洛夫威什
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/14 , H01L33/32
摘要：本發明有關於一種發光二極體(1)，其具有在主動層(3)上之窗戶層(4)，此層(4)具有鋸齒形輪廓之周邊區段(6)。在周邊區段(6)上設有延伸之周邊線路(11)，經由此線路電流被注入主動層(3)。此種發光二極體(1)藉由特別高的光耦合而出之效率而突顯其特色。
第1圖
简体摘要：本发明有关于一种发光二极管(1)，其具有在主动层(3)上之窗户层(4)，此层(4)具有锯齿形轮廓之周边区段(6)。在周边区段(6)上设有延伸之周边线路(11)，经由此线路电流被注入主动层(3)。此种发光二极管(1)借由特别高的光耦合而出之效率而突显其特色。第1图

8. 发明专利

TW492165B 電氣裝置之封裝及其製造方法有权
简体标题：电气设备之封装及其制造方法
公开(公告)号：TW492165B
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：TW089113558
申请日：2000-07-07
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司
发明人：艾華德卡羅麥可岡瑟
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/525 , H01L27/32 , H01L51/5243
摘要：揭示一種電氣裝置之封裝方法。蓋子支持件被裝在裝置之非主動性區域中，以防止封裝與由於機械應力所引起與裝置之主動性元件接觸。
简体摘要：揭示一种电气设备之封装方法。盖子支持件被装在设备之非主动性区域中，以防止封装与由于机械应力所引起与设备之主动性组件接触。

9. 发明专利

TW480741B 具有透鏡之光電組件之製造方法有权
简体标题：具有透镜之光电组件之制造方法
公开(公告)号：TW480741B
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：TW089117061
申请日：2000-08-24
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司
发明人：喬治波納 , 雷賀布魯納 , 佐治索格
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要：在本方法中，一種形成在基體(1)中且設有光電發送器及/或接收器(11)之凹囗(4)中是以一種可硬化之澆注物質(14)填入且施加一種光學元件(6)至此凹囗(4)中之基體(1)上，此光學元件(6)之形式須使此凹囗(4)在其邊緣之至少一個周邊區段上是向外敞開的(open)，使澆注物質(14)可與其它澆注物質(14)上之外部貯存區相接觸。
简体摘要：在本方法中，一种形成在基体(1)中且设有光电发送器及/或接收器(11)之凹囗(4)中是以一种可硬化之浇注物质(14)填入且施加一种光学组件(6)至此凹囗(4)中之基体(1)上，此光学组件(6)之形式须使此凹囗(4)在其边缘之至少一个周边区段上是向外敞开的(open)，使浇注物质(14)可与其它浇注物质(14)上之外部贮存区相接触。

10. 发明专利

TW474027B 表面發射式二極體放射源失效
简体标题：表面发射式二极管放射源
公开(公告)号：TW474027B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW088116623
申请日：1999-09-28
申请人：歐斯朗奧托半導體有限兩合公司
发明人：馬庫斯克里斯汀阿曼
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/0025
摘要：一種表面發射式二極體放射源(1)，其具有一主動層(10)以產生光之放射線(101，102，103)，其介於一個山一種導電形式(n)的半導體材料所構成之限制層(11)，與一個由對此種導電形式(n)相反的導電形式(P)之半導體材料所構成之限制層(12)之間，其中具有一衰減裝置(20)，用以衰減此本身在平行於主動層(10)之層平面(100)的方向(c)中傳播的放射線分量(103)。其優點為:此垂直於層平面傳播之放射線分量之功率被改進。第1圖
简体摘要：一种表面发射式二极管放射源(1)，其具有一主动层(10)以产生光之放射线(101，102，103)，其介于一个山一种导电形式(n)的半导体材料所构成之限制层(11)，与一个由对此种导电形式(n)相反的导电形式(P)之半导体材料所构成之限制层(12)之间，其中具有一衰减设备(20)，用以衰减此本身在平行于主动层(10)之层平面(100)的方向(c)中传播的放射线分量(103)。其优点为:此垂直于层平面传播之放射线分量之功率被改进。第1图

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