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1. 发明专利

TW201539706A 光發射器审中-公开
简体标题：光发射器
公开(公告)号：TW201539706A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104106442
申请日：2015-03-02
申请人：光引研創股份有限公司 , FORELUX INC.
发明人：陳書履 , CHEN, SHU-LU , 那允中 , NA, YUN-CHUNG
IPC分类号： H01L25/13 , H01L33/02 , H01L33/10
CPC分类号： H01S5/06206 , G02B6/1226 , G02B6/34 , G02B2006/12107 , H01S5/026 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/1032 , H01S5/187
摘要：一種光發射器包含一沿著一第一方向延伸之干涉區，在干涉區兩相對端形成之兩個反射區及電性耦合到干涉區之三個電極，其中經由改變此三個電極之間的相對電場，可以調變在干涉區內之載子量及其產生之光子量。在干涉區內產生之光子可藉此被調變且沿著第一方向共振。該共振光可沿著一第二方向出射，且此第二方向不同於第一方向。
简体摘要：一种光发射器包含一沿着一第一方向延伸之干涉区，在干涉区两相对端形成之两个反射区及电性耦合到干涉区之三个电极，其中经由改变此三个电极之间的相对电场，可以调制在干涉区内之载子量及其产生之光子量。在干涉区内产生之光子可借此被调制且沿着第一方向共振。该共振光可沿着一第二方向出射，且此第二方向不同于第一方向。

2. 发明专利

TWI492355B 半導體封裝有权
简体标题：半导体封装
公开(公告)号：TWI492355B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW101121057
申请日：2012-06-13
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：松末明洋 , MATSUSUE, AKIHIRO
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L31/024 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01S5/02212 , H01S5/02236 , H01S5/02276 , H01S5/02469 , H01S5/06226 , H01S5/183 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00011

3. 发明专利

TWI469279B 半導體封裝有权
简体标题：半导体封装
公开(公告)号：TWI469279B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW101117718
申请日：2012-05-18
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：松末明洋 , MATSUSUE, AKIHIRO
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/485 , H01L23/58
CPC分类号： H01S5/0262 , H01L31/12 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01S5/02212 , H01S5/02236 , H01S5/02248 , H01S5/02276 , H01S5/0427 , H01S5/06226 , H01S5/0683 , H01L2924/00014

4. 发明专利

TW200427164A 脊狀波導管型半導體雷射 RIDGE WAVEGUIDE TYPE SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
简体标题：嵴状波导管型半导体激光 RIDGE WAVEGUIDE TYPE SEMICONDUCTOR LASER
公开(公告)号：TW200427164A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW093104061
申请日：2004-02-19
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：三橋豊 YUTAKA MIHASHI , 瀧口透 TOHRU TAKIGUCHI , 田中利夫 TOSHIO TANAKA , 門朋子 TOMOKO KADOWAKI , 花卷吉彥 YOSHIHIKO HANAMAKI , 富田信之 NOBUYUKI TOMITA
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/16 , H01S5/2214 , H01S5/34366
摘要：〔課題〕提供高可靠性，且高溫中可高速動作的脊狀波導管型半導體雷射。〔解決手段〕包括：主動層4、形成於主動層4上且具有脊狀導波路10的半導體層5，6；形成於半導體層6上的絕緣膜9；經由絕緣膜9上所設置的開口部11而接觸到半導體層6的第1電極層12；以及在第1電極層12上且沿導波路10方向形成的條紋狀第2電極層13；其中，從共振器端面16起距第2電極層13端部間之距離R1係在20μm以內。亦可更包括：從第2電極層13拉出的電極拉出線路，以及設置於此電極拉出線路中，且位於絕緣膜9上的焊接墊部15。
简体摘要：〔课题〕提供高可靠性，且高温中可高速动作的嵴状波导管型半导体激光。〔解决手段〕包括：主动层4、形成于主动层4上且具有嵴状导波路10的半导体层5，6；形成于半导体层6上的绝缘膜9；经由绝缘膜9上所设置的开口部11而接触到半导体层6的第1电极层12；以及在第1电极层12上且沿导波路10方向形成的条纹状第2电极层13；其中，从共振器端面16起距第2电极层13端部间之距离R1系在20μm以内。亦可更包括：从第2电极层13拉出的电极拉出线路，以及设置于此电极拉出线路中，且位于绝缘膜9上的焊接垫部15。

5. 发明专利

TW201729481A 半導體雷射及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体激光及其制造方法
公开(公告)号：TW201729481A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105123383
申请日：2016-07-25
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：南政史 , MINAMI, MASAFUMI , 玉田尚久 , TAMADA, NAOHISA , 上野貴寛 , UENO, TAKAHIRO , 北川寛士 , KITAGAWA, MOTOSHI
IPC分类号： H01S5/042
CPC分类号： H01S5/0207 , H01S5/00 , H01S5/0206 , H01S5/0208 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2045
摘要：本發明係關於半導體雷射及其製造方法，關於適於通信用雷射的半導體雷射及其製造方法。對包括溝構造的半導體雷射，得到使製造過程簡化的製造方法。一種半導體雷射的製造方法，其包括：在包括溝的半導體基板的表面成膜絕緣膜的步驟；在上述絕緣膜的上面黏貼用於塞住上述溝的開口面，在上述半導體基板上形成絕緣層的步驟；在上述絕緣層設第1開口，使上述半導體基板的電極對應處露出的開口形成步驟；及在上述絕緣層的上面，如埋入上述第1開口般形成電極的步驟。
简体摘要：本发明系关于半导体激光及其制造方法，关于适于通信用激光的半导体激光及其制造方法。对包括沟构造的半导体激光，得到使制造过程简化的制造方法。一种半导体激光的制造方法，其包括：在包括沟的半导体基板的表面成膜绝缘膜的步骤；在上述绝缘膜的上面黏贴用于塞住上述沟的开口面，在上述半导体基板上形成绝缘层的步骤；在上述绝缘层设第1开口，使上述半导体基板的电极对应处露出的开口形成步骤；及在上述绝缘层的上面，如埋入上述第1开口般形成电极的步骤。

6. 发明专利

TW201715856A 用以產生高精度電氣信號及連續波光學信號之系統及方法审中-公开
简体标题：用以产生高精度电气信号及连续波光学信号之系统及方法
公开(公告)号：TW201715856A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105126120
申请日：2016-08-16
申请人：雷神公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：威金森史蒂芬R , WILKINSON, STEVEN R. , 夏米比沙拉 , SHAMEE, BISHARA
IPC分类号： H04B10/70 , H04B10/80 , H04J14/00
CPC分类号： H04B10/70 , H01S5/06226 , H04B10/25 , H04B10/2507 , H04B10/541 , H04B10/548 , H04B10/572 , H04L7/0075
摘要：一光子振盪器可產生具有一包括規則隔開頻譜線之頻譜的一多頻光學信號。一光檢測器可將該多頻光學信號轉換為具有一包括該等規則隔開頻譜線之頻譜的一多頻電氣信號。一帶通濾波器可衰減該多頻電氣信號之該頻譜中除一頻譜線之外的所有頻譜線以形成具有前緣/後緣之一單頻電氣信號，該等前緣/後緣具有與該光子振盪器相同的精度。一連續波雷射可鎖定至該多頻光學信號並產生在一精確鎖定至該光子振盪器之波長的一連續波光學信號。一資料編碼器/解碼器可以該單頻電氣信號之一資料速率來調變/解調一資料串流至該連續波光學信號上、從該連續波光學信號得到該資料串流。該經調變光學信號可用該單頻電氣信號之該等前緣/後緣被計時。
简体摘要：一光子振荡器可产生具有一包括守则隔开频谱线之频谱的一多频光学信号。一光检测器可将该多频光学信号转换为具有一包括该等守则隔开频谱线之频谱的一多频电气信号。一带通滤波器可衰减该多频电气信号之该频谱中除一频谱线之外的所有频谱线以形成具有前缘/后缘之一单频电气信号，该等前缘/后缘具有与该光子振荡器相同的精度。一连续波激光可锁定至该多频光学信号并产生在一精确锁定至该光子振荡器之波长的一连续波光学信号。一数据编码器/译码器可以该单频电气信号之一数据速率来调制/解调一数据串流至该连续波光学信号上、从该连续波光学信号得到该数据串流。该经调制光学信号可用该单频电气信号之该等前缘/后缘被计时。

7. 发明专利

TW201442185A 半導體封裝审中-公开
简体标题：半导体封装
公开(公告)号：TW201442185A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103125791
申请日：2012-06-13
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：松末明洋 , MATSUSUE, AKIHIRO
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L31/024 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01S5/02212 , H01S5/02236 , H01S5/02276 , H01S5/02469 , H01S5/06226 , H01S5/183 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00011
摘要：本發明係在層疊陶瓷基板(1)上設置金屬製環(2)。在層疊陶瓷基板(1)上面之中於金屬製環(2)內設置半導體雷射(6)。附玻璃窗(9)的金屬製蓋(10)係與金屬製環(2)接合。金屬製蓋(10)係覆蓋半導體雷射(6)。在金屬製蓋(10)的外側面接合外部散熱器(11)。根據此等構成，可以提升高頻特性、生產性、及散熱性。
简体摘要：本发明系在层叠陶瓷基板(1)上设置金属制环(2)。在层叠陶瓷基板(1)上面之中于金属制环(2)内设置半导体激光(6)。附玻璃窗(9)的金属制盖(10)系与金属制环(2)接合。金属制盖(10)系覆盖半导体激光(6)。在金属制盖(10)的外侧面接合外部散热器(11)。根据此等构成，可以提升高频特性、生产性、及散热性。

8. 发明专利

TW201431225A 用於耦接一電子單元及一光學單元之互連結構，及光電模組审中-公开
简体标题：用于耦接一电子单元及一光学单元之互链接构，及光电模块
公开(公告)号：TW201431225A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102145680
申请日：2013-12-11
申请人：泰科電子瑞典控股有限公司 , TYCO ELECTRONICS SVENSKA HOLDINGS AB
发明人：凱科南安德列 , KAIKKONEN, ANDREI , 倫奎斯特雷納柏歐洛夫 , LUNDQVIST, LENNART PER OLOF , 史文森勞斯高伊特 , SVENSSON, LARS-GOETE , 林柏格彼得 , LINDBERG, PETER
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H05K7/026 , G01J1/029 , G01J1/44 , G01J2001/446 , G02B6/4279 , H01S5/02276 , H01S5/0427 , H01S5/06226 , H01S5/423 , H04B10/801 , H05K1/0216 , H05K1/0243 , H05K1/025 , H05K2201/10121
摘要：本發明係關於一種用於耦接一電子單元及一光學單元之互連結構，該電子單元用於輸出及/或接收電信號，該光學單元將該等電信號轉換為光學信號及/或反之亦然。本發明亦係關於一種包括此一互連結構之光電模組。該互連結構包括一電絕緣基板及待在該電子單元(120)與該光學單元(100)之間耦接之至少一對傳輸導線(104、106)，一第一導線(104)可作為一信號線操作，一第二導線(106)可作為一接地線操作，其中該第二導線(106)係形成為具有低於該第一導線(104)之一阻抗。
简体摘要：本发明系关于一种用于耦接一电子单元及一光学单元之互链接构，该电子单元用于输出及/或接收电信号，该光学单元将该等电信号转换为光学信号及/或反之亦然。本发明亦系关于一种包括此一互链接构之光电模块。该互链接构包括一电绝缘基板及待在该电子单元(120)与该光学单元(100)之间耦接之至少一对传输导线(104、106)，一第一导线(104)可作为一信号线操作，一第二导线(106)可作为一接地线操作，其中该第二导线(106)系形成为具有低于该第一导线(104)之一阻抗。

9. 发明专利

TW201228016A 發光及雷射發光半導體之方法及裝置 LIGHT EMITTING AND LASING SEMICONDUCTOR METHODS AND DEVICES 审中-公开
简体标题：发光及激光发光半导体之方法及设备 LIGHT EMITTING AND LASING SEMICONDUCTOR METHODS AND DEVICES
公开(公告)号：TW201228016A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100134008
申请日：2011-09-21
申请人：量子電鍍光學系統有限公司
发明人：瓦特爾賈柏瑞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0025 , H01S5/06203 , H01S5/06226 , H01S5/183 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S2304/04
摘要：本發明可應用於結合一發光半導體結構使用,該發光半導體結構包含一第一導電率類型之一半導體作用區域,該半導體作用區域含有一量子大小區域且具有與一第二導電率類型之一半導體輸入區域相鄰的一第一表面,該發光半導體結構係在相對於該作用區域及該輸入區域施加電位時操作以自該作用區域產生光發射。提供一種用於增强該發光半導體結構之操作之方法,該方法包括以下步驟:提供一半導體輸出區域,該半導體輸出區域包含與一第二表面相鄰的該第一導電率類型之一半導體輔助層,該第二表面與該作用區域之該第一表面相對;及提供該輔助層作為一半導體材料,該半導體材料具有該第一導電率類型材料之少數載子之一擴散長度,該擴散長度實質上短於該作用區域之該半導體材料之少數載子之擴散長度。
简体摘要：本发明可应用于结合一发光半导体结构使用,该发光半导体结构包含一第一导电率类型之一半导体作用区域,该半导体作用区域含有一量子大小区域且具有与一第二导电率类型之一半导体输入区域相邻的一第一表面,该发光半导体结构系在相对于该作用区域及该输入区域施加电位时操作以自该作用区域产生光发射。提供一种用于增强该发光半导体结构之操作之方法,该方法包括以下步骤:提供一半导体输出区域,该半导体输出区域包含与一第二表面相邻的该第一导电率类型之一半导体辅助层,该第二表面与该作用区域之该第一表面相对;及提供该辅助层作为一半导体材料,该半导体材料具有该第一导电率类型材料之少数载子之一扩散长度,该扩散长度实质上短于该作用区域之该半导体材料之少数载子之扩散长度。

10. 发明专利

TW200417105A 包含一互補金氧半導體垂直共振腔面射型雷射驅動器及一高性能光偵測器與互補金氧半導體光接收器的高速資料通道 HIGH SPEED DATA CHANNEL INCLUDING A CMOS VCSEL DRIVER AND A HIGH PERFORMANCE PHOTOELECTOR AND CMOS PHOTORECEIVER 失效
简体标题：包含一互补金属氧化物半导体垂直共振腔面射型激光驱动器及一高性能光侦测器与互补金属氧化物半导体光接收器的高速数据信道 HIGH SPEED DATA CHANNEL INCLUDING A CMOS VCSEL DRIVER AND A HIGH PERFORMANCE PHOTOELECTOR AND CMOS PHOTORECEIVER
公开(公告)号：TW200417105A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092130038
申请日：2003-10-29
申请人：國際商業機器股份有限公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：法蘭克M 玻索 BOZSO, FERENC M. , 菲力浦G 艾瑪 EMMA, PHILLIP G.
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/0428 , H01L2224/05554 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/12032 , H01L2924/15192 , H01S5/02248 , H01S5/06226 , H01S5/183 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一高速光學通道包括一光學驅動器與一光學偵測器於一互補金氧半導體光接收器中。此光學通道驅動器包括一場效電晶體驅動器電路驅動一被動元件(例如一積體迴圈電感)與一垂直共振腔面射型雷射二極體。垂直共振腔面射型雷射二極體是由一偏壓供應器所提供偏壓。積體迴圈電感可以互補金氧半導體技術集成，且與場效電晶體驅動器與垂直共振腔面射型雷射二極體之一／二者位於相同的積體電路晶片上。光偵測器位於一半導體(矽)層中，而其可位於一絕緣層上，也就是矽位於絕緣層上。一或多個位於此矽層上的超薄金屬電極(小於2000埃)形成一蕭基能障二極體接面，而其接下來形成一量子井。此量子井包括一二維電子氣介於此超薄金屬電極與蕭基能障二極體接面之間。
简体摘要：一高速光学信道包括一光学驱动器与一光学侦测器于一互补金属氧化物半导体光接收器中。此光学信道驱动器包括一场效应管驱动器电路驱动一被动组件(例如一积体循环电感)与一垂直共振腔面射型激光二极管。垂直共振腔面射型激光二极管是由一偏压供应器所提供偏压。积体循环电感可以互补金属氧化物半导体技术集成，且与场效应管驱动器与垂直共振腔面射型激光二极管之一／二者位于相同的集成电路芯片上。光侦测器位于一半导体(硅)层中，而其可位于一绝缘层上，也就是硅位于绝缘层上。一或多个位于此硅层上的超薄金属电极(小于2000埃)形成一萧基能障二极管接面，而其接下来形成一量子井。此量子井包括一二维电子气介于此超薄金属电极与萧基能障二极管接面之间。

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