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3. 发明专利

TW201432909A 包含提供可變應力之應力產生材料層的電路元件及其形成方法审中-公开
简体标题：包含提供可变应力之应力产生材料层的电路组件及其形成方法
公开(公告)号：TW201432909A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102145092
申请日：2013-12-09
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：方柯努蓋約翰納斯 , VON KLUGE, JOHANNES
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7842 , G05F3/02 , G05F3/262 , H01L21/823807 , H01L22/30 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L28/20 , H01L29/66477 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/78 , H01L29/7833 , H01L29/8605 , H03K19/017 , H03K19/20
摘要：本發明涉及一種電晶體，包含源極區域、汲極區域、通道區域、閘極電極以及一層應力產生材料。該應力產生材料提供回應作用在該應力產生材料上的信號而可調變的應力。該層應力產生材料是設置成在至少該通道區域中提供應力。提供在至少該通道區域中的應力是回應作用在該應力產生材料上的信號而可調變。提供回應作用在該應力產生材料上的信號而可調變的應力的該層應力產生材料也可以被用在不同於電晶體的電路元件中，舉例而言，電阻器。
简体摘要：本发明涉及一种晶体管，包含源极区域、汲极区域、信道区域、闸极电极以及一层应力产生材料。该应力产生材料提供回应作用在该应力产生材料上的信号而可调制的应力。该层应力产生材料是设置成在至少该信道区域中提供应力。提供在至少该信道区域中的应力是回应作用在该应力产生材料上的信号而可调制。提供回应作用在该应力产生材料上的信号而可调制的应力的该层应力产生材料也可以被用在不同于晶体管的电路组件中，举例而言，电阻器。

4. 发明专利

TW201415790A 功率放大器模組，包括相關之系統、裝置及方法审中-公开
简体标题：功率放大器模块，包括相关之系统、设备及方法
公开(公告)号：TW201415790A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102121263
申请日：2013-06-14
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：陳霍華E , CHEN, HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO, YIFAN , 黃庭福吳 , HOANG, DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI, MEHRAN , 郭丁緬因特 , KO, TIN MYINT , 勒托拉菲利浦約翰 , LEHTOLA, PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼詹姆斯 , LOBIANCO, ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克布潘達 , MODI, HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN, HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修湯瑪斯 , OZALAS, MATTHEW THOMAS , 培帝威克山德拉路易斯 , PETTY-WEEKS, SANDRA LOUISE , 瑞德麥修尙 , READ, MATTHEW SEAN , 理吉詹斯阿爾布雷希特 , RIEGE, JENS ALBRECHT , 雷普利大衛史蒂芬 , RIPLEY, DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO, HONGXIAO , 沈宏 , SHEN, HONG , 孫衛明 , SUN, WEIMIN , 孫祥志 , SUN, HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克勞倫斯 , WELCH, PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得J 二世 , ZAMPARDI, PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG, GUOHAO
IPC分类号： H03F3/19
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016 cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9 GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。
简体摘要：本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016 cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9 GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。

5. 发明专利

TW201414191A 製程補償異質接面雙極電晶體功率放大器偏壓電路及方法审中-公开
简体标题：制程补偿异质接面双极晶体管功率放大器偏压电路及方法
公开(公告)号：TW201414191A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102121264
申请日：2013-06-14
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：雷普利大衛史蒂芬 , RIPLEY, DAVID STEVEN , 勒托拉菲利浦約翰 , LEHTOLA, PHILIP JOHN , 札帕帝彼得J 二世 , ZAMPARDI, PETER J., JR. , 邵宏曉 , SHAO, HONGXIAO , 郭丁緬因特 , KO, TIN MYINT , 歐扎拉斯麥修湯瑪斯 , OZALAS, MATTHEW THOMAS
IPC分类号： H03F3/21 , H04B1/38
CPC分类号： H03F3/195 , H01L21/8252 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L27/0605 , H01L27/0658 , H01L29/20 , H01L29/7304 , H01L29/7371 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/665 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1305 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H03F1/302 , H03F3/191 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F2200/18 , H03F2200/318 , H03F2200/411 , H03F2200/555 , H04B1/3827 , H04B1/40 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種用於加偏壓於一功率放大器之系統。該系統可包含一第一晶粒，該第一晶粒包含一功率放大器電路及具有取決於該第一晶粒之一或多個條件之一電性質之一被動組件。此外，該系統可包含一第二晶粒，該第二晶粒包含經組態以至少部分地基於該第一晶粒之該被動組件之該電性質之量測而產生一偏壓信號之一偏壓信號產生電路。
简体摘要：本发明系关于一种用于加偏压于一功率放大器之系统。该系统可包含一第一晶粒，该第一晶粒包含一功率放大器电路及具有取决于该第一晶粒之一或多个条件之一电性质之一被动组件。此外，该系统可包含一第二晶粒，该第二晶粒包含经组态以至少部分地基于该第一晶粒之该被动组件之该电性质之量测而产生一偏压信号之一偏压信号产生电路。

6. 发明专利

TW201030931A 電晶體式保護裝置及半導體積體電路 TRANSISTOR-TYPE PROTECTION DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT 失效
简体标题：晶体管式保护设备及半导体集成电路 TRANSISTOR-TYPE PROTECTION DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TW201030931A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098139937
申请日：2009-11-24
申请人：新力股份有限公司
发明人：井本努 , 小林敏夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/8605 , H01L27/0277 , H01L29/0821 , H01L29/0847 , H01L29/66659 , H01L29/7304 , H01L29/735 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種電晶體式保護裝置,其包括:一半導體基板;一具有一第一導電類型之井,其形成於該半導體基板中;一具有一第二導電類型之源極區域,其形成於該井中;一閘電極,其經由在該源極區域之一側處的一閘極絕緣膜形成於該井上;具有一第二導電類型之複數個汲極區域,其彼此隔開地形成,且分別與緊接在閘電極膜下方之一井部分分開一預定距離;及一電阻性連接部分,其以一預定電阻連接於該複數個汲極區域之間。
简体摘要：本发明提供一种晶体管式保护设备,其包括:一半导体基板;一具有一第一导电类型之井,其形成于该半导体基板中;一具有一第二导电类型之源极区域,其形成于该井中;一闸电极,其经由在该源极区域之一侧处的一闸极绝缘膜形成于该井上;具有一第二导电类型之复数个汲极区域,其彼此隔开地形成,且分别与紧接在闸电极膜下方之一井部分分开一预定距离;及一电阻性连接部分,其以一预定电阻连接于该复数个汲极区域之间。

7. 发明专利

TW200905863A 半導體積體電路裝置及使用此之半導體交換裝置 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE USING THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体集成电路设备及使用此之半导体交换设备 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE USING THEREOF
公开(公告)号：TW200905863A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW097102195
申请日：2008-01-21
申请人：日立電線股份有限公司 HITACHI CABLE, LTD.
发明人：紀川健 KIKAWA, TAKESHI , 高谷信一郎 TAKATANI, SHINICHIRO , 行本富久 YUKIMOTO, TOMIHISA , 乙木洋平 OTOKI, YOHEI , 鴨川弘幸 KAMOGAWA, HIROYUKI , 三島友義 MISHIMA, TOMOYOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L27/0605 , H01L29/155 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/8605
摘要：本發明係一種半導體積體電路裝置及使用此之半導體交換裝置,其中,屬於具有包含電場效果型電晶體之複數的半導體電子構件之半導體積體電路裝置,其中,做為對於前述電場效果型電晶體之側閘效果之構成,本發明係屬於屬於具有包含電場效果型電晶體之複數的半導體電子構件之半導體積體電路裝置,針對在在元件分離範圍之緩衝用化合物半導體層內之異種半導體接合介面及基板和緩衝用化合物半導體層的介面所產生之半導體的能量禁止帶不連續,呈不成為電場效果型電晶體之多數載體傳導於基板中時之電位阻擋地,在前述諸介面控制載體的儲存之構成,如此,可大幅降地從鄰接於電場效果型電晶體之阻抗元件等之側閘效果。
简体摘要：本发明系一种半导体集成电路设备及使用此之半导体交换设备,其中,属于具有包含电场效果型晶体管之复数的半导体电子构件之半导体集成电路设备,其中,做为对于前述电场效果型晶体管之侧闸效果之构成,本发明系属于属于具有包含电场效果型晶体管之复数的半导体电子构件之半导体集成电路设备,针对在在组件分离范围之缓冲用化合物半导体层内之异种半导体接合界面及基板和缓冲用化合物半导体层的界面所产生之半导体的能量禁止带不连续,呈不成为电场效果型晶体管之多数载体传导于基板中时之电位阻挡地,在前述诸界面控制载体的存储之构成,如此,可大幅降地从邻接于电场效果型晶体管之阻抗组件等之侧闸效果。

8. 发明专利

TW200618316A 半導體構件 HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
简体标题：半导体构件 HALBLEITERBAUELEMENT
公开(公告)号：TW200618316A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094132748
申请日：2005-09-22
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 ROBERT BOSCH GMBH
发明人：彼得弗洛爾斯 FLOHRS, PETER , 亞爾弗瑞德顧爾拉赫 GOERLACH, ALFRED , 彼得烏爾巴赫 URBACH, PETER , 渥夫剛法勒 FEILER, WOLFGANG , 渠寧 QU, NING , 克勞斯黑耶斯 HEYERS, KLAUS
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/20 , G01K7/22 , H01L27/0802 , H01L29/8605 , H01L29/8611
摘要：一種半導體構件及製造此半導體構件的方法，該半導體構件的電阻性質與溫度關係密切。此電阻性質係由於該半導體構件的特殊多層式構造而得到者，其中有一層設計成使得(例如)在一n–摻雜的領域中存在數個p–摻雜的領域，該p–摻雜的領域在一邊利用鍍金屬層短路。舉例而言，此半導體構件可用於減少電流尖峰，其中該半導體元件再整合到一導體中。在冷的狀態，該半導體構件具高電阻，此電阻在半導體構件由於流過的電流而發熱後，顯著地變較小。
简体摘要：一种半导体构件及制造此半导体构件的方法，该半导体构件的电阻性质与温度关系密切。此电阻性质系由于该半导体构件的特殊多层式构造而得到者，其中有一层设计成使得(例如)在一n–掺杂的领域中存在数个p–掺杂的领域，该p–掺杂的领域在一边利用镀金属层短路。举例而言，此半导体构件可用于减少电流尖峰，其中该半导体组件再集成到一导体中。在冷的状态，该半导体构件具高电阻，此电阻在半导体构件由于流过的电流而发热后，显着地变较小。

9. 发明专利

TW543040B 以氧化或氮化處理方式增加電阻器之電阻失效
简体标题：以氧化或氮化处理方式增加电阻器之电阻
公开(公告)号：TW543040B
公开(公告)日：2003-07-21
申请号：TW090127578
申请日：2001-11-06
申请人：萬國商業機器公司
发明人：阿內W 波蘭汀 , 丹尼爾C 艾德斯坦 , 安東尼K 史丹博
IPC分类号： H01C
CPC分类号： C23C8/02 , C23C8/04 , C23C8/10 , C23C8/24 , C25D11/00 , C25D11/02 , C25D11/026 , H01C7/006 , H01C17/26 , H01L21/263 , H01L27/0802 , H01L29/8605 , Y10S257/904 , Y10S257/914
摘要：一種用於增加位在半等體結構中電阻器之電阻的方法，係藉由分別使用氧/氮(亦即氧或氮)粒子氧化或氮化該點阻器之表層之一部份。半導體結構可包括半導體晶圓、半導體晶片以及積體電路。第一貴施例包括加熱一加熱反應室之內部，加熱反應室包含氧/氮粒子為氣體的含氧/氮分子(例如氧/氮分子)。第二實施例包括藉由輻射波束(例如雷射輻射)或粒子波束加熱表層之部分，使半導體結構位在含有氧/氮粒子為氣體的含氧/氮分子(例如氧/氮分子)之反應室中。第三實施例包括：使用電漿反應室產生電漿氧/氮雜子；以及施加直流電壓至電漿氧/氮離子以加速電漿氧/氮離子進入電阻器中，使氧/氮離子包含電漿氧/氮離子。第四實施例包括使用陽極電鍍電路在電阻器浸漬之電解溶液中電解產生氧/氮離子，其中氧/氮離子包含電解產生氧/氮離子。第五實施例包括浸漬半導體結構於包含氧/氮粒子之化學溶液中，其中氧/氮粒子可包括含氧/氮液體分子、氧/氮離子或是施壓溶解於化學溶液之含氧/氮氣體。
简体摘要：一种用于增加位在半等体结构中电阻器之电阻的方法，系借由分别使用氧/氮(亦即氧或氮)粒子氧化或氮化该点阻器之表层之一部份。半导体结构可包括半导体晶圆、半导体芯片以及集成电路。第一贵施例包括加热一加热反应室之内部，加热反应室包含氧/氮粒子为气体的含氧/氮分子(例如氧/氮分子)。第二实施例包括借由辐射波束(例如激光辐射)或粒子波束加热表层之部分，使半导体结构位在含有氧/氮粒子为气体的含氧/氮分子(例如氧/氮分子)之反应室中。第三实施例包括：使用等离子反应室产生等离子氧/氮杂子；以及施加直流电压至等离子氧/氮离子以加速等离子氧/氮离子进入电阻器中，使氧/氮离子包含等离子氧/氮离子。第四实施例包括使用阳极电镀电路在电阻器浸渍之电解溶液中电解产生氧/氮离子，其中氧/氮离子包含电解产生氧/氮离子。第五实施例包括浸渍半导体结构于包含氧/氮粒子之化学溶液中，其中氧/氮粒子可包括含氧/氮液体分子、氧/氮离子或是施压溶解于化学溶液之含氧/氮气体。

10. 发明专利

TWI600166B 用於鰭片為主之電子元件的固態源極擴散接面有权
简体标题：用于鳍片为主之电子组件的固态源极扩散接面
公开(公告)号：TWI600166B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW104118477
申请日：2015-06-08
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L27/098 , H01L29/0657 , H01L29/404 , H01L29/66166 , H01L29/66803 , H01L29/66901 , H01L29/808 , H01L29/8605

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