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1. 发明专利

TWI591793B 靜電放電保護電路有权
简体标题：静电放电保护电路
公开(公告)号：TWI591793B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW104109696
申请日：2015-03-26
申请人：立積電子股份有限公司 , RICHWAVE TECHNOLOGY CORP.
发明人：趙傳珍 , CHAO, CHUAN CHEN
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H02H9/046 , H01L27/0259 , H01L27/0647 , H01L28/20 , H01L29/0649 , H01L29/7371 , H01L29/861

2. 发明专利

TW201711189A 異質接面雙極電晶體审中-公开
简体标题：异质接面双极晶体管
公开(公告)号：TW201711189A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105127145
申请日：2016-08-24
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：高谷信一郎 , TAKATANI, SHINICHIRO , 邱瑞斌 , CHIU, JUI PIN , 張家達 , CHANG, CHIA TA
IPC分类号： H01L29/24
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L29/0817 , H01L29/1004 , H01L29/205 , H01L29/207
摘要：一種GaAs HBT，其包括在一GaAs基板上的一集極、一基極和一射極，其中所述基極包括一第一基極層，其包括具有一銦含量i和一第一斜率s1的IniGa1-iAs，和一第二基極層，其包括具有一銦含量j和一第二斜率s2的InjGa1-jAs，且s1的平均值為s2的平均值的一半或更小；或者其中所述基極包括一第三基極層，其包括具有一銦含量m的InmGa1-mAs，和一第四基極層，其包括具有一銦含量n的InnGa1-nAs，且n的一平均值大於靠近第四基極層處的m；或者其中所述基極包括一第五基極層，其擬晶於GaAs且其體晶格常數大於GaAs，所述射極包括一第三射極層，其擬晶於GaAs且其體晶格常數小於GaAs。
简体摘要：一种GaAs HBT，其包括在一GaAs基板上的一集极、一基极和一射极，其中所述基极包括一第一基极层，其包括具有一铟含量i和一第一斜率s1的IniGa1-iAs，和一第二基极层，其包括具有一铟含量j和一第二斜率s2的InjGa1-jAs，且s1的平均值为s2的平均值的一半或更小；或者其中所述基极包括一第三基极层，其包括具有一铟含量m的InmGa1-mAs，和一第四基极层，其包括具有一铟含量n的InnGa1-nAs，且n的一平均值大于靠近第四基极层处的m；或者其中所述基极包括一第五基极层，其拟晶于GaAs且其体晶格常数大于GaAs，所述射极包括一第三射极层，其拟晶于GaAs且其体晶格常数小于GaAs。

3. 发明专利

TW201709339A 半導體基板、半導體基板的製造方法及異質接合雙極電晶體审中-公开
简体标题：半导体基板、半导体基板的制造方法及异质接合双极晶体管
公开(公告)号：TW201709339A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105119528
申请日：2016-06-22
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：山中貞則 , YAMANAKA, SADANORI , 西川直宏 , NISHIKAWA, NAOHIRO , 中野強 , NAKANO, TSUYOSHI
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/66318 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/207 , H01L29/7371
摘要：本發明之課題在於提供一種即使如InGaAs般之矽原子的摻雜效率低之半導體結晶，亦能夠以較少之矽原子的導入量而得到充分的電傳導度之技術。本發明之解決手段，係提供一種半導體基板，其係具有：顯示出p型或n型的第1傳導型之第1半導體結晶層、顯示出與第1傳導型不同之第2傳導型之第2半導體結晶層、顯示出第1傳導型且能帶隙較第2半導體結晶層大之第3半導體結晶層、以及顯示出第1傳導型且能帶隙較第3半導體結晶層小之第4半導體結晶層，其中，第4半導體結晶層係含有：成為顯示出第1傳導型之第1載子的產生源之第1原子、以及成為顯示出第2傳導型之第2載子的產生源之第2原子，第4半導體結晶層於霍爾效應測定中，具有1×1019[cm-3]以上的載子濃度、及1000[cm2/Vs]以上的移動率。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种即使如InGaAs般之硅原子的掺杂效率低之半导体结晶，亦能够以较少之硅原子的导入量而得到充分的电传导度之技术。本发明之解决手段，系提供一种半导体基板，其系具有：显示出p型或n型的第1传导型之第1半导体结晶层、显示出与第1传导型不同之第2传导型之第2半导体结晶层、显示出第1传导型且能带隙较第2半导体结晶层大之第3半导体结晶层、以及显示出第1传导型且能带隙较第3半导体结晶层小之第4半导体结晶层，其中，第4半导体结晶层系含有：成为显示出第1传导型之第1载子的产生源之第1原子、以及成为显示出第2传导型之第2载子的产生源之第2原子，第4半导体结晶层于霍尔效应测定中，具有1×1019[cm-3]以上的载子浓度、及1000[cm2/Vs]以上的移动率。

4. 发明专利

TW201707090A 異質接合雙極電晶體用磊晶晶圓及異質接合雙極電晶體审中-公开
简体标题：异质接合双极晶体管用磊晶晶圆及异质接合双极晶体管
公开(公告)号：TW201707090A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105100953
申请日：2016-01-13
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：目黒健 , MEGURO, TAKESHI , 藤生真二郎 , FUJIO, SHINJIRO
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/0821 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/66318 , H01L29/7371
摘要：本發明提供無電流增幅率降低且可使次集極層之電阻降低之異質接合雙極電晶體用磊晶晶圓及異質接合雙極電晶體。於具備n型GaAs而成之次集極層(102)之異質接合雙極電晶體用磊晶晶圓(100)中，次集極層(102)含有相較取代部位共價鍵結半徑較小之n型雜質與相較取代部位共價鍵結半徑較大之n型雜質。
简体摘要：本发明提供无电流增幅率降低且可使次集极层之电阻降低之异质接合双极晶体管用磊晶晶圆及异质接合双极晶体管。于具备n型GaAs而成之次集极层(102)之异质接合双极晶体管用磊晶晶圆(100)中，次集极层(102)含有相较取代部位共价键结半径较小之n型杂质与相较取代部位共价键结半径较大之n型杂质。

5. 发明专利

TW201703154A 在主動裝置區中具有埋藏介電區之雙極接面電晶體审中-公开
简体标题：在主动设备区中具有埋藏介电区之双极接面晶体管
公开(公告)号：TW201703154A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105117542
申请日：2016-06-03
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：卡米羅卡斯羅瑞納塔 , CAMILLO-CASTILLO, RENATA , 杰恩夫厚爾 , JAIN, VIBHOR , 卡特瑪萬H , KHATER, MARWAN H.
IPC分类号： H01L21/328 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L21/26586 , H01L21/76237 , H01L21/764 , H01L29/0649 , H01L29/0821 , H01L29/66242 , H01L29/66272 , H01L29/732
摘要：本發明係關於一種雙極接面電晶體的裝置結構及製造方法。形成溝槽隔離區沿側壁環繞主動裝置區。形成介電區從該主動裝置區的側壁橫向延伸進入該主動裝置區。該介電區位於該主動裝置區的頂面之下，使得該主動裝置區的一部分位於該頂面及該介電區之間。
简体摘要：本发明系关于一种双极接面晶体管的设备结构及制造方法。形成沟槽隔离区沿侧壁环绕主动设备区。形成介电区从该主动设备区的侧壁横向延伸进入该主动设备区。该介电区位于该主动设备区的顶面之下，使得该主动设备区的一部分位于该顶面及该介电区之间。

6. 发明专利

TW201635699A 功率放大器模組，包括相關之系統、裝置及方法审中-公开
简体标题：功率放大器模块，包括相关之系统、设备及方法
公开(公告)号：TW201635699A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105120210
申请日：2013-06-14
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：陳霍華E , CHEN, HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO, YIFAN , 黃庭福吳 , HOANG, DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI, MEHRAN , 郭丁緬因特 , KO, TIN MYINT , 勒托拉菲利浦約翰 , LEHTOLA, PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼詹姆斯 , LOBIANCO, ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克布潘達 , MODI, HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN, HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修湯瑪斯 , OZALAS, MATTHEW THOMAS , 培帝威克山德拉路易斯 , PETTY-WEEKS, SANDRA LOUISE , 瑞德麥修尚 , READ, MATTHEW SEAN , 理吉詹斯阿爾布雷希特 , RIEGE, JENS ALBRECHT , 雷普利大衛史蒂芬 , RIPLEY, DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO, HONGXIAO , 沈宏 , SHEN, HONG , 孫衛明 , SUN, WEIMIN , 孫祥志 , SUN, HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克勞倫斯 , WELCH, PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得J 二世 , ZAMPARDI, PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG, GUOHAO
IPC分类号： H03F3/19
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。
简体摘要：本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。

7. 发明专利

TW201607033A 具有阻隔層結構之異質接面雙極性電晶體审中-公开
简体标题：具有阻隔层结构之异质接面双极性晶体管
公开(公告)号：TW201607033A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104117492
申请日：2015-05-29
申请人：全新光電科技股份有限公司 , VISUAL PHOTONICS EPITAXY CO., LTD.
发明人：金宇中 , CHIN, YU CHUNG , 黃朝興 , HUANG, CHAO HSING , 蕭鴻齊 , HSIAO, HUNG CHI
IPC分类号： H01L29/737
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L29/0821 , H01L29/155 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/66318
摘要：本發明提供一種異質接面雙極性電晶體，包括一GaAs基板；一次集極層，係堆疊在基板上；一阻隔層結構，係直接或間接地堆疊在次集極層上，且由以至少包含IV族原子為摻雜雜質之N型III-V族半導體形成，其中，阻隔層結構中的IV族原子摻雜總量為一阻隔層之厚度T或複數阻隔層之厚度T總和乘以該(複數)阻隔層之IV族原子摻雜濃度D大於或等於1×1012cm-2(亦即ΣT×D≧1×1012cm-2)；一集極層，係堆疊在阻隔層結構上；一基極層，係堆疊在集極層上；一射極層，係堆疊在基極層上；一射極蓋層，係堆疊在射極層上；以及一歐姆接觸層，係堆疊在射極蓋層上。
简体摘要：本发明提供一种异质接面双极性晶体管，包括一GaAs基板；一次集极层，系堆栈在基板上；一阻隔层结构，系直接或间接地堆栈在次集极层上，且由以至少包含IV族原子为掺杂杂质之N型III-V族半导体形成，其中，阻隔层结构中的IV族原子掺杂总量为一阻隔层之厚度T或复数阻隔层之厚度T总和乘以该(复数)阻隔层之IV族原子掺杂浓度D大于或等于1×1012cm-2(亦即ΣT×D≧1×1012cm-2)；一集极层，系堆栈在阻隔层结构上；一基极层，系堆栈在集极层上；一射极层，系堆栈在基极层上；一射极盖层，系堆栈在射极层上；以及一欧姆接触层，系堆栈在射极盖层上。

8. 发明专利

TWI517381B 異質接合雙極性電晶體有权
简体标题：异质接合双极性晶体管
公开(公告)号：TWI517381B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW103110274
申请日：2014-03-19
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大部功 , OBU, ISAO , 梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 黑川敦 , KUROKAWA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7378 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/205 , H01L29/41758 , H01L29/66318 , H01L29/7371

9. 发明专利

TWI509689B 介電質材料形成平台側壁的半導體製造方法及其半導體元件有权
简体标题：介电质材料形成平台侧壁的半导体制造方法及其半导体组件
公开(公告)号：TWI509689B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102104500
申请日：2013-02-06
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：綦振瀛 , CHYI, JEN INN , 王聖瑜 , WANG, SHENG YU , 陳俊明 , CHEN, JIUN MING
IPC分类号： H01L21/31 , H01L29/778
CPC分类号： H01L21/02282 , H01L21/31144 , H01L29/41708 , H01L29/42316 , H01L29/7371 , H01L29/778

10. 发明专利

TWI491020B 半導體基板、半導體基板之製造方法及電子裝置有权
简体标题：半导体基板、半导体基板之制造方法及电子设备
公开(公告)号：TWI491020B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW099110689
申请日：2010-04-07
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：市川磨 , ICHIKAWA, OSAMU
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/7371 , H01L29/7785 , H01L29/7786

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