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1. 发明专利

TWI701673B 根據本地源線ＭＲＡＭ架構之合併的寫入驅動器有权
简体标题：根据本地源线ＭＲＡＭ架构之合并的写入驱动器
公开(公告)号：TWI701673B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108113231
申请日：2019-04-16
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：郝午陽 , HAO, WUYANG , 汪傑克T , WONG, JACK T. , 江春松 , CHIANG, CHUNSUNG
IPC分类号： G11C17/18 , G11C16/26

2. 发明专利

TWI695452B 包含具有增強功能性的埋藏絕緣層的電晶體元件有权
简体标题：包含具有增强功能性的埋藏绝缘层的晶体管组件
公开(公告)号：TWI695452B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107119164
申请日：2018-06-04
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：里區特勞夫 , RICHTER, RALF , 波斯優恆威立 , POTH, JOCHEN WILLI , 拜耳斯凡 , BEYER, SVEN , 杜克史蒂芬 , DUENKEL, STEFAN , 錢達謝克哈爾山達亞 , CHANDRASHEKHAR, SANDHYA , 吳之元 , WU, ZHI-YUAN
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/336

3. 发明专利

TW202019042A 靜電放電箝制結構审中-公开
简体标题：静电放电箝制结构
公开(公告)号：TW202019042A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108120125
申请日：2019-06-11
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：李由 , LI, YOU , 路易瑟艾倫F , LOISEAU, ALAIN F. , 麥崔蘇維克 , MITRA, SOUVICK , 蔡宗哲 , TSAI, TSUNG CHE , 游米基 , YU, MICKEY , 高塞爾羅伯特J , GAUTHIER, ROBERT J.
IPC分类号： H02H1/04 , H01L23/60
摘要：本發明一般關於半導體結構，特別是關於靜電放電箝制結構及製造方法。結構包含：一箝制網路；感測元件，其與箝制串聯並組態以感測箝制網路中的至少一箝制的導通；以及反饋元件，其連接至箝制以助於箝制網路中的剩餘箝制的觸發。
简体摘要：本发明一般关于半导体结构，特别是关于静电放电箝制结构及制造方法。结构包含：一箝制网络；传感组件，其与箝制串联并组态以传感箝制网络中的至少一箝制的导通；以及反馈组件，其连接至箝制以助于箝制网络中的剩余箝制的触发。

4. 发明专利

TW202018350A 利用磁性以定位光學元件的積體光學晶粒封裝审中-公开
简体标题：利用磁性以定位光学组件的积体光学晶粒封装
公开(公告)号：TW202018350A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108119747
申请日：2019-06-06
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：雷馬強仁庫席克 , RAMACHANDRAN, KOUSHIK , 法沙諾班傑明V , FASANO, BENJAMIN V.
IPC分类号： G02B6/42
摘要：本發明提供一種積體光學(Photonic integrated circuit，PIC)封裝，包括一PIC晶粒，其包括電光電路，其中具有一光波導系統及在其一第一表面上的一V形溝槽光纖插座。該V形溝槽光纖插座為了與該光波導系統光學耦接而定位光學元件(如光纖)。光學元件可操作耦接到該光波導系統並定位於該V形溝槽光纖插座中。磁力引致器(Magnetic force inducer，MFI)定位成將該光學元件施力性地引導就位於該V形溝槽光纖插座中，以回應從與該第一表面中的V形溝槽光纖插座相對的方向所施加磁場。在組裝期間，磁場可能施加於該MFI以產生該磁力。在黏附該光學元件之後，該磁場可能保留以允許該PIC封裝更安全移動。該MFI可能與該成品組裝件一起保留並成為其一部分。
简体摘要：本发明提供一种积体光学(Photonic integrated circuit，PIC)封装，包括一PIC晶粒，其包括电光电路，其中具有一光波导系统及在其一第一表面上的一V形沟槽光纤插座。该V形沟槽光纤插座为了与该光波导系统光学耦接而定位光学组件(如光纤)。光学组件可操作耦接到该光波导系统并定位于该V形沟槽光纤插座中。磁力引致器(Magnetic force inducer，MFI)定位成将该光学组件施力性地引导就位于该V形沟槽光纤插座中，以回应从与该第一表面中的V形沟槽光纤插座相对的方向所施加磁场。在组装期间，磁场可能施加于该MFI以产生该磁力。在黏附该光学组件之后，该磁场可能保留以允许该PIC封装更安全移动。该MFI可能与该成品组装件一起保留并成为其一部分。

5. 发明专利

TWI693675B 用於對齊積體電路結構諸層的標記結構及其形成方法有权
简体标题：用于对齐集成电路结构诸层的标记结构及其形成方法
公开(公告)号：TWI693675B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW108101664
申请日：2019-01-16
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：唐明浩 , TANG, MING HAO , 任玉平 , REN, YUPING , 陳睿 , CHEN, RUI , 摩根費爾德布萊德利 , MORGENFELD, BRADLEY , 陳震G , CHEN, ZHENG G.
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/68

6. 发明专利

TWI692944B 具有一半步級解析度之晶載校正電路及方法有权
简体标题：具有一半步级分辨率之晶载校正电路及方法
公开(公告)号：TWI692944B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108127917
申请日：2019-08-06
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：杭特史羅德艾瑞克 , HUNT-SCHROEDER, ERIC , 費爾德約翰A , FIFIELD, JOHN A.
IPC分类号： H03M1/12

7. 发明专利

TWI689987B 使用光遮罩基板形貌的ＥＵＶ圖案化有权
简体标题：使用光遮罩基板形貌的ＥＵＶ图案化
公开(公告)号：TWI689987B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107106809
申请日：2018-03-01
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：夫爾德恩艾瑞克 , VERDUIJN, ERIK , 陳宇路 , CHEN, YULU , 賴柏曼拉爾斯 , LIEBMANN, LARS , 麥蓋特帕偉特 , MANGAT, PAWITTER
IPC分类号： H01L21/31 , G03F7/20

8. 发明专利

TWI688961B 針對具有共模電流源的一次性可程式化記憶體陣列的餘裕測試的結構與方法有权
简体标题：针对具有共模电流源的一次性可进程化内存数组的余裕测试的结构与方法
公开(公告)号：TWI688961B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW106146479
申请日：2017-12-29
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：費菲爾德約翰A , FIFIELD, JOHN A.
IPC分类号： G11C29/08

9. 发明专利

TW202011699A 具有一半步級解析度之晶載校正電路及方法审中-公开
简体标题：具有一半步级分辨率之晶载校正电路及方法
公开(公告)号：TW202011699A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108127917
申请日：2019-08-06
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：杭特史羅德艾瑞克 , HUNT-SCHROEDER, ERIC , 費爾德約翰A , FIFIELD, JOHN A.
IPC分类号： H03M1/12
摘要：本文揭露的是一種校正電路和方法。該電路包括：DAC，其輸出類比參數並且包括輸出參數調整電路系統；比較器，其接收參考參數和該類比參數；以及控制電路(具有選擇邏輯)，其連接至回授迴路中的該比較器和DAC。在校正模式期間，該類比參數的量度在一個方向被調整½ DAC步級，並且使用該回授迴路以實施二元搜尋校正程序。在運作模式期間，該類比參數的該量度在相對方向被調整½ DAC步級。該選擇邏輯選擇由該校正程序所識別的該DAC步級或下一個較高DAC步級作為最終DAC步級。該控制電路輸出對應於該最終DAC步級的最終DAC代碼，並且該DAC基於該最終DAC代碼而產生經校正的參數。
简体摘要：本文揭露的是一种校正电路和方法。该电路包括：DAC，其输出模拟参数并且包括输出参数调整电路系统；比较器，其接收参考参数和该模拟参数；以及控制电路(具有选择逻辑)，其连接至回授回路中的该比较器和DAC。在校正模式期间，该模拟参数的量度在一个方向被调整½ DAC步级，并且使用该回授回路以实施二元搜索校正进程。在运作模式期间，该模拟参数的该量度在相对方向被调整½ DAC步级。该选择逻辑选择由该校正进程所识别的该DAC步级或下一个较高DAC步级作为最终DAC步级。该控制电路输出对应于该最终DAC步级的最终DAC代码，并且该DAC基于该最终DAC代码而产生经校正的参数。

10. 发明专利

TWI685898B 具有重新對準之特徵佈局的鰭基二極體結構有权
简体标题：具有重新对准之特征布局的鳍基二极管结构
公开(公告)号：TWI685898B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW107117376
申请日：2018-05-22
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：于洪 , YU, MICKEY , 路易艘艾廉 , LOISEAU, ALAIN , 米拉索夫克 , MITRA, SOUVICK , 蔡宗哲 , TSAI, TSUNG CHE , 李由 , LI, YOU , 葛樂爾二世羅伯特J , GAUTHIER JR., ROBERT J.
IPC分类号： H01L21/328 , H01L21/20 , H01L29/73

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