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1. 发明专利

TW201810936A 功率放大器模組审中-公开
简体标题：功率放大器模块
公开(公告)号：TW201810936A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106121307
申请日：2013-06-14
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：陳霍華 E , CHEN,HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO,YIFAN , 黃庭福吳 , HOANG,DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI,MEHRAN , 郭丁緬因特 , KO,TIN MYINT , 勒托拉菲利浦約翰 , LEHTOLA,PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼詹姆斯 , LOBIANCO,ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克布潘達 , MODI,HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN,HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修湯瑪斯 , OZALAS,MATTHEW THOMAS , 培帝-威克山德拉路易斯 , PETTY-WEEKS,SANDRA LOUISE , 瑞德麥修尚 , READ,MATTHEW SEAN , 理吉詹斯阿爾布雷希特 , RIEGE,JENS ALBRECHT , 雷普利大衛史蒂芬 , RIPLEY,DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO,HONGXIAO , 沈宏 , SHEN,HONG , 孫衛明 , SUN,WEIMIN , 孫祥志 , SUN,HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克勞倫斯 , WELCH,PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得 J 二世 , ZAMPARDI,PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG,GUOHAO
IPC分类号： H03F3/19
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9 GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。
简体摘要：本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9 GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。

2. 发明专利

TW201807762A 形成用於扇出嵌入式晶圓級球柵陣列中的電源／接地面的嵌入式導電層的半導體裝置和方法审中-公开
简体标题：形成用于扇出嵌入式晶圆级球栅数组中的电源／接地面的嵌入式导电层的半导体设备和方法
公开(公告)号：TW201807762A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106136733
申请日：2014-03-06
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 包旭升 , BAO, XU SHENG , 陳康 , CHEN, KANG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L21/485 , H01L21/568 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種半導體裝置具有一第一導電層以及一被設置成相鄰於該第一導電層的半導體晶粒。一囊封體被設置在該第一導電層與半導體晶粒上方。一絕緣層被形成在該囊封體、半導體晶粒、以及第一導電層上方。一第二導電層被形成在該絕緣層上方。該第一導電層的一第一部分被電連接至VSS並且形成一接地面。該第一導電層的一第二部分被電連接至VDD並且形成一電源面。該第一導電層、絕緣層、以及第二導電層構成一去耦電容器。一包含該第二導電層的一線路的微帶線被形成在該絕緣層與第一導電層上方。該第一導電層被提供在一嵌入式仿真晶粒、互連單元、或是模組式PCB單元的上方。
简体摘要：一种半导体设备具有一第一导电层以及一被设置成相邻于该第一导电层的半导体晶粒。一囊封体被设置在该第一导电层与半导体晶粒上方。一绝缘层被形成在该囊封体、半导体晶粒、以及第一导电层上方。一第二导电层被形成在该绝缘层上方。该第一导电层的一第一部分被电连接至VSS并且形成一接地面。该第一导电层的一第二部分被电连接至VDD并且形成一电源面。该第一导电层、绝缘层、以及第二导电层构成一去耦电容器。一包含该第二导电层的一线路的微带线被形成在该绝缘层与第一导电层上方。该第一导电层被提供在一嵌入式仿真晶粒、互连单元、或是模块式PCB单元的上方。

3. 发明专利

TW201806312A 功率放大器模組审中-公开
简体标题：功率放大器模块
公开(公告)号：TW201806312A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106139581
申请日：2013-06-14
申请人：美商西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：陳霍華 E , CHEN,HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO,YIFAN , 黃庭福吳 , HOANG,DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI,MEHRAN , 郭丁緬因特 , KO,TIN MYINT , 勒托拉菲利浦約翰 , LEHTOLA,PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼詹姆斯 , LOBIANCO,ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克布潘達 , MODI,HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN,HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修湯瑪斯 , OZALAS,MATTHEW THOMAS , 培帝-威克山德拉路易斯 , PETTY-WEEKS,SANDRA LOUISE , 瑞德麥修尚 , READ,MATTHEW SEAN , 理吉詹斯阿爾布雷希特 , RIEGE,JENS ALBRECHT , 雷普利大衛史蒂芬 , RIPLEY,DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO,HONGXIAO , 沈宏 , SHEN,HONG , 孫衛明 , SUN,WEIMIN , 孫祥志 , SUN,HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克勞倫斯 , WELCH,PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得 J 二世 , ZAMPARDI,PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG,GUOHAO
IPC分类号： H03F3/19 , H01L21/60
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9 GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。
简体摘要：本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9 GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。

4. 发明专利

TW201739018A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201739018A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106112843
申请日：2017-04-18
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：團野忠敏 , DANNO, TADATOSHI , 松下司 , MATSUSHITA, TSUKASA , 錦澤篤志 , NISHIKIZAWA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/492 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/49541 , H01L21/4828 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L23/49582 , H01L24/43 , H01L24/46 , H01L2224/48091
摘要：本發明令半導體裝置的可靠度提高。藉由在形成將晶片襯墊、搭載在晶片襯墊上的半導體晶片、複數條引線以及將半導體晶片的複數個襯墊電極與複數條引線分別電連接的複數條導線封裝的樹脂封裝部之後，將樹脂封裝部與複數條引線用旋轉刀刃切斷，以製造出半導體裝置PKG。在半導體裝置PKG中，引線LD1、LD2的各自的至少一部分從封裝部MR的底面MRb露出，引線LD1、LD2的切斷面(亦即端面TM1、TM2)，從樹脂封裝部的切斷面(亦即封裝部MR的側面)露出。引線LD1的端面TM1的底邊KH1與封裝部MR的頂面MRa之間的距離，比其相鄰的引線LD2的端面TM2的頂邊JH2與封裝部MR的頂面MRa之間的距離更小。
简体摘要：本发明令半导体设备的可靠度提高。借由在形成将芯片衬垫、搭载在芯片衬垫上的半导体芯片、复数条引线以及将半导体芯片的复数个衬垫电极与复数条引线分别电连接的复数条导线封装的树脂封装部之后，将树脂封装部与复数条引线用旋转刀刃切断，以制造出半导体设备PKG。在半导体设备PKG中，引线LD1、LD2的各自的至少一部分从封装部MR的底面MRb露出，引线LD1、LD2的切断面(亦即端面TM1、TM2)，从树脂封装部的切断面(亦即封装部MR的侧面)露出。引线LD1的端面TM1的底边KH1与封装部MR的顶面MRa之间的距离，比其相邻的引线LD2的端面TM2的顶边JH2与封装部MR的顶面MRa之间的距离更小。

6. 发明专利

TW201715671A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201715671A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105117131
申请日：2016-06-01
申请人：艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人：金陽瑞 , KIM, YOUNG RAE , 杜旺朱 , DO, WON CHUL , 李吉弘 , LEE, JI HUN , 張民華 , CHANG, MIN HWA , 金東和 , KIM, DONG HYUN , 李旺求 , LEE, WANG GU , 黃金良 , HWANG, JIN RYANG , 崔美京 , CHOI, MI KYEONG
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/18 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/5382 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/13116 , H01L2224/16238 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81203 , H01L2224/81423 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81464 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/0105
摘要：一種半導體封裝及一種其製造方法，所述半導體封裝及其製造方法能夠減小所述半導體封裝的大小並且提高產品可靠性。在非限制性實例實施例中，所述方法可以包括在晶圓上形成插入件，在所述插入件上形成至少一個加固部件，將至少一個半導體晶粒耦合且電連接到所述插入件，用底膠填充所述半導體晶粒與所述插入件之間的區域，並且使用囊封物囊封所述插入件上的所述加固部件、所述半導體晶粒和所述底膠。
简体摘要：一种半导体封装及一种其制造方法，所述半导体封装及其制造方法能够减小所述半导体封装的大小并且提高产品可靠性。在非限制性实例实施例中，所述方法可以包括在晶圆上形成插入件，在所述插入件上形成至少一个加固部件，将至少一个半导体晶粒耦合且电连接到所述插入件，用底胶填充所述半导体晶粒与所述插入件之间的区域，并且使用囊封物囊封所述插入件上的所述加固部件、所述半导体晶粒和所述底胶。

7. 发明专利

TW201517218A 具有仿真銅圖案的嵌入式印刷電路板單元之均衡表面的半導體裝置和方法审中-公开
简体标题：具有仿真铜图案的嵌入式印刷电路板单元之均衡表面的半导体设备和方法
公开(公告)号：TW201517218A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103126865
申请日：2014-08-06
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 陳康 , CHEN, KANG , 高英華 , GOH, HIN HWA , 沈一權 , SHIM, IL KWON
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/488 , H01L23/495
CPC分类号： H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24155 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/82
摘要：一種半導體裝置係具有一基板。一導電貫孔係穿過該基板來加以形成。複數個第一接觸墊係形成在該基板的一第一表面之上。複數個第二接觸墊係形成在該基板的一第二表面之上。一仿真圖案係形成在該基板的第二表面之上。一凹口係形成在該基板的一側壁中。一開口係穿過該基板來加以形成。一種囊封體係沉積在該開口中。一絕緣層係形成在該基板的第二表面之上。一仿真開口係形成在該絕緣層中。一半導體晶粒係相鄰該基板而被設置。一種囊封體係沉積在該半導體晶粒及基板之上。該基板的第一表面係包含一寬度是大於該基板的第二表面的一寬度。
简体摘要：一种半导体设备系具有一基板。一导电贯孔系穿过该基板来加以形成。复数个第一接触垫系形成在该基板的一第一表面之上。复数个第二接触垫系形成在该基板的一第二表面之上。一仿真图案系形成在该基板的第二表面之上。一凹口系形成在该基板的一侧壁中。一开口系穿过该基板来加以形成。一种囊封体系沉积在该开口中。一绝缘层系形成在该基板的第二表面之上。一仿真开口系形成在该绝缘层中。一半导体晶粒系相邻该基板而被设置。一种囊封体系沉积在该半导体晶粒及基板之上。该基板的第一表面系包含一宽度是大于该基板的第二表面的一宽度。

8. 发明专利

TWI289206B 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI289206B
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW095101870
申请日：2006-01-18
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：宮田真次 MIYATA, SHINJI
IPC分类号： G01R , H01L
CPC分类号： H01L23/5382 , H01L21/485 , H01L23/50 , H01L24/48 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：一種半導體裝置能夠以一單一外部端設定大量的操作模式，同時不管在電源供應電壓上的變動而確保一穩定操作模式。該半導體裝置包含一具有多數個模式的內部電路、依連接至該外部端的外部電阻器、及一根據流經該外部電阻器之電流來產生一設定信號的電流檢測電路。該內部電路包含一模式設定電路其因應該設定信號來設定該內部電路的該等操作模式之一。
简体摘要：一种半导体设备能够以一单一外部端设置大量的操作模式，同时不管在电源供应电压上的变动而确保一稳定操作模式。该半导体设备包含一具有多数个模式的内部电路、依连接至该外部端的外部电阻器、及一根据流经该外部电阻器之电流来产生一设置信号的电流检测电路。该内部电路包含一模式设置电路其因应该设置信号来设置该内部电路的该等操作模式之一。

9. 发明专利

TW200729448A 高密度三度空間半導體晶粒封裝 HIGH DENSITY THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DIE PACKAGE 审中-公开
简体标题：高密度三度空间半导体晶粒封装 HIGH DENSITY THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DIE PACKAGE
公开(公告)号：TW200729448A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095140456
申请日：2006-11-01
申请人：桑迪士克股份有限公司 SANDISK CORPORATION
发明人：奇門育 YU, CHEEMEN , 廖智清 LIAO, CHIH CHIN , 漢塔奇爾 TAKIAR, HEM
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C5/143 , G11C8/12 , H01L21/485 , H01L23/5382 , H01L25/50 , H01L2225/06527 , H01L2225/06579 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種半導體封裝,其包括在堆疊及接合基板層(例如捲帶自動接合製程中的聚醯亞胺捲帶)上固定的複數個半導體晶粒。該捲帶具有在其上所形成的複數個重複跡線及接觸墊圖案。該等跡線在該基板之個別頂部及底部表面上各包括對齊互連墊,用於在已從該基板切斷該等圖案、對齊並堆疊之後,將一圖案之該等跡線接合至另一圖案之該等跡線。半導體晶粒(例如快閃記憶體)及一控制器晶粒係固定於該基板上的該等個別圖案之該等跡線上。為了使該控制器晶粒在該堆疊內唯一定址一特定快閃記憶體晶粒,在支撐該記憶體晶粒之各基板上的一組跡線係用作位址接針並相對於其他基板上的該等跡線之佈局以一唯一佈局來加以衝孔。藉由向一基板上的各快閃記憶體半導體晶粒提供一唯一位址跡線佈局,該控制器晶粒可選擇性地定址各記憶體晶粒。
简体摘要：本发明揭示一种半导体封装,其包括在堆栈及接合基板层(例如卷带自动接合制程中的聚酰亚胺卷带)上固定的复数个半导体晶粒。该卷带具有在其上所形成的复数个重复迹线及接触垫图案。该等迹线在该基板之个别顶部及底部表面上各包括对齐互连垫,用于在已从该基板切断该等图案、对齐并堆栈之后,将一图案之该等迹线接合至另一图案之该等迹线。半导体晶粒(例如闪存)及一控制器晶粒系固定于该基板上的该等个别图案之该等迹在线。为了使该控制器晶粒在该堆栈内唯一寻址一特定闪存晶粒,在支撑该内存晶粒之各基板上的一组迹线系用作位址接针并相对于其他基板上的该等迹线之布局以一唯一布局来加以冲孔。借由向一基板上的各闪存半导体晶粒提供一唯一位址迹线布局,该控制器晶粒可选择性地寻址各内存晶粒。

10. 发明专利

TWI254972B 銲墊結構 BOND PAD STRUCTURE 有权
简体标题：焊垫结构 BOND PAD STRUCTURE
公开(公告)号：TWI254972B
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：TW094123418
申请日：2005-07-11
申请人：慧榮科技股份有限公司 SILICONMOTION INC.
发明人：陳德威 CHEN, TEWEI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/485 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種銲墊結構，包含複數個標準銲墊以及一導通結構。導通結構具有複數個區塊，每一區塊之上接合至少一備用銲墊。區塊之間藉由一介電材料相隔離，標準銲墊分別接合於各區塊之上方，與備用銲墊相對應且電性導通。
简体摘要：一种焊垫结构，包含复数个标准焊垫以及一导通结构。导通结构具有复数个区块，每一区块之上接合至少一备用焊垫。区块之间借由一介电材料相隔离，标准焊垫分别接合于各区块之上方，与备用焊垫相对应且电性导通。

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