发明专利
TW201030931A 電晶體式保護裝置及半導體積體電路 TRANSISTOR-TYPE PROTECTION DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
失效
基本信息:
- 专利标题： 電晶體式保護裝置及半導體積體電路 TRANSISTOR-TYPE PROTECTION DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
- 专利标题（英）：Transistor-type protection device and semiconductor integrated circuit
- 专利标题（中）：晶体管式保护设备及半导体集成电路 TRANSISTOR-TYPE PROTECTION DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
- 申请号：TW098139937 申请日：2009-11-24
- 公开(公告)号：TW201030931A 公开(公告)日：2010-08-16
- 发明人： 井本努 , 小林敏夫
- 申请人： 新力股份有限公司
- 申请人地址： SONY CORPORATION 日本 JP
- 专利权人： 新力股份有限公司
- 当前专利权人： 新力股份有限公司
- 当前专利权人地址： SONY CORPORATION 日本 JP
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 日本 2008-310188 20081204
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明提供一種電晶體式保護裝置,其包括:一半導體基板;一具有一第一導電類型之井,其形成於該半導體基板中;一具有一第二導電類型之源極區域,其形成於該井中;一閘電極,其經由在該源極區域之一側處的一閘極絕緣膜形成於該井上;具有一第二導電類型之複數個汲極區域,其彼此隔開地形成,且分別與緊接在閘電極膜下方之一井部分分開一預定距離;及一電阻性連接部分,其以一預定電阻連接於該複數個汲極區域之間。
摘要（中）：
本发明提供一种晶体管式保护设备,其包括:一半导体基板;一具有一第一导电类型之井,其形成于该半导体基板中;一具有一第二导电类型之源极区域,其形成于该井中;一闸电极,其经由在该源极区域之一侧处的一闸极绝缘膜形成于该井上;具有一第二导电类型之复数个汲极区域,其彼此隔开地形成,且分别与紧接在闸电极膜下方之一井部分分开一预定距离;及一电阻性连接部分,其以一预定电阻连接于该复数个汲极区域之间。
摘要（英）：
A transistor-type protection device includes: a semiconductor substrate; a well of a first-conductivity-type formed in the semiconductor substrate; a source region of a second-conductivity-type formed in the well; a gate electrode formed on the well via a gate insulating film at one side of the source region; plural drain regions of a second-conductivity-type formed apart from each other and respectively separated at a predetermined distance from a well part immediately below the gate electrode film; and a resistive connection part connecting between the plural drain regions with a predetermined electric resistance.
公开/授权文献:
- TWI418011B 電晶體式保護裝置及半導體積體電路 公开/授权日：2013-12-01