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1. 发明专利

TW201635699A 功率放大器模組，包括相關之系統、裝置及方法审中-公开
简体标题：功率放大器模块，包括相关之系统、设备及方法
公开(公告)号：TW201635699A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105120210
申请日：2013-06-14
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：陳霍華E , CHEN, HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO, YIFAN , 黃庭福吳 , HOANG, DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI, MEHRAN , 郭丁緬因特 , KO, TIN MYINT , 勒托拉菲利浦約翰 , LEHTOLA, PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼詹姆斯 , LOBIANCO, ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克布潘達 , MODI, HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN, HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修湯瑪斯 , OZALAS, MATTHEW THOMAS , 培帝威克山德拉路易斯 , PETTY-WEEKS, SANDRA LOUISE , 瑞德麥修尚 , READ, MATTHEW SEAN , 理吉詹斯阿爾布雷希特 , RIEGE, JENS ALBRECHT , 雷普利大衛史蒂芬 , RIPLEY, DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO, HONGXIAO , 沈宏 , SHEN, HONG , 孫衛明 , SUN, WEIMIN , 孫祥志 , SUN, HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克勞倫斯 , WELCH, PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得J 二世 , ZAMPARDI, PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG, GUOHAO
IPC分类号： H03F3/19
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。
简体摘要：本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。

2. 发明专利

TW201607033A 具有阻隔層結構之異質接面雙極性電晶體审中-公开
简体标题：具有阻隔层结构之异质接面双极性晶体管
公开(公告)号：TW201607033A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104117492
申请日：2015-05-29
申请人：全新光電科技股份有限公司 , VISUAL PHOTONICS EPITAXY CO., LTD.
发明人：金宇中 , CHIN, YU CHUNG , 黃朝興 , HUANG, CHAO HSING , 蕭鴻齊 , HSIAO, HUNG CHI
IPC分类号： H01L29/737
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L29/0821 , H01L29/155 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/66318
摘要：本發明提供一種異質接面雙極性電晶體，包括一GaAs基板；一次集極層，係堆疊在基板上；一阻隔層結構，係直接或間接地堆疊在次集極層上，且由以至少包含IV族原子為摻雜雜質之N型III-V族半導體形成，其中，阻隔層結構中的IV族原子摻雜總量為一阻隔層之厚度T或複數阻隔層之厚度T總和乘以該(複數)阻隔層之IV族原子摻雜濃度D大於或等於1×1012cm-2(亦即ΣT×D≧1×1012cm-2)；一集極層，係堆疊在阻隔層結構上；一基極層，係堆疊在集極層上；一射極層，係堆疊在基極層上；一射極蓋層，係堆疊在射極層上；以及一歐姆接觸層，係堆疊在射極蓋層上。
简体摘要：本发明提供一种异质接面双极性晶体管，包括一GaAs基板；一次集极层，系堆栈在基板上；一阻隔层结构，系直接或间接地堆栈在次集极层上，且由以至少包含IV族原子为掺杂杂质之N型III-V族半导体形成，其中，阻隔层结构中的IV族原子掺杂总量为一阻隔层之厚度T或复数阻隔层之厚度T总和乘以该(复数)阻隔层之IV族原子掺杂浓度D大于或等于1×1012cm-2(亦即ΣT×D≧1×1012cm-2)；一集极层，系堆栈在阻隔层结构上；一基极层，系堆栈在集极层上；一射极层，系堆栈在基极层上；一射极盖层，系堆栈在射极层上；以及一欧姆接触层，系堆栈在射极盖层上。

3. 发明专利

TWI500075B 二極體、雙極接面電晶體及於鰭型場效電晶體裝置內二極體之製造方法有权
简体标题：二极管、双极接面晶体管及于鳍型场效应管设备内二极管之制造方法
公开(公告)号：TWI500075B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW102118581
申请日：2013-05-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：胡嘉欣 , HU, CHIA HSIN , 張勝傑 , CHANG, SUN JAY , 洪照俊 , HORNG, JAW JUINN , 陳重輝 , CHEN, CHUNG HUI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8248
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L27/0664 , H01L27/0814 , H01L29/861

4. 发明专利

TWI493687B 結合高壓元件之方法有权
简体标题：结合高压组件之方法
公开(公告)号：TWI493687B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101134268
申请日：2012-09-19
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：秀明土子 , HIDEAKI, TSUCHIKO
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/22
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/761 , H01L21/8222 , H01L21/8228 , H01L21/823481 , H01L21/823493 , H01L27/0623 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L27/0821 , H01L27/0823 , H01L27/088 , H01L29/063 , H01L29/10 , H01L29/1079 , H01L29/1083 , H01L29/42368 , H01L29/66272 , H01L29/732 , H01L29/735 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L29/8611

5. 发明专利

TW201351569A 一種化合物半導體晶圓結構审中-公开
简体标题：一种化合物半导体晶圆结构
公开(公告)号：TW201351569A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW101121120
申请日：2012-06-13
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：林正國 , LIN, CHENG KUO , 李思儒 , LI, SZU JU , 許榮豪 , SYU, RONG HAO , 蔡緒孝 , TSAI, SHU HSIAO
IPC分类号： H01L21/8248 , H01L23/60
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L29/205 , H01L29/7371 , H01L29/87
摘要：一種化合物半導體晶圓結構，包含一基板、一n型場效電晶體磊晶結構，一n型摻雜蝕刻終止層、一p型插入層以及一npn異質接面雙極電晶體磊晶結構，可用以製作場效電晶體、異質接面雙極電晶體或閘流管電晶體。
简体摘要：一种化合物半导体晶圆结构，包含一基板、一n型场效应管磊晶结构，一n型掺杂蚀刻终止层、一p型插入层以及一npn异质接面双极晶体管磊晶结构，可用以制作场效应管、异质接面双极晶体管或闸流管晶体管。

6. 发明专利

TW201240080A 具有表面防護之雙極性接面電晶體及其製造方法 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WITH SURFACE PROTECTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：具有表面防护之双极性接面晶体管及其制造方法 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WITH SURFACE PROTECTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201240080A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100109509
申请日：2011-03-21
申请人：立錡科技股份有限公司
发明人：詹前陵 , 王郁權 , 蘇宏德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7322 , H01L27/0623 , H01L27/1052 , H01L29/66272
摘要：本發明提出一種具有表面防護之雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor,BJT)及其製造方法。該雙極性接面電晶體,形成於基板中,包含:形成於基板中之第一導電型基極、第二導電型射極、與第二導電型集極,其中,第一導電型基極介於第二導電型射極與第二導電型集極之間並分隔第二導電型射極與第二導電型集極,且基極包括基極接觸區,用以作為基極之電性接點;以及閘極結構形成於基板表面上,且閘極結構介於基極接觸區與第二導電型射極之間。
简体摘要：本发明提出一种具有表面防护之双极性接面晶体管(bipolar junction transistor,BJT)及其制造方法。该双极性接面晶体管,形成于基板中,包含:形成于基板中之第一导电型基极、第二导电型射极、与第二导电型集极,其中,第一导电型基极介于第二导电型射极与第二导电型集极之间并分隔第二导电型射极与第二导电型集极,且基极包括基极接触区,用以作为基极之电性接点;以及闸极结构形成于基板表面上,且闸极结构介于基极接触区与第二导电型射极之间。

7. 发明专利

TWI370520B 製造一半導體部件之方法，及藉其而形成之半導體部件 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT FORMED THEREBY 有权
简体标题：制造一半导体部件之方法，及藉其而形成之半导体部件 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT FORMED THEREBY
公开(公告)号：TWI370520B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW093140146
申请日：2004-12-22
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：詹姆士A 克屈蓋斯奈
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7322 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/0642 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/66242 , H01L29/66272 , H01L29/7378
摘要：本發明揭示一種製造一半導體部件之方法，其包括：提供一半導體基板(210、510)；在該半導體基板中形成一溝渠(130、430)以定義藉由該溝渠而彼此分離之複數個作用區域；在該半導體基板中於該溝渠之一部分下形成一埋入層(240、750)，其中該埋入層至少係部分鄰接該溝渠；在形成該埋入層後，將一電絕緣材料(133、810)沈積於該溝渠內；在該等複數個作用區域中的一區域內形成一集極區域(150、950)，其中該集極區域形成對該埋入層之一接觸；在該等複數個作用區域中的一區域上形成一基極結構；以及在該等複數個作用區域中的一區域上形成一射極區域。
简体摘要：本发明揭示一种制造一半导体部件之方法，其包括：提供一半导体基板(210、510)；在该半导体基板中形成一沟渠(130、430)以定义借由该沟渠而彼此分离之复数个作用区域；在该半导体基板中于该沟渠之一部分下形成一埋入层(240、750)，其中该埋入层至少系部分邻接该沟渠；在形成该埋入层后，将一电绝缘材料(133、810)沉积于该沟渠内；在该等复数个作用区域中的一区域内形成一集极区域(150、950)，其中该集极区域形成对该埋入层之一接触；在该等复数个作用区域中的一区域上形成一基极结构；以及在该等复数个作用区域中的一区域上形成一射极区域。

8. 发明专利

TW201225287A 用於阻止半導體層混合之方法以及層狀結構 METHOD AND LAYER STRUCTURE FOR PREVENTING INTERMIXING OF SEMICONDUCTOR LAYERS 审中-公开
简体标题：用于阻止半导体层混合之方法以及层状结构 METHOD AND LAYER STRUCTURE FOR PREVENTING INTERMIXING OF SEMICONDUCTOR LAYERS
公开(公告)号：TW201225287A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100133412
申请日：2011-09-16
申请人：寇平公司
发明人：史蒂芬斯凱文S , 雷德艾瑞克M , 魯茲查理斯R
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/66242 , H01L29/66462 , H01L29/737 , H01L29/7786
摘要：一種半導體器件包括位於場效應電晶體的一第一層與雙極電晶體的一第二層之間的一蝕刻停止層,它們中的每一個包括至少一個基於砷的半導體層。一p型層位於該第二層與該蝕刻停止層之間,並且該器件可以包括被沉積在該蝕刻停止層與該p型層之間的一n型層。該p型層提供了一電場,該電場抑制了該InGaP層與該第一和第二層中的多個層的混合。
简体摘要：一种半导体器件包括位于场效应晶体管的一第一层与双极晶体管的一第二层之间的一蚀刻停止层,它们中的每一个包括至少一个基于砷的半导体层。一p型层位于该第二层与该蚀刻停止层之间,并且该器件可以包括被沉积在该蚀刻停止层与该p型层之间的一n型层。该p型层提供了一电场,该电场抑制了该InGaP层与该第一和第二层中的多个层的混合。

9. 发明专利

TWI364795B 雙極互補式金氧半導體技術之集極形成方法 METHOD OF COLLECTOR FORMATION IN BiCMOS TECHNOLOGY 失效
简体标题：双极互补式金属氧化物半导体技术之集极形成方法 METHOD OF COLLECTOR FORMATION IN BiCMOS TECHNOLOGY
公开(公告)号：TWI364795B
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：TW094131487
申请日：2005-09-13
申请人：萬國商業機器公司
发明人：彼得J 傑斯 , 彼得B 格瑞 , 艾文J 喬瑟夫 , 劉奇紀
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0821 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/66242 , H01L29/66318
摘要：提供一種異質雙極電晶體(heterobipolar trsnsistor(HBT))，供高速雙極互補式金氧半導體(BiCMOS)應用，其中，藉由提供一埋設耐熱金屬矽化物層(buried refractory metal silicide layer)於元件之次集極(subcollector)的淺溝槽隔離區域(shallow trench isolation region)之下，而降低集極電阻(Rc)。特別是，本發明之HBT包含：具有至少一次集極的一基板；位於次集極上的一埋設耐熱金屬矽化物層；以及位於埋設耐熱金屬矽化物層之一表面上的一淺溝槽隔離區域。本發明亦提供製造此HBT的方法。此方法包含：形成一埋設耐熱金屬矽化物層於元件之次集極的淺溝槽隔離區域之下。
简体摘要：提供一种异质双极晶体管(heterobipolar trsnsistor(HBT))，供高速双极互补式金属氧化物半导体(BiCMOS)应用，其中，借由提供一埋设耐热金属硅化物层(buried refractory metal silicide layer)于组件之次集极(subcollector)的浅沟槽隔离区域(shallow trench isolation region)之下，而降低集极电阻(Rc)。特别是，本发明之HBT包含：具有至少一次集极的一基板；位于次集极上的一埋设耐热金属硅化物层；以及位于埋设耐热金属硅化物层之一表面上的一浅沟槽隔离区域。本发明亦提供制造此HBT的方法。此方法包含：形成一埋设耐热金属硅化物层于组件之次集极的浅沟槽隔离区域之下。

10. 发明专利

TW201044589A 組態及製造其中以不同摻雜定義場效電晶體之源極和汲極延伸的半導體結構 CONFIGURATION AND FABRICATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE IN WHICH SOURCE AND DRAIN EXTENSIONS OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR ARE DEFINED WITH DIFFERENT DOPANTS 审中-公开
简体标题：组态及制造其中以不同掺杂定义场效应管之源极和汲极延伸的半导体结构 CONFIGURATION AND FABRICATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE IN WHICH SOURCE AND DRAIN EXTENSIONS OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR ARE DEFINED WITH DIFFERENT DOPANTS
公开(公告)号：TW201044589A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW099108664
申请日：2010-03-24
申请人：國家半導體公司
发明人：巴爾山蒂普R , 法蘭奇威廉D , 布魯西亞康史坦丁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L21/82285 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0922 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/167 , H01L29/6659 , H01L29/66659
摘要：本發明提供一種沿著一半導體主體之上方表面被設置的絕緣閘場效電晶體,其含有會被一通道區帶(244)橫向分離的一對源極/汲極區帶(240與242)。一閘極電極(262)會疊置在該通道區帶上方的閘極介電層(260)上方。每一個源極/汲極區帶皆包含一主要部(240M或242M)及一較輕度摻雜的橫向延伸區(240E或242E),該較輕度摻雜的橫向延伸區會橫向接續該主要部且橫向延伸在該閘極電極的下方。該等橫向延伸區會沿著該上方半導體表面來終止該通道區帶,且分別大部分係由具有不同原子重量的一對半導體摻雜物來定義。若該電晶體為非對稱裝置,該等源極/汲極區帶便會構成一源極與一汲極。因此,該源極的橫向延伸區的摻雜程度會輕過該汲極的橫向延伸區,且該源極的橫向延伸區係利用較高原子重量的摻雜物來定義。
简体摘要：本发明提供一种沿着一半导体主体之上方表面被设置的绝缘闸场效应管,其含有会被一信道区带(244)横向分离的一对源极/汲极区带(240与242)。一闸极电极(262)会叠置在该信道区带上方的闸极介电层(260)上方。每一个源极/汲极区带皆包含一主要部(240M或242M)及一较轻度掺杂的横向延伸区(240E或242E),该较轻度掺杂的横向延伸区会横向接续该主要部且横向延伸在该闸极电极的下方。该等横向延伸区会沿着该上方半导体表面来终止该信道区带,且分别大部分系由具有不同原子重量的一对半导体掺杂物来定义。若该晶体管为非对称设备,该等源极/汲极区带便会构成一源极与一汲极。因此,该源极的横向延伸区的掺杂程度会轻过该汲极的横向延伸区,且该源极的横向延伸区系利用较高原子重量的掺杂物来定义。

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