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1. 发明专利

TWI619683B 用於光學品質玻璃之形成上的高純度鎳模具有权
简体标题：用于光学品质玻璃之形成上的高纯度镍模具
公开(公告)号：TWI619683B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103102002
申请日：2014-01-20
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：霍恩克利斯鄧馬利耶 , HORN, KRISTEN MARIE , 萊曼大衛邁倫 , LINEMAN, DAVID MYRON , 莫里斯凱文湯瑪士 , MORRIS, KEVIN THOMAS , 王文昭 , WANG, WENCHAO
IPC分类号： C03B23/035 , B29C33/38
CPC分类号： C03B40/00 , C03B11/00 , C03B23/002 , C03B23/023 , C03B23/0252 , C03B23/0302 , C03B23/0355 , C03B23/0357 , C03B40/02 , C23C8/10 , Y02P40/57

2. 发明专利

TWI519654B 耐腐蝕性暨磁力特性優異之鋼材及其製造方法有权
简体标题：耐腐蚀性暨磁力特性优异之钢材及其制造方法
公开(公告)号：TWI519654B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103111719
申请日：2014-03-28
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：增本慶 , MASUMOTO, KEI
IPC分类号： C22C38/40 , C22C38/20 , C22C38/34 , C22C38/60 , C22C38/42 , C22C38/16 , C22C38/06 , H01F1/14 , C21D1/26 , C21D1/76 , C21D6/00
CPC分类号： H01F1/14766 , C21D1/26 , C21D6/001 , C21D6/002 , C21D6/004 , C21D6/005 , C21D6/008 , C21D8/1272 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/004 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/08 , C22C38/16 , C22C38/20 , C22C38/34 , C22C38/42 , C22C38/60 , C23C8/10 , H01F1/147 , H01F41/00

3. 发明专利

TW201431802A 用於成形玻璃之模具及其製造方法审中-公开
简体标题：用于成形玻璃之模具及其制造方法
公开(公告)号：TW201431802A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW103102137
申请日：2014-01-21
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：霍恩克利斯鄧馬利耶 , HORN, KRISTEN MARIE , 萊曼大衛邁倫 , LINEMAN, DAVID MYRON , 莫里斯凱文湯瑪士 , MORRIS, KEVIN THOMAS , 王文昭 , WANG, WENCHAO , 沃瑪金E , WOMER, KIM E
IPC分类号： C03B23/035 , B29C33/38
CPC分类号： C03B40/00 , C03B11/00 , C03B23/002 , C03B23/023 , C03B23/0252 , C03B23/0302 , C03B23/0355 , C03B23/0357 , C03B40/02 , C23C8/10 , Y02P40/57
摘要：用於成形玻璃之模具，該模具可由包含以下步驟的方法所製作：提供模具主體，模具主體具有成形表面，成形表面包括至少約90%的鎳，及藉由曝露成形表面至氧化熱處理來修改模具主體之成形表面之組成物。氧化熱處理可包含斜坡熱處理、固定熱處理或斜坡熱處理及固定熱處理兩者。斜坡熱處理可包含於從約20℃/小時至約500℃/小時的速率下增加加熱溫度至從約700℃至約1000℃的溫度。固定熱處理可包含保持從約700℃至約1000℃的加熱溫度一段保持時間，保持時間至少約5分鐘。
简体摘要：用于成形玻璃之模具，该模具可由包含以下步骤的方法所制作：提供模具主体，模具主体具有成形表面，成形表面包括至少约90%的镍，及借由曝露成形表面至氧化热处理来修改模具主体之成形表面之组成物。氧化热处理可包含斜坡热处理、固定热处理或斜坡热处理及固定热处理两者。斜坡热处理可包含于从约20℃/小时至约500℃/小时的速率下增加加热温度至从约700℃至约1000℃的温度。固定热处理可包含保持从约700℃至约1000℃的加热温度一段保持时间，保持时间至少约5分钟。

4. 发明专利

TW201230192A 用以降低超低ｋ介電薄膜之黏著層厚度並增進其破壞抵抗性之製程 PROCESS FOR LOWERING ADHESION LAYER THICKNESS AND IMPROVING DAMAGE RESISTANCE FOR THIN ULTRA LOW-K DIELECTRIC FILM 审中-公开
简体标题：用以降低超低ｋ介电薄膜之黏着层厚度并增进其破坏抵抗性之制程 PROCESS FOR LOWERING ADHESION LAYER THICKNESS AND IMPROVING DAMAGE RESISTANCE FOR THIN ULTRA LOW-K DIELECTRIC FILM
公开(公告)号：TW201230192A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100140756
申请日：2011-11-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：查哈布拉瑪亨德拉 , 任康樹 , 狄摩斯亞歷山卓T
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/401 , C23C8/10 , C23C16/45523 , C23C16/56
摘要：在此提供一種改良的方法用於沉積超低介電常數薄膜堆疊。本發明實施例藉由將超低介電薄膜堆疊(小於2k)中的氧化物黏著層厚度降低至約或小於200,而將來自沉積超低介電常數薄膜堆疊的最初階段的k(介電常數)影響最小化,因而將薄膜堆疊的厚度非均勻性降低至小於2%。該改良的製程以較低的沉積速率與較低的電漿密度以及較高的總流速,於超低介電薄膜堆疊中沉積氧化物黏著層與塊層,而在薄膜沉積期間,產生共沉積物種的較佳封裝/排序,此導致較高機械强度與較低孔隙率。改良的黏著層提供高附著能,使超低介電常數薄膜與下層阻障/襯墊層間具有較佳的附著性。所產生的低介電薄膜具有奈米尺寸的孔洞以及較緊密的孔洞尺寸分佈,而得到具有約2.5或更低的介電常數的低介電常數薄膜。
简体摘要：在此提供一种改良的方法用于沉积超低介电常数薄膜堆栈。本发明实施例借由将超低介电薄膜堆栈(小于2k)中的氧化物黏着层厚度降低至约或小于200,而将来自沉积超低介电常数薄膜堆栈的最初阶段的k(介电常数)影响最小化,因而将薄膜堆栈的厚度非均匀性降低至小于2%。该改良的制程以较低的沉积速率与较低的等离子密度以及较高的总流速,于超低介电薄膜堆栈中沉积氧化物黏着层与块层,而在薄膜沉积期间,产生共沉积物种的较佳封装/排序,此导致较高机械强度与较低孔隙率。改良的黏着层提供高附着能,使超低介电常数薄膜与下层阻障/衬垫层间具有较佳的附着性。所产生的低介电薄膜具有奈米尺寸的孔洞以及较紧密的孔洞尺寸分布,而得到具有约2.5或更低的介电常数的低介电常数薄膜。

5. 发明专利

TW201211315A 防止金屬氧化之方法 METHOD FOR PREVENTING METAL OXIDATION 审中-公开
简体标题：防止金属氧化之方法 METHOD FOR PREVENTING METAL OXIDATION
公开(公告)号：TW201211315A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100120885
申请日：2011-06-15
申请人：涂嘉晉 , 李應煌
发明人：涂嘉晉 , 李應煌
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C23C8/02 , C23C8/10
摘要：一種防止金屬氧化之方法，其製作過程為：將使用的金屬件置入真空容器；注入氫氣；整個容器升溫至攝氏200度；降溫並將氫氣匯出；從容器中取出該金屬件；以及將該金屬件置於含氧環境中。其不需要附加有機膜和無機膜即可阻絕氧氣進一步氧化金屬。
简体摘要：一种防止金属氧化之方法，其制作过程为：将使用的金属件置入真空容器；注入氢气；整个容器升温至摄氏200度；降温并将氢气导出；从容器中取出该金属件；以及将该金属件置于含氧环境中。其不需要附加有机膜和无机膜即可阻绝氧气进一步氧化金属。

6. 发明专利

TW200900538A 金屬表面處理的製程 A PROCESS FOR TREATMENT OF METAL SURFACES 失效
简体标题：金属表面处理的制程 A PROCESS FOR TREATMENT OF METAL SURFACES
公开(公告)号：TW200900538A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW096140664
申请日：2007-10-30
申请人：拜耳材料科學股份有限公司 BAYER MATERIALSCIENCE AG
发明人：艾爾特 EBERT, WOLFGANG , 梅利斯 MELLIS, RAINER , 梅伊爾 MEYER, ALEXANDER , 貝爾特 RUYTINX, BERT , 卡貝奇 KARBACH, ALEXANDER , 戴立弗 MICHALSKI-VOLLMER, DETLEF
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C22/06 , B29C33/00 , B29C47/0009 , B29C47/68 , B29C47/686 , B29K2069/00 , C08G64/406 , C23C8/10 , C23C22/50
摘要：本發明揭露一種聚碳酸酯之製造及處理時所用之設備之工作表面的處理製程。在氧化環境中的熱處理,產生具有較佳光學性質的樹脂與模塑物品。
简体摘要：本发明揭露一种聚碳酸酯之制造及处理时所用之设备之工作表面的处理制程。在氧化环境中的热处理,产生具有较佳光学性质的树脂与模塑物品。

7. 发明专利

TW200834720A 半導體製程用氧化裝置與方法 OXIDATION APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR PROCESS 审中-公开
简体标题：半导体制程用氧化设备与方法 OXIDATION APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR PROCESS
公开(公告)号：TW200834720A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096135603
申请日：2007-09-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：井上久司 INOUE, HISASHI , 問谷昌孝 TOIYA, MASATAKA , 水野功勝 MIZUNO, YOSHIKATSU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C8/10 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L21/67109
摘要：一種半導體製程用氧化裝置,其包含:一製程容器,該製程容器具有一製程場域,其經組態用以在間隔處垂直地容納目標基板;一加熱器,其經組態用以加熱該製程場域;一排氣系統,其經組態用以從該製程場域內排氣;一個氧化氣體供應電路,其經組態用以將一種氧化氣體供應至該製程場域;及一去氧氣體供應電路,其經組態用以將一去氧氣體供應至該製程場域。該氧化氣體供應電路包含一個氧化氣體噴嘴,其係在一對應於該製程場域之垂直長度上延伸,且具有在對應於該製程場域之垂直長度上排列的氣體噴流孔。該去氧氣體供應電路包括去氧氣體噴嘴,該等去氧氣體噴嘴具有分別對應於垂直排列之製程場域的區之不同高度,及各具有一形成在一對應區之高度處的氣體噴流孔。
简体摘要：一种半导体制程用氧化设备,其包含:一制程容器,该制程容器具有一制程场域,其经组态用以在间隔处垂直地容纳目标基板;一加热器,其经组态用以加热该制程场域;一排气系统,其经组态用以从该制程场域内排气;一个氧化气体供应电路,其经组态用以将一种氧化气体供应至该制程场域;及一去氧气体供应电路,其经组态用以将一去氧气体供应至该制程场域。该氧化气体供应电路包含一个氧化气体喷嘴,其系在一对应于该制程场域之垂直长度上延伸,且具有在对应于该制程场域之垂直长度上排列的气体喷流孔。该去氧气体供应电路包括去氧气体喷嘴,该等去氧气体喷嘴具有分别对应于垂直排列之制程场域的区之不同高度,及各具有一形成在一对应区之高度处的气体喷流孔。

8. 发明专利

TW200818315A 電漿氧化處理方法审中-公开
简体标题：等离子氧化处理方法
公开(公告)号：TW200818315A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096131864
申请日：2007-08-28
申请人：國立大學法人名古屋大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：堀勝 HORI, MASARU , 鹽澤俊彥 SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 壁義郎 KABE, YOSHIRO , 北川淳一 KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , C23C8/10 , C23C8/36 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L22/20
摘要：在電漿處理裝置的處理室內,使用含氧的處理氣體,且使用O(^1D2)自由基之密度為1�10^12【【㎝^-3】】以上的電漿,將被處理體的表面施行電漿氧化處理,而形成氧化矽膜。在進行電漿氧化處理的期間,利用VUV單光器(monochromater)63,計測電漿中之O(^1D2)自由基的密度,且修正電漿處理條件。
简体摘要：在等离子处理设备的处理室内,使用含氧的处理气体,且使用O(^1D2)自由基之密度为1�10^12【【㎝^-3】】以上的等离子,将被处理体的表面施行等离子氧化处理,而形成氧化硅膜。在进行等离子氧化处理的期间,利用VUV单光器(monochromater)63,计测等离子中之O(^1D2)自由基的密度,且修正等离子处理条件。

9. 发明专利

TW200612480A 用於光阻劑剝離室之鋁裸板 BARE ALUMINUM BAFFLES FOR RESIST STRIPPING CHAMBERS 审中-公开
简体标题：用于光阻剂剥离室之铝裸板 BARE ALUMINUM BAFFLES FOR RESIST STRIPPING CHAMBERS
公开(公告)号：TW200612480A
公开(公告)日：2006-04-16
申请号：TW094120703
申请日：2005-06-21
申请人：藍姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：佛列迪D 伊格利 EGLEY, FRED D. , 邁可肯格 KANG, MICHAEL , 安東尼L 陳 CHEN, ANTHONY L. , 郭J KUO, JACK , 洪辛 SHIH, HONG , 當肯傲卡 OUTKA, DUANE , 布勞諾莫瑞 MOREL, BRUNO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32633 , C23C8/02 , C23C8/10 , G03F7/427 , H01J37/32357 , H01J2237/3342
摘要：一種裸鋁板係適應於光阻劑剝離室，且其包括一外氧化鋁層，該外氧化鋁層可為一天然氧化鋁層或一藉由將一新或舊裸鋁板化學處理而形成之層，以形成一薄外氧化鋁層。
简体摘要：一种裸铝板系适应于光阻剂剥离室，且其包括一外氧化铝层，该外氧化铝层可为一天然氧化铝层或一借由将一新或旧裸铝板化学处理而形成之层，以形成一薄外氧化铝层。

10. 发明专利

TW200510105A 鎢惰性氣體(TIG)焊接裝置以及方法 TIG WELDING APPARATUS AND TIG WELDING METHOD 审中-公开
简体标题：钨惰性气体(TIG)焊接设备以及方法 TIG WELDING APPARATUS AND TIG WELDING METHOD
公开(公告)号：TW200510105A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093104039
申请日：2004-02-19
申请人：日本酸素股份有限公司 NIPPON SANSO CORPORATION
发明人：佐藤豊幸 SATOU, TOYOYUKI , 中村幸司 NAKAMURA, KOJI , 木村裕 KIMURA, YUTAKA , 藤井英俊 FUJII, HIDETOSHI , 陸善平 LU, SHANPING , 野城清 NOSHIRO, KIYOSHI
IPC分类号： B23K
CPC分类号： C23C8/10 , B23K9/167 , B23K9/296 , B23K35/383 , C23C26/02
摘要：提供一種TIG焊接裝置以及方法，在TIG焊接中能夠不降低焊接品質的形成深的焊接金屬部，並可以容易的進行焊接施工而且提高焊接效率。此焊接裝置具備：在與被焊接物10之間產生電弧7的鎢電極2、包圍鎢電極2所設置的管狀的內噴嘴3、包圍此內噴嘴3所設置的管狀的外噴嘴4，於內噴嘴3內能夠供應第1遮蔽氣體8，並且於內噴嘴3與外噴嘴4的間隙能夠供應含氧化性氣體的第2遮蔽氣體9。
简体摘要：提供一种TIG焊接设备以及方法，在TIG焊接中能够不降低焊接品质的形成深的焊接金属部，并可以容易的进行焊接施工而且提高焊接效率。此焊接设备具备：在与被焊接物10之间产生电弧7的钨电极2、包围钨电极2所设置的管状的内喷嘴3、包围此内喷嘴3所设置的管状的外喷嘴4，于内喷嘴3内能够供应第1屏蔽气体8，并且于内喷嘴3与外喷嘴4的间隙能够供应含氧化性气体的第2屏蔽气体9。

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