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1. 发明专利

TWI666732B 半導體結構及系統晶片（ＳｏＣ）積體電路及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及系统芯片（ＳｏＣ）集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TWI666732B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW106116731
申请日：2014-09-25
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：歐賴克法羅曼 , OLAC-VAW, ROMAN W. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 劉培基 , LIU, PEI CHI
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/12 , H01L29/78

2. 发明专利

TWI666706B 具有橫向逐漸改變之功函數的電晶體閘極金屬有权
简体标题：具有横向逐渐改变之功函数的晶体管闸极金属
公开(公告)号：TWI666706B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104122557
申请日：2015-07-13
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：歐雷瓦羅門 , OLAC-VAW, ROMAN , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 張旭佑 , CHANG, HSU YU , 張婷 , CHANG, TING , 瑞瑪斯維米瑞豪 , RAMASWAMY, RAHUL , 劉培基 , LIU, PEI CHI , 迪亞斯奈維爾 , DIAS, NEVILLE
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

3. 发明专利

TWI664679B 有空洞加速的崩潰的金屬氧化物半導體（ＭＯＳ）反熔絲有权
简体标题：有空洞加速的崩溃的金属氧化物半导体（ＭＯＳ）反熔丝
公开(公告)号：TWI664679B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW104122774
申请日：2015-07-14
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：歐雷瓦羅門 , OLAC-VAW, ROMAN , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 張婷 , CHANG, TING , 劉培基 , LIU, PEI CHI , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 張旭佑 , CHANG, HSU YU , 瑞瑪斯維米瑞豪 , RAMASWAMY, RAHUL , 迪亞斯奈維爾 , DIAS, NEVILLE
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

4. 发明专利

TW201832349A 具有電介質襯裡之高電壓三維裝置审中-公开
简体标题：具有电介质衬里之高电压三维设备
公开(公告)号：TW201832349A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106139962
申请日：2013-06-13
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 哈瑪撒帝古賓納 , BHIMARASETTI, GOPINATH
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/31
摘要：說明具有電介質襯裡的高電壓三維裝置以及具有電介質襯裡的高電壓三維裝置的形成方法。舉例而言，半導體結構包含配置在上述基底上方的第一鰭主動區以及第二鰭主動區。第一閘極結構配置在第一鰭主動區的上表面上方、以及延著第一鰭主動區的側壁。第一閘極結構包含第一閘極電介質、第一閘極電極、及第一間隔器。第一閘極電介質由配置在第一鰭主動區上及延著第一間隔器側壁之第一電介層、以及配置在第一電介層上及延著第一間隔器側壁之第二、不同的電介層構成。半導體結構也包含配置在第二鰭主動區的上表面上方、以及延著第二鰭主動區的側壁之第二閘極結構。第二閘極結構包含第二閘極電介質、第二閘極電極、及第二間隔器。第二閘極電介質由配置在第二鰭主動區上及延著第二間隔器側壁之第二電介層構成。
简体摘要：说明具有电介质衬里的高电压三维设备以及具有电介质衬里的高电压三维设备的形成方法。举例而言，半导体结构包含配置在上述基底上方的第一鳍主动区以及第二鳍主动区。第一闸极结构配置在第一鳍主动区的上表面上方、以及延着第一鳍主动区的侧壁。第一闸极结构包含第一闸极电介质、第一闸极电极、及第一间隔器。第一闸极电介质由配置在第一鳍主动区上及延着第一间隔器侧壁之第一电介层、以及配置在第一电介层上及延着第一间隔器侧壁之第二、不同的电介层构成。半导体结构也包含配置在第二鳍主动区的上表面上方、以及延着第二鳍主动区的侧壁之第二闸极结构。第二闸极结构包含第二闸极电介质、第二闸极电极、及第二间隔器。第二闸极电介质由配置在第二鳍主动区上及延着第二间隔器侧壁之第二电介层构成。

5. 发明专利

TW201810541A 半導體裝置、動態隨機存取記憶體單元及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备、动态随机存取内存单元及其制造方法
公开(公告)号：TW201810541A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106116732
申请日：2014-09-18
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：朴朱東 , PARK, JOODONG , 哈瑪撒帝古賓納 , BHIMARASETTI, GOPINATH , 瑞瑪斯維米瑞豪 , RAMASWAMY, RAHUL , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10826 , H01L27/10808 , H01L27/10879 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7854
摘要：描述用於嵌式動態隨機存取記憶體(eDRAM)的低洩漏非平面存取電晶體及製造用於eDRAM的低洩漏非平面存取電晶體之方法。例如，半導體裝置包括半導體鰭片，其係配置於基底之上並包括一配置於兩寬鰭片區之間的窄鰭片區。閘極電極堆疊被配置為與該半導體鰭片之該窄鰭片區共形，該閘極電極堆疊包括一配置於閘極電介質層上之閘極電極。該閘極電介質層包括下層及上層，該下層係由該半導體鰭片之氧化物所組成。包括一對源極/汲極區，該些源極/汲極區之每一者係配置於該寬鰭片區之一相應者中。
简体摘要：描述用于嵌式动态随机存取内存(eDRAM)的低泄漏非平面存取晶体管及制造用于eDRAM的低泄漏非平面存取晶体管之方法。例如，半导体设备包括半导体鳍片，其系配置于基底之上并包括一配置于两宽鳍片区之间的窄鳍片区。闸极电极堆栈被配置为与该半导体鳍片之该窄鳍片区共形，该闸极电极堆栈包括一配置于闸极电介质层上之闸极电极。该闸极电介质层包括下层及上层，该下层系由该半导体鳍片之氧化物所组成。包括一对源极/汲极区，该些源极/汲极区之每一者系配置于该宽鳍片区之一相应者中。

6. 发明专利

TWI610419B 用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器有权
简体标题：用于非平面半导体设备架构的精密电阻器
公开(公告)号：TWI610419B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105123243
申请日：2013-09-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉正亞 , YEH, JENG YA D. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L27/0629 , H01L27/0886 , H01L28/20 , H01L29/66545 , H01L29/66795

7. 发明专利

TWI608621B 有頂阻擋層的具有自對準鰭部的非平面半導體裝置有权
简体标题：有顶阻挡层的具有自对准鳍部的非平面半导体设备
公开(公告)号：TWI608621B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105105807
申请日：2014-06-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L29/42368 , H01L29/66795 , H01L29/785

8. 发明专利

TWI593059B 半導體結構及系統晶片(SoC)積體電路及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及系统芯片(SoC)集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TWI593059B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW103133276
申请日：2014-09-25
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：歐賴克法羅曼 , OLAC-VAW, ROMAN W. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 劉培基 , LIU, PEI CHI
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/82345 , H01L21/28088 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/845 , H01L23/5283 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/4966 , H01L29/66545

9. 发明专利

TWI593058B 具回填式端子之抗熔絲有权
简体标题：具回填式端子之抗熔丝
公开(公告)号：TWI593058B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104100266
申请日：2015-01-06
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：李呈光 , LEE, CHEN GUAN , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： H01L27/11206 , H01L23/5252 , H01L27/0629 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

10. 发明专利

TW201724353A 具有氣隙間隔層的電晶體审中-公开
简体标题：具有气隙间隔层的晶体管
公开(公告)号：TW201724353A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105118407
申请日：2016-06-13
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：李呈光 , LEE, CHEN GUAN , 朴朱東 , PARK, JOODONG , 劉恩劭 , LIU, EN SHAO , 卡西迪康佛埃弗里特 , CASSIDY-COMFORT, EVERETT S. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L21/764
CPC分类号： H01L29/4991 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76897 , H01L29/66545 , H01L29/78
摘要：可製造微電子電晶體而具有形成為閘極側壁間隔層的氣隙間隔層，使得氣隙間隔層位於閘極電極與微電子電晶體之源極接點及/或汲極接點之間。當氣態物質的介電常數明顯地低於固態或者半固態介電材料之介電常數時，氣隙間隔層可造成閘極電極與源極接點及/或汲極接點之間最小的電容耦合，其可降低微電子電晶體之電路延遲。
简体摘要：可制造微电子晶体管而具有形成为闸极侧壁间隔层的气隙间隔层，使得气隙间隔层位于闸极电极与微电子晶体管之源极接点及/或汲极接点之间。当气态物质的介电常数明显地低于固态或者半固态介电材料之介电常数时，气隙间隔层可造成闸极电极与源极接点及/或汲极接点之间最小的电容耦合，其可降低微电子晶体管之电路延迟。

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