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1. 发明专利

TWI585851B 電漿蝕刻方法有权
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TWI585851B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104135224
申请日：2013-01-04
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：阿部高廣 , ABE, TAKAHIRO , 山本直広 , YAMAMOTO, NAOHIRO , 山田健太郎 , YAMADA, KENTARO , 須山淳 , SUYAMA, MAKOTO , 藤田大介 , FUJITA, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： G11B5/3163 , C23F4/00 , G01R33/098 , G11B5/1278 , G11B5/3909

2. 发明专利

TW201327676A 磁性元件及其製造方法审中-公开
简体标题：磁性组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201327676A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101143849
申请日：2012-11-23
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李學善 , LEE, HAK-SUN , 渡嘉敷健 , TOKASHIKI, KEN , 金明哲 , KIM, MYEONG-CHEOL , 權亨峻 , KWON, HYUNG-JOON , 李相旻 , LEE, SANG-MIN , 李祐澈 , LEE, WOO-CHEOL , 鄭明勳 , JUNG, MYUNG-HOON
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/12 , B81C1/00531 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3163 , H01L21/3065 , H01L27/228 , Y10T428/24479
摘要：一種磁性元件及其製造方法，包括堆疊結構。所述堆疊結構包括至少一個磁性層，使用包括至少70體積百分比之含氫的氣體及至少2體積百分比之CO氣體的蝕刻氣體對所述堆疊結構進行蝕刻。
简体摘要：一种磁性组件及其制造方法，包括堆栈结构。所述堆栈结构包括至少一个磁性层，使用包括至少70体积百分比之含氢的气体及至少2体积百分比之CO气体的蚀刻气体对所述堆栈结构进行蚀刻。

3. 发明专利

TWI303449B 抗蝕圖案增厚材料及形成抗蝕圖案之方法與半導體裝置及其製造方法 RESIST PATTERN THICKENING MATERIAL AND PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERN, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：抗蚀图案增厚材料及形成抗蚀图案之方法与半导体设备及其制造方法 RESIST PATTERN THICKENING MATERIAL AND PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERN, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI303449B
公开(公告)日：2008-11-21
申请号：TW095102263
申请日：2006-01-20
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：野崎耕司 NOZAKI, KOJI , 小澤美和 KOZAWA, MIWA , 並木崇久 NAMIKI, TAKAHISA
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G11B5/3163 , G03F7/2024 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/0275 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11543 , Y10S430/106 , Y10S430/114
摘要：本發明提供一種抗蝕圖案增厚材料,其可利用ArF激元雷射光;當施加於欲增厚之,例如以直線及空間圖案之形式的抗蝕圖案上時,不管欲增厚之抗蝕圖案的尺寸,其可增加該抗蝕圖案之厚度;且其適於形成超過曝光限制之微細空間圖案或諸如此類。本發明亦提供一種形成抗蝕圖案之方法及製備半導體裝置之方法,其中最好利用本發明之該抗蝕圖案增厚材料。
简体摘要：本发明提供一种抗蚀图案增厚材料,其可利用ArF激元激光光;当施加于欲增厚之,例如以直线及空间图案之形式的抗蚀图案上时,不管欲增厚之抗蚀图案的尺寸,其可增加该抗蚀图案之厚度;且其适于形成超过曝光限制之微细空间图案或诸如此类。本发明亦提供一种形成抗蚀图案之方法及制备半导体设备之方法,其中最好利用本发明之该抗蚀图案增厚材料。

4. 发明专利

TWI255969B 增强化學性型之正型光阻組成物 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE PHOTORESIST COMOPSITION 有权
简体标题：增强化学性型之正型光阻组成物 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE PHOTORESIST COMOPSITION
公开(公告)号：TWI255969B
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW093106520
申请日：2004-03-11
申请人：東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：新堀博 SHIMBORI, HIROSHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G11B5/3903 , G03F7/0392 , G11B5/3106 , G11B5/3163 , Y10S430/114 , Y10S430/115
摘要：提供可形成微細光阻圖案，且可將該光阻圖案之錐形形狀角度控制於適度角度，並且可形成焦點深度寬優良之光阻圖案的正型光阻組成物。此正型光阻組成物為由增強化學性型的正型光阻組成物所形成，且厚度0.3μm之光阻膜於波長248nm的光線穿透率為20~75％。
简体摘要：提供可形成微细光阻图案，且可将该光阻图案之锥形形状角度控制于适度角度，并且可形成焦点深度宽优良之光阻图案的正型光阻组成物。此正型光阻组成物为由增强化学性型的正型光阻组成物所形成，且厚度0.3μm之光阻膜于波长248nm的光线穿透率为20~75％。

5. 发明专利

TWI245342B 多層膜材料之乾式蝕刻方法 METHOD OF DRY-ETCHING A MULTI-LAYER FILM MATERIAL 失效
简体标题：多层膜材料之干式蚀刻方法 METHOD OF DRY-ETCHING A MULTI-LAYER FILM MATERIAL
公开(公告)号：TWI245342B
公开(公告)日：2005-12-11
申请号：TW092130439
申请日：2003-10-31
申请人：瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP.
发明人：川井健治 KAWAI, KENJI
IPC分类号： H01L , C23F
CPC分类号： C23F4/00 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L43/12
摘要：本發明提供一種含有金屬薄膜的多層膜材料之乾式蝕刻方法，其特徵為：作為蝕刻氣體，而將含有羰基的氣體及含有鹵元素的氣體中之至少1種氣體與電子供予性氣體組合使用。由此，可提升蝕刻速度及蝕刻各向異性等的蝕刻特性，以減少圖案側壁聚合物膜(9)之生成之同時，可有效去除所生成的圖案側壁聚合物膜(9)。
简体摘要：本发明提供一种含有金属薄膜的多层膜材料之干式蚀刻方法，其特征为：作为蚀刻气体，而将含有羰基的气体及含有卤元素的气体中之至少1种气体与电子供予性气体组合使用。由此，可提升蚀刻速度及蚀刻各向异性等的蚀刻特性，以减少图案侧壁聚合物膜(9)之生成之同时，可有效去除所生成的图案侧壁聚合物膜(9)。

6. 发明专利

TW200514079A 使用氣態轉變於磁性薄膜形成圖案之方法及系統 METHOD AND SYSTEM FOR PATTERNING OF MAGNETIC THIN FILMS USING GASEOUS TRANSFORMATION 失效
简体标题：使用气态转变于磁性薄膜形成图案之方法及系统 METHOD AND SYSTEM FOR PATTERNING OF MAGNETIC THIN FILMS USING GASEOUS TRANSFORMATION
公开(公告)号：TW200514079A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW093121406
申请日：2004-07-16
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：大衛威廉亞伯拉罕 ABRAHAM, DAVID WILLIAM , 尤金約翰歐蘇利文 O'SULLIVAN, EUGENE JOHN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , C23F4/00 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F41/308 , H01F41/34 , H01L43/12 , Y10T428/12542
摘要：一種於磁性薄膜形成圖案之方法(及所得結構)，其包括使用磁性薄膜之一部分的化學轉變，而將該部分轉變為非磁性且電絕緣性。
简体摘要：一种于磁性薄膜形成图案之方法(及所得结构)，其包括使用磁性薄膜之一部分的化学转变，而将该部分转变为非磁性且电绝缘性。

7. 发明专利

TW200304944A 供化學機械拋光用之催化性組成物,使用彼之方法及受彼處理過的基質 CATALYTIC COMPOSITION FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING, METHOD OF USING SAME, AND SUBSTRATE TREATED WITH SAME 审中-公开
简体标题：供化学机械抛光用之催化性组成物,使用彼之方法及受彼处理过的基质 CATALYTIC COMPOSITION FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING, METHOD OF USING SAME, AND SUBSTRATE TREATED WITH SAME
公开(公告)号：TW200304944A
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：TW092102775
申请日：2003-02-11
申请人：依凱希科技公司 EKC TECHNOLOGY, INC.
发明人：羅伯特史莫 SMALL, ROBERT J. , 布蘭登史考特 SCOTT, BRANDON S.
IPC分类号： C09G , C09K , B24B
CPC分类号： H01L21/3212 , B24B37/044 , C03C19/00 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1445 , C09K3/1463 , C23F3/00 , C23F3/04 , G11B5/3163 , G11B5/3169 , Y02P20/582
摘要：本發明提出供化學機械拋光用之組成物，其至少包含一種表面至少局部經以催化劑塗覆的研磨料顆粒。該催化劑包含除了第4（b）族、第5（b）族或第6（b）族金屬之外的金屬。此組成物進一步的至少包含一種氧化劑。此組成物據信係由於介於塗覆在研磨料微粒之表面上的催化劑與氧化劑之間的交互作用而有效的，且此交互作用發生在催化劑表面上。本發明進一步提供將比組成物用於在基質表面上的一面或層（如金屬膜）拋光的方法。本發明額外地提供由此方法製作的基材。
简体摘要：本发明提出供化学机械抛光用之组成物，其至少包含一种表面至少局部经以催化剂涂覆的研磨料颗粒。该催化剂包含除了第4（b）族、第5（b）族或第6（b）族金属之外的金属。此组成物进一步的至少包含一种氧化剂。此组成物据信系由于介于涂覆在研磨料微粒之表面上的催化剂与氧化剂之间的交互作用而有效的，且此交互作用发生在催化剂表面上。本发明进一步提供将比组成物用于在基质表面上的一面或层（如金属膜）抛光的方法。本发明额外地提供由此方法制作的基材。

8. 发明专利

TW556054B 剝離組成物有权
简体标题：剥离组成物
公开(公告)号：TW556054B
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW090118969
申请日：2001-08-03
申请人：希普列公司
发明人：傑法J 蘇巴瑞
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/02071 , G03F7/425 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , H01L21/02052 , H01L21/31116 , H01L21/31133 , H01L21/31138
摘要：揭示用以自基板如電子器件移除聚合材料之組成物及方法。所揭示之組成物及方法，特別適合以減少金屬表面腐蝕方式，自高級積體電路器件移除聚合物殘料。
简体摘要：揭示用以自基板如电子器件移除聚合材料之组成物及方法。所揭示之组成物及方法，特别适合以减少金属表面腐蚀方式，自高级集成电路器件移除聚合物残料。

9. 发明专利

TW247363B 含校準之磁極尖的薄膜式合併磁阻磁頭失效
简体标题：含校准之磁极尖的薄膜式合并磁阻磁头
公开(公告)号：TW247363B
公开(公告)日：1995-05-11
申请号：TW083109551
申请日：1994-10-14
申请人：萬國商業機器公司
发明人：曾欽華 , 穆汗默德.托菲克.柯比 , 羅日雙.傑瑞 , 羅伯.姆.瓦萊塔
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/3967 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , Y10T29/49048
摘要：本發明提供一種有垂直校準之側壁以使側向散射極小化並改善離軌效能的合併磁阻磁頭。包含讀取磁頭之第二屏蔽層S2的底部磁極件P1有一具有長度很短之基座磁極尖。長度像間隙層Ｇ之長度兩倍般短的基座磁極尖極佳地使側面寫入極小化並改善離脫效能。寫入磁頭之底部磁極尖結構係利用頂部磁極尖結構當作覆罩進行離子束碾磨而構成。離子束碾磨方向朝向與頂部磁尖結構之側壁呈另一角度而使底部磁極尖結構被碾磨成側壁與頂部磁極尖結構校準。離子束碾磨可包含有二個角度的束或為前後順序地進行，或為同時地進行第一束，主要執行切削作業及一些清除工作而第二束主要執行清除因切削形成之碎片再沉澱質的工作。在另一種具體實例中可使用，一單獨有角度的離子束，而其角度是在一特別角度以內。
简体摘要：本发明提供一种有垂直校准之侧壁以使侧向散射极小化并改善离轨性能的合并磁阻磁头。包含读取磁头之第二屏蔽层S2的底部磁极件P1有一具有长度很短之基座磁极尖。长度像间隙层Ｇ之长度两倍般短的基座磁极尖极佳地使侧面写入极小化并改善离脱性能。写入磁头之底部磁极尖结构系利用顶部磁极尖结构当作覆罩进行离子束碾磨而构成。离子束碾磨方向朝向与顶部磁尖结构之侧壁呈另一角度而使底部磁极尖结构被碾磨成侧壁与顶部磁极尖结构校准。离子束碾磨可包含有二个角度的束或为前后顺序地进行，或为同时地进行第一束，主要运行切削作业及一些清除工作而第二束主要运行清除因切削形成之碎片再沉淀质的工作。在另一种具体实例中可使用，一单独有角度的离子束，而其角度是在一特别角度以内。

10. 发明专利

TWI565110B 磁性裝置及其製造方法有权
简体标题：磁性设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI565110B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW101142664
申请日：2012-11-15
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李祐澈 , LEE, WOO-CHEOL , 渡嘉敷健 , TOKASHIKI, KEN , 權亨峻 , KWON, HYUNG-JOON , 鄭明勳 , JUNG, MYUNG-HOON
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： C23F1/12 , C23F1/02 , C23F4/00 , G11B5/3163 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12

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