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1. 发明专利

TWI652304B 阻劑下層膜形成組成物及使用該組成物之阻劑圖型的形成方法有权
简体标题：阻剂下层膜形成组成物及使用该组成物之阻剂图型的形成方法
公开(公告)号：TWI652304B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW104112863
申请日：2015-04-22
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 藤谷徳昌 , FUJITANI, NORIAKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08L65/00 , C08L79/04 , C08L81/02 , C08J3/24 , G03F7/11

2. 发明专利

TWI638867B 抗蝕圖型所塗佈之塗佈液及反轉圖型之形成方法有权
简体标题：抗蚀图型所涂布之涂布液及反转图型之形成方法
公开(公告)号：TWI638867B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW103126594
申请日：2014-08-04
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： C09D183/04 , H01L21/027

3. 发明专利

TW201316127A 含有鈦及矽的微影用薄膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有钛及硅的微影用薄膜形成组成物
公开(公告)号：TW201316127A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101126278
申请日：2012-07-20
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 菅野裕太 , KANNO, YUTA , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： G03F7/075 , C08K5/56 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/31111 , H01L21/31138
摘要：本發明之課題係以提供一種薄膜形成組成物，其係用來形成使用於半導體裝置之製造之抗蝕(resist)底層膜等。又，在EUV微影中，提供一種抗蝕上層膜，其係在不利的UV光到達抗蝕層之前，以存在於抗蝕上層之薄膜而效率良好地進行吸收，或進而提供一種EUV抗蝕用底層膜(硬遮罩)，或進而提供一種反向材料，或進而提供一種溶劑顯影用抗蝕之底層膜。解決課題之技術手段為一種在微影步驟與抗蝕一併使用的薄膜形成組成物，其係含有鈦化合物(A)與矽化合物(B)之混合物、該混合物之水解物、或該混合物之水解縮合物之組成物，相對於換算成該組成物中的Ti原子與Si原子之合計莫耳數，Ti原子之莫耳數為50%至90%；其中，上述鈦化合物(A)為由下述式(1)所示之化合物、鈦螯合物化合物、及水解性鈦二聚物所成之群所選出者，下述式(1)：【化1】R0aTi(R1)(4-a) 式(1)；上述矽化合物(B)為下述式(2)所示者，下述式(2)：【化2】R2a’R3bSi(R4)4-(a’+b) 式(2)。
简体摘要：本发明之课题系以提供一种薄膜形成组成物，其系用来形成使用于半导体设备之制造之抗蚀(resist)底层膜等。又，在EUV微影中，提供一种抗蚀上层膜，其系在不利的UV光到达抗蚀层之前，以存在于抗蚀上层之薄膜而效率良好地进行吸收，或进而提供一种EUV抗蚀用底层膜(硬遮罩)，或进而提供一种反向材料，或进而提供一种溶剂显影用抗蚀之底层膜。解决课题之技术手段为一种在微影步骤与抗蚀一并使用的薄膜形成组成物，其系含有钛化合物(A)与硅化合物(B)之混合物、该混合物之水解物、或该混合物之水解缩合物之组成物，相对于换算成该组成物中的Ti原子与Si原子之合计莫耳数，Ti原子之莫耳数为50%至90%；其中，上述钛化合物(A)为由下述式(1)所示之化合物、钛螯合物化合物、及水解性钛二聚物所成之群所选出者，下述式(1)：【化1】R0aTi(R1)(4-a) 式(1)；上述硅化合物(B)为下述式(2)所示者，下述式(2)：【化2】R2a’R3bSi(R4)4-(a’+b) 式(2)。

4. 发明专利

TW201807504A 含有特定交聯劑之保護膜形成組成物及使用其之圖型形成方法审中-公开
简体标题：含有特定交联剂之保护膜形成组成物及使用其之图型形成方法
公开(公告)号：TW201807504A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106114125
申请日：2017-04-27
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大橋智也 , OHASHI, TOMOYA , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 橋本雄人 , HASHIMOTO, YUTO , 臼井友輝 , USUI, YUKI , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/306
摘要：提供一種對鹼性過氧化氫水溶液形成保護膜之組成物。提供一種含有1分子中具有2個以上之由縮水甘油基、末端環氧基、環氧基環戊基、環氧基環己基、氧雜環丁基、乙烯基醚基、異氰酸酯基及封閉型異氰酸酯基所成群組中選出的至少1種基的交聯劑、側鏈或末端具有以下述式(1)所表示之基且重量平均分子量為800以上的化合物、及有機溶劑的對鹼性過氧化氫水溶液形成保護膜之組成物。 (式中，X1表示與前述交聯劑反應之取代基，R0表示直接鍵結或碳原子數1或2的伸烷基，X2表示碳原子數1或2的烷基、碳原子數1或2的烷氧基、或氟基，a表示0~2的整數，b表示1~3的整數，c表示0~4的整數，b與c符合1≦(b+c)≦5之關係式。)
简体摘要：提供一种对碱性过氧化氢水溶液形成保护膜之组成物。提供一种含有1分子中具有2个以上之由缩水甘油基、末端环氧基、环氧基环戊基、环氧基环己基、氧杂环丁基、乙烯基醚基、异氰酸酯基及封闭型异氰酸酯基所成群组中选出的至少1种基的交联剂、侧链或末端具有以下述式(1)所表示之基且重量平均分子量为800以上的化合物、及有机溶剂的对碱性过氧化氢水溶液形成保护膜之组成物。 (式中，X1表示与前述交联剂反应之取代基，R0表示直接键结或碳原子数1或2的伸烷基，X2表示碳原子数1或2的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或氟基，a表示0~2的整数，b表示1~3的整数，c表示0~4的整数，b与c符合1≦(b+c)≦5之关系式。)

5. 发明专利

TWI592772B 含聚合物之顯像液有权
简体标题：含聚合物之显像液
公开(公告)号：TWI592772B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW101110140
申请日：2012-03-23
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/0275 , H01L21/0337 , H01L21/306

6. 发明专利

TWI547764B 含有鈦及矽的微影用薄膜形成組成物有权
简体标题：含有钛及硅的微影用薄膜形成组成物
公开(公告)号：TWI547764B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW101126278
申请日：2012-07-20
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 菅野裕太 , KANNO, YUTA , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： G03F7/075 , C08K5/56 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/31111 , H01L21/31138

7. 发明专利

TW201544918A 塗佈於光阻圖型之含聚合物塗佈液审中-公开
简体标题：涂布于光阻图型之含聚合物涂布液
公开(公告)号：TW201544918A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104104430
申请日：2015-02-10
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027 , C08G77/14
CPC分类号： G03F7/405 , C08L83/04 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2053 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/3086 , H01L21/31138
摘要：本發明之課題為，提供一種取代以往的清洗液所使用之塗佈於光阻圖型之塗佈液。本發明之解決手段為，一種塗佈於光阻圖型之塗佈液，其係包含：具有以下述式(1)所表示的結構單元之聚合物，與含有水及/或醇類之溶劑， (式中，R1係表示碳原子數1至12之有機基，X係表示以下述式(2)所表示之有機基， (式中，R2及R3係各自獨立表示直鏈狀或分支鏈狀的碳原子數1至3之伸烷基，該R2係與前述式(1)中之氧原子鍵結，R4係表示碳原子數1至4之烷氧基、烯丙氧基或羥基，p係表示0、1或2))。
简体摘要：本发明之课题为，提供一种取代以往的清洗液所使用之涂布于光阻图型之涂布液。本发明之解决手段为，一种涂布于光阻图型之涂布液，其系包含：具有以下述式(1)所表示的结构单元之聚合物，与含有水及/或醇类之溶剂， (式中，R1系表示碳原子数1至12之有机基，X系表示以下述式(2)所表示之有机基， (式中，R2及R3系各自独立表示直链状或分支链状的碳原子数1至3之伸烷基，该R2系与前述式(1)中之氧原子键结，R4系表示碳原子数1至4之烷氧基、烯丙氧基或羟基，p系表示0、1或2))。

8. 发明专利

TW201522539A 抗蝕圖型所塗佈之塗佈液及反轉圖型之形成方法审中-公开
简体标题：抗蚀图型所涂布之涂布液及反转图型之形成方法
公开(公告)号：TW201522539A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103126594
申请日：2014-08-04
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： C09D183/04 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0752 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/0274
摘要：本發明的課題為提供一種被用來取代以往之清洗液的抗蝕圖型所塗佈之塗佈液。本發明的解決手段在於提供一種抗蝕圖型所塗佈之塗佈液，其係包含具有下述式(1)所示之構造單位及下述式(2)所示之構造單位之重量平均分子量500至3500的聚合物、與將水作為主成分之溶劑。 (式中，R1表示碳原子數1至8之有機基)。
简体摘要：本发明的课题为提供一种被用来取代以往之清洗液的抗蚀图型所涂布之涂布液。本发明的解决手段在于提供一种抗蚀图型所涂布之涂布液，其系包含具有下述式(1)所示之构造单位及下述式(2)所示之构造单位之重量平均分子量500至3500的聚合物、与将水作为主成分之溶剂。 (式中，R1表示碳原子数1至8之有机基)。

9. 发明专利

TWI640834B 含有具內酯構造之聚合物的電子線阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具内酯构造之聚合物的电子线阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI640834B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103143889
申请日：2014-12-16
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08L33/08 , C08K5/13 , H01L21/027

10. 发明专利

TW201802605A 含有具有甘脲骨架的化合物作為添加劑之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有具有甘脲骨架的化合物作为添加剂之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201802605A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106110576
申请日：2017-03-29
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：臼井友輝 , USUI, YUKI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO
IPC分类号： G03F7/11 , C08K5/3445 , C08L63/00 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC分类号： C08K5/3445 , C08L63/00 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要：提供在半導體裝置製造的微影術製程中，防止形成於基板上的阻劑圖型的圖型倒塌之機能被具有甘脲骨架的化合物添加劑增強的阻劑下層膜形成組成物、以及使用該組成物的阻劑下層膜及半導體裝置之製造方法。使用下述式(1-1)： (式(1-1)中，R1~R4各自為以羥基、硫醇基、羧基、C1~5烷氧基乙基、C1~5烷基氫硫基、及含酯鍵的有機基所構成群中選出的至少一個基取代氫原子的C2~10烷基或C2~10烯基，且全部可為相同或相異，R5及R6各自為氫原子、C1~10烷基及苯基中選出的基)之阻劑下層膜形成組成物用添加劑。
简体摘要：提供在半导体设备制造的微影术制程中，防止形成于基板上的阻剂图型的图型倒塌之机能被具有甘脲骨架的化合物添加剂增强的阻剂下层膜形成组成物、以及使用该组成物的阻剂下层膜及半导体设备之制造方法。使用下述式(1-1)： (式(1-1)中，R1~R4各自为以羟基、硫醇基、羧基、C1~5烷氧基乙基、C1~5烷基氢硫基、及含酯键的有机基所构成群中选出的至少一个基取代氢原子的C2~10烷基或C2~10烯基，且全部可为相同或相异，R5及R6各自为氢原子、C1~10烷基及苯基中选出的基)之阻剂下层膜形成组成物用添加剂。

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