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1. 发明专利

TW363146B 抗反射層及形成光阻圖型的方法失效
简体标题：抗反射层及形成光阻图型的方法
公开(公告)号：TW363146B
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：TW082106366
申请日：1993-08-10
申请人：蘇妮股份有限公司
发明人：小川透 , 牛腸哲雄
IPC分类号： G03F
CPC分类号： H01L21/02071 , G03F7/091 , G03F7/70691 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/76838
摘要：以單色光曝光來形成抗蝕圖型時之決定抗反射層之最佳條件的方法、形成抗反射層的方法、形成使用新穎抗反射層之抗蝕圖型的方法、形成膜的方法。決定抗反射層的最佳條件，下述方法形成抗反射層。再者，用來形成抗蝕圖型的方法得到最佳抗反射層。方法包括（一）使用抗反射層的光學條件做為參數，形成關於選擇膜厚度之光抗蝕劑之吸收光量的等高線，（二）對於多個抗蝕膜厚度進行與上述（一）相同的程序，（三）找出關於得到之各軌跡之吸收光量的共同區，藉以決定抗反射層的光學條件，（四）當改變抗反射層的條件時，應用與上述相同的程序，藉以決定抗反射層的光學條件，（五）在抗反射層的某一條件下，決定諸如抗反射層之種類和厚度的最佳光學條件。
简体摘要：以单色光曝光来形成抗蚀图型时之决定抗反射层之最佳条件的方法、形成抗反射层的方法、形成使用新颖抗反射层之抗蚀图型的方法、形成膜的方法。决定抗反射层的最佳条件，下述方法形成抗反射层。再者，用来形成抗蚀图型的方法得到最佳抗反射层。方法包括（一）使用抗反射层的光学条件做为参数，形成关于选择膜厚度之光抗蚀剂之吸收光量的等高线，（二）对于多个抗蚀膜厚度进行与上述（一）相同的进程，（三）找出关于得到之各轨迹之吸收光量的共同区，借以决定抗反射层的光学条件，（四）当改变抗反射层的条件时，应用与上述相同的进程，借以决定抗反射层的光学条件，（五）在抗反射层的某一条件下，决定诸如抗反射层之种类和厚度的最佳光学条件。

2. 发明专利

TW349185B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW349185B
公开(公告)日：1999-01-01
申请号：TW086108534
申请日：1993-08-10
申请人：蘇妮股份有限公司
发明人：牛腸哲雄
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/02071 , G03F7/091 , G03F7/70691 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/76838
摘要：以單色光曝光來形成抗蝕圖型時之決定抗反射層之最佳條件的方法、形成抗反射層的方法、形成使用新穎抗反射層之抗蝕圖型的方法、形成膜的方法。決定抗反射層的最佳條件，下述方法形成抗反射層。再者，用來形成抗蝕圖型的方法得到最佳抗反射層。方法包括（一）使用抗反射層的光學條件做為參數，形成關於選擇膜厚度之光抗蝕劑之吸收光量的等高線，（二）對於多個抗蝕膜厚度進行與上述（一）相同的程序，（三）找出關於得到之各軌跡之吸收光量的共同區，藉以決定抗反射層的光學條件，（四）當改變抗反射層的條件時，應用與上述相同的程序，藉以決定抗反射層的光學條件，（五）在抗反射層的某一條件下，決定諸如抗反射層之種類和厚度的最佳光學條件。
简体摘要：以单色光曝光来形成抗蚀图型时之决定抗反射层之最佳条件的方法、形成抗反射层的方法、形成使用新颖抗反射层之抗蚀图型的方法、形成膜的方法。决定抗反射层的最佳条件，下述方法形成抗反射层。再者，用来形成抗蚀图型的方法得到最佳抗反射层。方法包括（一）使用抗反射层的光学条件做为参数，形成关于选择膜厚度之光抗蚀剂之吸收光量的等高线，（二）对于多个抗蚀膜厚度进行与上述（一）相同的进程，（三）找出关于得到之各轨迹之吸收光量的共同区，借以决定抗反射层的光学条件，（四）当改变抗反射层的条件时，应用与上述相同的进程，借以决定抗反射层的光学条件，（五）在抗反射层的某一条件下，决定诸如抗反射层之种类和厚度的最佳光学条件。

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