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1. 发明专利

TW200919547A 微圖形之形成方法 METHOD OF FORMING MICROPATTERN 审中-公开
简体标题：微图形之形成方法 METHOD OF FORMING MICROPATTERN
公开(公告)号：TW200919547A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097126153
申请日：2008-07-10
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L
摘要：一種提供於一處理目標基板之一主要表面上之抗蝕膜,其經圖案化,以形成一抗蝕圖案。在保留於該抗蝕圖案之一空間部分中的抗蝕膜上實施一溶解化程序,以使得該抗蝕膜可容易地溶解於一用於移除其餘抗蝕膜之液體中。接著,將該液體供應給其餘抗蝕膜。
简体摘要：一种提供于一处理目标基板之一主要表面上之抗蚀膜,其经图案化,以形成一抗蚀图案。在保留于该抗蚀图案之一空间部分中的抗蚀膜上实施一溶解化进程,以使得该抗蚀膜可容易地溶解于一用于移除其余抗蚀膜之液体中。接着,将该液体供应给其余抗蚀膜。

2. 发明专利

TWI300959B 藥液之定性方法、半導體裝置之製造方法、及液晶顯示裝置之製造方法失效
简体标题：药液之定性方法、半导体设备之制造方法、及液晶显示设备之制造方法
公开(公告)号：TWI300959B
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：TW095120812
申请日：2006-06-12
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：近藤丈博 KONDOH, TAKEHIRO , 青山壽子 AOYAMA, HISAKO , 鹽原英志 SHIOBARA, EISHI , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N15/14 , G01N2015/1493
摘要：本發明揭示一種藥液之定性方法。該藥液之定性方法係(a)對每個粒子尺寸,求出藥液中之粒子數,(b)對每個上述粒子尺寸,預測上述藥液給予使用該藥液製造之被製造裝置之影響。並且,利用上述(a)之結果與上述(b)之結果,求出上述藥液給予上述被製造裝置之影響程度。基於該求得之結果評估上述藥液之品質,並基於該評估結果判斷上述藥液是否良好。基於該判斷結果,將上述藥液作為用於上述被製造裝置之製造步驟之藥液加以定性。
简体摘要：本发明揭示一种药液之定性方法。该药液之定性方法系(a)对每个粒子尺寸,求出药液中之粒子数,(b)对每个上述粒子尺寸,预测上述药液给予使用该药液制造之被制造设备之影响。并且,利用上述(a)之结果与上述(b)之结果,求出上述药液给予上述被制造设备之影响程度。基于该求得之结果评估上述药液之品质,并基于该评估结果判断上述药液是否良好。基于该判断结果,将上述药液作为用于上述被制造设备之制造步骤之药液加以定性。

3. 发明专利

TW200735180A 半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200735180A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW096101320
申请日：2007-01-12
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 ITO, SHINICHI , 松永健太郎 MATSUNAGA, KENTARO , 河村大輔 KAWAMURA, DAISUKE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03D3/08 , G03B27/42 , G03F7/70341
摘要：本發明之半導體裝置之製造方法包含:液浸移動曝光步驟,該液浸移動曝光步驟使液體介於被實施曝光處理之被曝光基板與進行上述曝光處理之曝光裝置之投影光學系統之間,並且一面使上述被曝光基板對於上述投影光學系統相對移動,一面對設定於上述被曝光基板之表面上之複數個曝光區域進行上述曝光處理;第一液浸移動步驟,該第一液浸移動步驟於上述各曝光區域中鄰接之上述各曝光區域間,一面使液體介於上述被曝光基板與上述投影光學系統之間,一面使上述被曝光基板對於上述投影光學系統相對移動而不進行上述曝光處理;以及第二液浸移動步驟,該第二液浸移動步驟於大於上述第一液浸移動步驟中之移動距離之距離中,一面使上述液體介於上述被曝光基板與上述投影光學系統之間,一面以小於上述第一液浸移動步驟中之移動速度的速度使上述被曝光基板對於上述投影光學系統相對移動而不進行上述曝光處理。
简体摘要：本发明之半导体设备之制造方法包含:液浸移动曝光步骤,该液浸移动曝光步骤使液体介于被实施曝光处理之被曝光基板与进行上述曝光处理之曝光设备之投影光学系统之间,并且一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动,一面对设置于上述被曝光基板之表面上之复数个曝光区域进行上述曝光处理;第一液浸移动步骤,该第一液浸移动步骤于上述各曝光区域中邻接之上述各曝光区域间,一面使液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间,一面使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理;以及第二液浸移动步骤,该第二液浸移动步骤于大于上述第一液浸移动步骤中之移动距离之距离中,一面使上述液体介于上述被曝光基板与上述投影光学系统之间,一面以小于上述第一液浸移动步骤中之移动速度的速度使上述被曝光基板对于上述投影光学系统相对移动而不进行上述曝光处理。

4. 发明专利

TWI251856B 圖案形成方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI251856B
公开(公告)日：2006-03-21
申请号：TW093134531
申请日：2004-11-11
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：近藤丈博 KONDOH, TAKEHIRO , 鹽原英志 SHIOBARA, EISHI , 竹石知之 TAKEISHI, TOMOYUKI , 千葉謙治 CHIBA, KENJI , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/405
摘要：本發明實現為了形成今後所需之微細光阻圖案之圖案形成方法。本發明之圖案形成方法具有：於基板上形成第一光阻圖案之工序(步驟S2)；於第一光阻圖案照射光之工序(步驟S3)；及在第一光阻圖案與光阻膜之界面形成架橋層，形成包含該架橋層及第一光阻圖案之第二光阻圖案之工序(步驟S4)；於步驟S3，根據於步驟S11-S13所預先求出之收縮量與照射量之對應關係，為了第二光阻圖案之尺寸成為特定尺寸而設定照射於第一光阻圖案之光量。
简体摘要：本发明实现为了形成今后所需之微细光阻图案之图案形成方法。本发明之图案形成方法具有：于基板上形成第一光阻图案之工序(步骤S2)；于第一光阻图案照射光之工序(步骤S3)；及在第一光阻图案与光阻膜之界面形成架桥层，形成包含该架桥层及第一光阻图案之第二光阻图案之工序(步骤S4)；于步骤S3，根据于步骤S11-S13所预先求出之收缩量与照射量之对应关系，为了第二光阻图案之尺寸成为特定尺寸而设置照射于第一光阻图案之光量。

5. 发明专利

TWI290339B 液浸曝光方法、液浸型曝光裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：液浸曝光方法、液浸型曝光设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI290339B
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：TW094143393
申请日：2005-12-08
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：松永健太郎 MATSUNAGA, KENTARO , 河野拓也 KONO, TAKUYA , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/70341
摘要：本發明之液浸曝光方法，其係在使用液體將被實施曝光處理之被處理基板與進行上述曝光處理之曝光裝置之投影光學系統間之至少一部分充填下，並且進行上述曝光處理，且包含：使上述被處理基板中被實施上述曝光處理之側之主面中至少外緣部與上述液體之接觸角，大於上述曝光裝置所具有之支持上述被處理基板之基板支持體中支持上述被處理基板之側的表面中，鄰接於上述被處理基板外緣部之區域與上述液體之接觸角；及進行上述曝光處理。
简体摘要：本发明之液浸曝光方法，其系在使用液体将被实施曝光处理之被处理基板与进行上述曝光处理之曝光设备之投影光学系统间之至少一部分充填下，并且进行上述曝光处理，且包含：使上述被处理基板中被实施上述曝光处理之侧之主面中至少外缘部与上述液体之接触角，大于上述曝光设备所具有之支持上述被处理基板之基板支持体中支持上述被处理基板之侧的表面中，邻接于上述被处理基板外缘部之区域与上述液体之接触角；及进行上述曝光处理。

6. 发明专利

TWI286341B 抗蝕圖案形成方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：抗蚀图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI286341B
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW094143749
申请日：2005-12-09
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：鹽原英志 SHIOBARA, EISHI , 河村大輔 KAWAMURA, DAISUKE , 大西廉伸 ONISHI, YASUNOBU , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041
摘要：本發明之一態樣之抗蝕圖案形成方法係利用液浸曝光而形成抗蝕圖案者，其於被處理基板上形成光阻膜，且上述光阻膜與浸液溶液之接觸角為第1角度，於上述光阻膜上形成第1保護膜，且上述第1保護膜與上述浸液溶液之接觸角為大於上述第1角度之第2角度，於上述第1保護膜上形成第2保護膜，且上述第2保護膜與上述浸液溶液的接觸角為小於上述第2角度之第3角度，並且利用液浸曝光而於上述光阻膜上形成潛像。
简体摘要：本发明之一态样之抗蚀图案形成方法系利用液浸曝光而形成抗蚀图案者，其于被处理基板上形成光阻膜，且上述光阻膜与浸液溶液之接触角为第1角度，于上述光阻膜上形成第1保护膜，且上述第1保护膜与上述浸液溶液之接触角为大于上述第1角度之第2角度，于上述第1保护膜上形成第2保护膜，且上述第2保护膜与上述浸液溶液的接触角为小于上述第2角度之第3角度，并且利用液浸曝光而于上述光阻膜上形成潜像。

7. 发明专利

TW200622504A 微影裝置及圖案形成方法失效
简体标题：微影设备及图案形成方法
公开(公告)号：TW200622504A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW094123063
申请日：2005-07-07
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 ITO, SHINICHI , 柴田剛 SHIBATA, TSUYOSHI
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/70991 , G03F7/70341 , G03F7/70858 , G03F7/70916 , G03F7/70925
摘要：本發明之目的在於提供一種微影裝置，其包含光阻處理裝置，其用以實施下述三種處理：於被處理基板上用以塗敷光阻之處理，用以加熱形成於上述被處理基板上之光阻膜之處理，以及用以使形成於上述被處理基板上之光阻膜顯影之處理；浸沒型曝光裝置，其具備有將形成於光罩上之圖案圖像投影於形成於上述被處理基板上之上述光阻膜上的投影光學系，且介以位於上述投影光學系與上述光阻膜間之光路中的液體而實施曝光；運送裝置，其連接於上述光阻處理裝置以及上述浸沒型曝光裝置，且用以運送位於上述光低處理裝置與上述浸沒型曝光裝置間之上述被處理基板；以及溫濕度控制機構，其根據上述浸沒型曝光裝置內之溫濕度或濕度兩者間之至少一個，用以控制上述光阻處理裝置以及上述運送裝置兩者間之至少一個內部的溫濕度或濕度兩者間之至少一個。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种微影设备，其包含光阻处理设备，其用以实施下述三种处理：于被处理基板上用以涂敷光阻之处理，用以加热形成于上述被处理基板上之光阻膜之处理，以及用以使形成于上述被处理基板上之光阻膜显影之处理；浸没型曝光设备，其具备有将形成于光罩上之图案图像投影于形成于上述被处理基板上之上述光阻膜上的投影光学系，且介以位于上述投影光学系与上述光阻膜间之光路中的液体而实施曝光；运送设备，其连接于上述光阻处理设备以及上述浸没型曝光设备，且用以运送位于上述光低处理设备与上述浸没型曝光设备间之上述被处理基板；以及温湿度控制机构，其根据上述浸没型曝光设备内之温湿度或湿度两者间之至少一个，用以控制上述光阻处理设备以及上述运送设备两者间之至少一个内部的温湿度或湿度两者间之至少一个。

8. 发明专利

TW200606594A 描繪圖案形成方法、光阻圖案形成方法、曝光裝置控制方法及半導體裝置製造方法审中-公开
简体标题：描绘图案形成方法、光阻图案形成方法、曝光设备控制方法及半导体设备制造方法
公开(公告)号：TW200606594A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW094111860
申请日：2005-04-14
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：河村大輔 KAWAMURA, DAISUKE , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/70616 , G03F7/70341 , G03F7/70433 , G03F7/70441
摘要：本發明於形成光阻膜之局部區域液膜而進行曝光之浸液曝光中，為提高所形成之光阻圖案的精度，而提供一種形成於光罩之光罩圖案的描繪圖案形成方法。求出上述單位曝光區域之上述光阻膜與上述液膜之接觸經歷值的代表性分佈(步驟ST12)。將對應於第1圖案資料之圖案分割成與上述接觸經歷值之代表性分佈相應的複數個區域(步驟ST19)。依據與上述接觸經歷值相應之規則，進行分割後各區域所含之圖案的校正(步驟ST20)。
简体摘要：本发明于形成光阻膜之局部区域液膜而进行曝光之浸液曝光中，为提高所形成之光阻图案的精度，而提供一种形成于光罩之光罩图案的描绘图案形成方法。求出上述单位曝光区域之上述光阻膜与上述液膜之接触经历值的代表性分布(步骤ST12)。将对应于第1图案数据之图案分割成与上述接触经历值之代表性分布相应的复数个区域(步骤ST19)。依据与上述接触经历值相应之守则，进行分割后各区域所含之图案的校正(步骤ST20)。

9. 发明专利

TW200539249A 構造檢查方法、圖案形成方法、製程條件決定方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：构造检查方法、图案形成方法、制程条件决定方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200539249A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW094102700
申请日：2005-01-28
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：早崎圭 HAYASAKI, KEI , 伊藤信一 ITO, SHINICHI , 三上徹 MIKAMI, TORU , 山崎裕一郎 YAMAZAKI, YUICHIRO , 小谷敏也 KOTANI, TOSHIYA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/70625 , G01N21/956
摘要：本發明係使光入射至具有規則構造之圖案，自繞射所獲得之繞射光之測定結果，更正確地評估圖案之尺寸或形狀。本發明之構造檢查方法含有：測定設置於特定環境之被評估物之反射光強度的波長分散；準備構成被評估物以及波長分散測定環境之各物質的複折射率；特定空間內之構成被評估物之物質與構成環境之物質的混合率設定為假定之複數個虛擬構成比率；關於各虛擬構成比率，藉由使用有各物質之複折射率的多重干涉計算，計算出虛擬反射率波長分散，自複數個虛擬反射率波長分散中提取複數個與反射率波長分散測定值之誤差較小的類似反射率波長分散計算值；用於所提取之類似反射率波長分散之計算之虛擬構成比率以誤差越小則加權越大之方式實行加權平均，求出各物質之構成比率；及自所求得之各物質之構成比率求出被評估物的構造。
简体摘要：本发明系使光入射至具有守则构造之图案，自绕射所获得之绕射光之测定结果，更正确地评估图案之尺寸或形状。本发明之构造检查方法含有：测定设置于特定环境之被评估物之反射光强度的波长分散；准备构成被评估物以及波长分散测定环境之各物质的复折射率；特定空间内之构成被评估物之物质与构成环境之物质的混合率设置为假定之复数个虚拟构成比率；关于各虚拟构成比率，借由使用有各物质之复折射率的多重干涉计算，计算出虚拟反射率波长分散，自复数个虚拟反射率波长分散中提取复数个与反射率波长分散测定值之误差较小的类似反射率波长分散计算值；用于所提取之类似反射率波长分散之计算之虚拟构成比率以误差越小则加权越大之方式实行加权平均，求出各物质之构成比率；及自所求得之各物质之构成比率求出被评估物的构造。

10. 发明专利

TW200520038A 圖案形成方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200520038A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093134531
申请日：2004-11-11
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：近藤丈博 KONDOH, TAKEHIRO , 鹽原英志 SHIOBARA, EISHI , 竹石知之 TAKEISHI, TOMOYUKI , 千葉謙治 CHIBA, KENJI , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/405
摘要：本發明實現為了形成今後所需之微細光阻圖案之圖案形成方法。本發明之圖案形成方法具有：於基板上形成第一光阻圖案之工序(步驟S2)；於第一光阻圖案照射光之工序(步驟S3)；及在第一光阻圖案與光阻膜之界面形成架橋層，形成包含該架橋層及第一光阻圖案之第二光阻圖案之工序(步驟S4)；於步驟S3，根據於步驟S11–S13所預先求出之收縮量與照射量之對應關係，為了第二光阻圖案之尺寸成為特定尺寸而設定照射於第一光阻圖案之光量。
简体摘要：本发明实现为了形成今后所需之微细光阻图案之图案形成方法。本发明之图案形成方法具有：于基板上形成第一光阻图案之工序(步骤S2)；于第一光阻图案照射光之工序(步骤S3)；及在第一光阻图案与光阻膜之界面形成架桥层，形成包含该架桥层及第一光阻图案之第二光阻图案之工序(步骤S4)；于步骤S3，根据于步骤S11–S13所预先求出之收缩量与照射量之对应关系，为了第二光阻图案之尺寸成为特定尺寸而设置照射于第一光阻图案之光量。

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