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1. 发明专利

TWI619122B 能夠快速寫入/讀取資料的記憶體電路有权
简体标题：能够快速写入/读取数据的内存电路
公开(公告)号：TWI619122B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105138117
申请日：2016-11-21
申请人：鈺創科技股份有限公司 , ETRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：夏濬 , SHIAH, CHUN , 張正男 , CHANG, CHENG-NAN , 宋玉惠 , SUNG, YU-HUI
IPC分类号： G11C7/22 , G11C7/06 , G11C7/10
CPC分类号： G11C11/4091 , G06F3/061 , G06F3/0644 , G06F3/065 , G06F3/0659 , G06F3/0673 , G06F12/0893 , G11C11/4076 , G11C11/4085 , G11C11/4087 , G11C11/4096 , G11C16/06 , G11C29/06 , G11C29/34 , G11C2207/2236

2. 发明专利

TW201737421A 半導體記憶體裝置审中-公开
简体标题：半导体内存设备
公开(公告)号：TW201737421A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106106184
申请日：2012-06-08
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：竹村保彥 , TAKEMURA, YASUHIKO
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L23/52
CPC分类号： G11C11/4085 , G11C11/403 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/406 , G11C11/4074 , G11C11/4076 , G11C11/4094
摘要：本發明的一個目標是增加使用如氧化物半導體那樣的能隙大的半導體的記憶體裝置的保持特性。對位元線的一端串聯地插入具有背閘極的電晶體(背閘極電晶體)以使該背閘極的電位始終位於足夠地負值。位元線的最低電位被設定為高於字線的最低電位。當電源切斷時位元線被背閘極電晶體遮斷，而充分抑制蓄積在位元線的電荷的流出。此時單元電晶體源極或汲極(位元線)的電位比其閘極高出很多(0V)，以使單元電晶體處於充分的截止狀態，而能夠保持資料。
简体摘要：本发明的一个目标是增加使用如氧化物半导体那样的能隙大的半导体的内存设备的保持特性。对比特线的一端串联地插入具有背闸极的晶体管(背闸极晶体管)以使该背闸极的电位始终位于足够地负值。比特线的最低电位被设置为高于字线的最低电位。当电源切断时比特线被背闸极晶体管遮断，而充分抑制蓄积在比特线的电荷的流出。此时单元晶体管源极或汲极(比特线)的电位比其闸极高出很多(0V)，以使单元晶体管处于充分的截止状态，而能够保持数据。

3. 发明专利

TWI564890B 記憶體裝置及半導體裝置有权
简体标题：内存设备及半导体设备
公开(公告)号：TWI564890B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW101101421
申请日：2012-01-13
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： G11C11/401 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： G11C11/404 , G11C11/4085 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/1085 , H01L27/10873 , H01L27/10891 , H01L27/10897 , H01L27/1207 , H01L28/60

4. 发明专利

TWI555022B 具有分段頁結構的動態隨機存取記憶體有权
简体标题：具有分段页结构的动态随机存取内存
公开(公告)号：TWI555022B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW102141086
申请日：2013-11-12
申请人：輝達公司 , NVIDIA CORPORATION
发明人：達力威廉詹姆士 , DALLY, WILLIAM JAMES
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C11/4091 , G11C11/4063 , G11C11/4085 , G11C11/4087 , G11C11/4099

5. 发明专利

TWI553655B 動態隨機存取記憶體字元線控制電路、動態隨機存取記憶體模組及動態隨機存取記憶體字元線電壓控制方法有权
简体标题：动态随机存取内存字符线控制电路、动态随机存取内存模块及动态随机存取内存字符线电压控制方法
公开(公告)号：TWI553655B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW104106268
申请日：2015-02-26
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：許庭碩 , HSU, TINGSHUO , 陳至仁 , CHEN, CHIHJEN
IPC分类号： G11C8/08 , G11C11/401
CPC分类号： G11C11/4085 , G11C5/147 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/4074 , G11C11/409 , G11C11/4091

6. 发明专利

TW201621902A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201621902A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104114278
申请日：2015-05-05
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李星燁 , LEE, SUNG-YUB , 池性洙 , CHI, SUNG-SOO
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/40
CPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4085
摘要：一種半導體記憶裝置，其包括：一記憶庫，其包含複數個字線；及一刷新操作控制單元，其適於對該等複數個字線之一目標字線之一第一相鄰字線群組執行一第一刷新操作，以及在該第一刷新操作後，對該目標字線之一第二相鄰字線群組執行一第二刷新操作，以回應一智慧刷新指令。
简体摘要：一种半导体记忆设备，其包括：一记忆库，其包含复数个字线；及一刷新操作控制单元，其适于对该等复数个字线之一目标字线之一第一相邻字线群组运行一第一刷新操作，以及在该第一刷新操作后，对该目标字线之一第二相邻字线群组运行一第二刷新操作，以回应一智能刷新指令。

7. 发明专利

TWI488193B 半導體記憶裝置失效
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI488193B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW097125801
申请日：2008-07-08
申请人：海力士半導體股份有限公司 , HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：全焌弦 , CHUN, JUN-HYUN
IPC分类号： G11C8/14
CPC分类号： G11C11/4085 , G11C5/063 , G11C7/1048 , G11C7/18 , G11C11/4097

8. 发明专利

TW201507061A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201507061A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103104551
申请日：2014-02-12
申请人： PS4盧克斯科公司 , PS4 LUXCO S. A. R. L.
发明人：齊野敢太 , SAINO, KANTA
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10897 , G11C11/4085 , G11C11/4097 , H01L21/76895 , H01L21/82345 , H01L27/0207 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/10894
摘要：在習知方法中，副字元驅動器SWD的pMOS電晶體的閘極長，必然得變粗，阻礙晶片尺寸縮小。一種半導體裝置，其具備複數個單位電晶體，該單位電晶體具有：形成在半導體基板上的元件分離區域；和在夾持於前述元件分離區域的活性區域上，其外周的兩端朝前述元件分離區域延伸，內周為閉塞前述活性區域的方式被配置，並且形成框形的閘極電極；鄰接於第一方向的前述單位電晶體的前述活性區域，是藉由前述元件分離區域而電性分離，鄰接於與前述第一方向交叉的第二方向的前述單位電晶體的前述活性區域相連。
简体摘要：在习知方法中，副字符驱动器SWD的pMOS晶体管的闸极长，必然得变粗，阻碍芯片尺寸缩小。一种半导体设备，其具备复数个单位晶体管，该单位晶体管具有：形成在半导体基板上的组件分离区域；和在夹持于前述组件分离区域的活性区域上，其外周的两端朝前述组件分离区域延伸，内周为闭塞前述活性区域的方式被配置，并且形成框形的闸极电极；邻接于第一方向的前述单位晶体管的前述活性区域，是借由前述组件分离区域而电性分离，邻接于与前述第一方向交叉的第二方向的前述单位晶体管的前述活性区域相连。

9. 发明专利

TWI378466B 空間性分散之放大電路及其操作方法 SPATIALLY DISTRIBUTED AMPLIFIER CIRCUIT AND METHOD FOR OPERATING THE SAME 失效
简体标题：空间性分散之放大电路及其操作方法 SPATIALLY DISTRIBUTED AMPLIFIER CIRCUIT AND METHOD FOR OPERATING THE SAME
公开(公告)号：TWI378466B
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW097111716
申请日：2008-03-31
申请人：桑迪士克3D公司
发明人：路卡G 佛斯里 , 阿里K 歐薩瑪 , 肯尼斯K 蘇
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/06 , G11C7/08 , G11C7/1048 , G11C7/1051 , G11C7/1069 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C8/08 , G11C11/4085
摘要：一例示性放大電路包括：具有一第一組態之空間性分散之最終放大級的一第一群組；及具有不同於該第一組態之一第二組態的空間性分散之最終放大級的一第二群組。該兩個群組對於各別最終放大級共用同一控制節點，且該兩個群組共用同一放大器輸出節點。每一群組通常在另一群組被停用時得以啟用。在併入有一記憶體陣列之某些實施例中，僅一個關鍵類比節點必須在該記憶體陣列內到處選路。
简体摘要：一例示性放大电路包括：具有一第一组态之空间性分散之最终放大级的一第一群组；及具有不同于该第一组态之一第二组态的空间性分散之最终放大级的一第二群组。该两个群组对于各别最终放大级共享同一控制节点，且该两个群组共享同一放大器输出节点。每一群组通常在另一群组被停用时得以激活。在并入有一内存数组之某些实施例中，仅一个关键模拟节点必须在该内存数组内到处选路。

10. 发明专利

TWI375957B 記憶體與抑制記憶體漏電流能量損耗的方法 MEMORY AND METHOD FOR REDUCING POWER DISSIPATION CAUSED BY CURRENT LEAKAGE 有权
简体标题：内存与抑制内存漏电流能量损耗的方法 MEMORY AND METHOD FOR REDUCING POWER DISSIPATION CAUSED BY CURRENT LEAKAGE
公开(公告)号：TWI375957B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW096145894
申请日：2007-12-03
申请人：希格斯海外合夥資本有限責任公司
发明人：林文斌 , 許世玄 , 林烈萩 , 江培嘉
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C8/08 , G11C11/4085 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0078 , G11C2207/2227 , G11C2213/79
摘要：本發明提供一種記憶體，包括一電流產生器、一位元線、一記憶體單元、以及一漏電流抑制電路。該電流產生器負責產生一控制電流。該位元線耦接該電流產生器與該記憶體單元，由一位元線選取器控制其導通狀態。該記憶體單元包括串接的一電晶體與一記憶元件。該電晶體之導通狀態由一字元線上的信號控制。該電晶體導通時，該控制電流負責決定該記憶元件之組態。該漏電流抑制電路將於該記憶體不作用時令該電晶體的一跨壓趨近零。
简体摘要：本发明提供一种内存，包括一电流产生器、一比特线、一内存单元、以及一漏电流抑制电路。该电流产生器负责产生一控制电流。该比特线耦接该电流产生器与该内存单元，由一比特线选取器控制其导通状态。该内存单元包括串接的一晶体管与一记忆组件。该晶体管之导通状态由一字符在线的信号控制。该晶体管导通时，该控制电流负责决定该记忆组件之组态。该漏电流抑制电路将于该内存不作用时令该晶体管的一跨压趋近零。

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