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1. 发明专利

TW201813053A 記憶體元件审中-公开
简体标题：内存组件
公开(公告)号：TW201813053A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106116501
申请日：2017-05-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/112
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/76816 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L27/10805 , H01L27/10897 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L27/11213 , H01L27/11293
摘要：本揭露提供一記憶體元件，其包含一記憶體單元陣列。一第一位元線耦合到記憶體單元陣列的第一行的複數記憶體單元。第一位元線係設置在一第一金屬層上。一第二位元線耦合到此第一位元線。第二位元線係設置在一第二金屬層上且經由至少一通孔耦合到此第一位元線。一字元線耦合到記憶體單元陣列的一列。
简体摘要：本揭露提供一内存组件，其包含一内存单元数组。一第一比特线耦合到内存单元数组的第一行的复数内存单元。第一比特线系设置在一第一金属层上。一第二比特线耦合到此第一比特线。第二比特线系设置在一第二金属层上且经由至少一通孔耦合到此第一比特线。一字符线耦合到内存单元数组的一列。

2. 发明专利

TW201714089A 記憶體陣列审中-公开
简体标题：内存数组
公开(公告)号：TW201714089A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105101320
申请日：2016-01-18
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：張緯宸 , CHANG, WEI-CHEN , 景文澔 , CHING, WEN-HAO , 陳志欣 , CHEN, CHIH-HSIN , 王世辰 , WANG, SHIH-CHEN , 楊青松 , YANG, CHING-SUNG
IPC分类号： G06F12/02 , G11C16/10
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：記憶體陣列包含第一記憶體分頁及第二記憶體分頁。第一記憶體分頁包含第一字元線、第一選擇閘極線、第一控制線、第一清除線及複數個第一記憶體單元。每一第一記憶體單元耦接於第一字元線、第一選擇閘極線、第一控制線及第一清除線，並可接收位元線訊號及源極線訊號。第二記憶體分頁包含第二控制線、第二清除線及複數個第二記憶體單元。每一第二記憶體單元耦接於第一字元線、第一選擇閘極線、第二控制線及第二清除線，並可接收位元線訊號及源極線訊號。
简体摘要：内存数组包含第一内存分页及第二内存分页。第一内存分页包含第一字符线、第一选择闸极线、第一控制线、第一清除线及复数个第一内存单元。每一第一内存单元耦接于第一字符线、第一选择闸极线、第一控制线及第一清除线，并可接收比特线信号及源极线信号。第二内存分页包含第二控制线、第二清除线及复数个第二内存单元。每一第二内存单元耦接于第一字符线、第一选择闸极线、第二控制线及第二清除线，并可接收比特线信号及源极线信号。

3. 发明专利

TW201624722A 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路审中-公开
简体标题：场效应管及包含该场效应管之内存与半导体电路
公开(公告)号：TW201624722A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW105109225
申请日：2012-03-22
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 鄉戶宏充 , GODO, HIROMICHI , 竹村保彥 , TAKEMURA, YASUHIKO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/108 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/0688 , H01L27/108 , H01L27/10805 , H01L27/10826 , H01L27/10852 , H01L27/10879 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , H01L28/90 , H01L29/41733 , H01L29/785 , H01L29/78609
摘要：提供一種具有小關閉狀態電流的場效電晶體(FET)，用於微小化半導體積體電路中。場效電晶體包括：薄的氧化物半導體，實質上垂直於絕緣表面，且厚度大於或等於1nm且小於或等於30nm；閘極絕緣膜，形成為遮蓋氧化物半導體；以及，條狀閘極，形成為遮蓋閘極絕緣膜，及寬度大於或等於10nm且小於或等於100nm。在此結構中，薄的氧化物半導體的三表面由閘極遮蓋，以致於從源極或汲極注入的電子能被有效地移除，以及，源極與汲極之間的大部份空間是空乏區；因此，關閉狀態電流可被降低。
简体摘要：提供一种具有小关闭状态电流的场效应管(FET)，用于微小化半导体集成电路中。场效应管包括：薄的氧化物半导体，实质上垂直于绝缘表面，且厚度大于或等于1nm且小于或等于30nm；闸极绝缘膜，形成为遮盖氧化物半导体；以及，条状闸极，形成为遮盖闸极绝缘膜，及宽度大于或等于10nm且小于或等于100nm。在此结构中，薄的氧化物半导体的三表面由闸极遮盖，以致于从源极或汲极注入的电子能被有效地移除，以及，源极与汲极之间的大部份空间是空乏区；因此，关闭状态电流可被降低。

4. 发明专利

TW201614773A 非揮發性記憶體审中-公开
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TW201614773A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104130057
申请日：2015-09-11
申请人：力旺電子股份有限公司 30075 新竹科學園區園區二路47號305室 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：徐德訓 , HSU, TE-HSUN
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/115
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種非揮發性記憶體，包括基底、浮置閘極電晶體、選擇電晶體與應力釋放電晶體。浮置閘極電晶體、選擇電晶體與應力釋放電晶體設置於基底上且彼此串接。應力釋放電晶體位於浮置閘極電晶體與選擇電晶體之間。
简体摘要：一种非挥发性内存，包括基底、浮置闸极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管。浮置闸极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管设置于基底上且彼此串接。应力释放晶体管位于浮置闸极晶体管与选择晶体管之间。

5. 发明专利

TW201614505A 記憶體單元及記憶體陣列审中-公开
简体标题：内存单元及内存数组
公开(公告)号：TW201614505A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104133424
申请日：2015-10-12
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：吳孟益 , WU, MENG-YI , 黃志豪 , HUANG, CHIH-HAO , 陳信銘 , CHEN, HSIN-MING
IPC分类号： G06F12/16 , G11C16/08 , G11C17/16
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：記憶體單元包含寫入選擇電晶體、接續閘極電晶體、反熔絲元件及讀取電路。在記憶體單元的讀取操作期間，反熔絲元件所產生的充電電流會觸發讀取電路以產生穩定的讀取電流，因此可以縮短自記憶體單元讀取資料的時間。而在記憶體單元的讀取操作期間的一開始會執行放電程序，以確保自記憶體單元讀取資料的正確性。
简体摘要：内存单元包含写入选择晶体管、接续闸极晶体管、反熔丝组件及读取电路。在内存单元的读取操作期间，反熔丝组件所产生的充电电流会触发读取电路以产生稳定的读取电流，因此可以缩短自内存单元读取数据的时间。而在内存单元的读取操作期间的一开始会运行放电进程，以确保自内存单元读取数据的正确性。

6. 发明专利

TW201612905A 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路审中-公开
简体标题：存储组件、存储设备、及信号处理电路
公开(公告)号：TW201612905A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104143590
申请日：2011-12-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：王丸拓郎 , OHMARU, TAKURO , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI
IPC分类号： G11C11/24 , G06F12/16
CPC分类号： H01L27/1052 , G06F1/3275 , G11C11/24 , G11C14/0009 , G11C19/184 , H01L23/5226 , H01L27/0629 , H01L27/108 , H01L27/10805 , H01L27/10897 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/7869 , Y02D10/13 , Y02D10/14
摘要：提供一種信號處理電路，其電力消耗可予以抑制。在未供應電源電壓至儲存元件期間，藉由第二儲存電路中所配置之第一電容器，可保持相應於非揮發性記憶體之第一儲存電路中所儲存之資料。基於使用其中通道形成於氧化物半導體層中之電晶體，該第一電容器中所保持之信號可長時間保持。該儲存元件因此亦可於該電源電壓之供應停止期間保持該儲存之內容(資料)。藉由該第一電容器保持之信號可轉換為相應於該第二電晶體之狀態(開啟狀態或關閉狀態)者，並從該第二儲存電路讀取。所以，可準確地讀取原始信號。
简体摘要：提供一种信号处理电路，其电力消耗可予以抑制。在未供应电源电压至存储组件期间，借由第二存储电路中所配置之第一电容器，可保持相应于非挥发性内存之第一存储电路中所存储之数据。基于使用其中信道形成于氧化物半导体层中之晶体管，该第一电容器中所保持之信号可长时间保持。该存储组件因此亦可于该电源电压之供应停止期间保持该存储之内容(数据)。借由该第一电容器保持之信号可转换为相应于该第二晶体管之状态(打开状态或关闭状态)者，并从该第二存储电路读取。所以，可准确地读取原始信号。

7. 发明专利

TWI512747B 用於管理錯誤區域之記憶體裝置及方法有权
简体标题：用于管理错误区域之内存设备及方法
公开(公告)号：TWI512747B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW099101829
申请日：2010-01-22
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：傑德羅喬M , JEDDELOH, JOE M.
IPC分类号： G11C29/42
CPC分类号： G11C29/44 , G11C5/04 , G11C29/4401 , G11C29/76 , G11C2029/1208 , H01L25/18 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/10897 , H01L2924/0002 , Y10T29/49002 , H01L2924/00

8. 发明专利

TWI511235B 用於記憶體修復之適應性處理限制有权
简体标题：用于内存修复之适应性处理限制
公开(公告)号：TWI511235B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW099138866
申请日：2010-11-11
申请人：電子科學工業有限公司 , ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：華特生丹尼爾J , WATSON, DANIEL J. , 柯恩穆爾R , COHEN, MUIR R.
IPC分类号： H01L21/8239 , B23K26/38 , B23K101/40
CPC分类号： B23K26/03 , B23K26/082 , B23K26/0853 , B23K26/351 , B23K2201/40 , H01L21/76892 , H01L27/10897

9. 发明专利

TWI492368B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI492368B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW101100176
申请日：2012-01-03
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 竹村保彥 , TAKEMURA, YASUHIKO
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/10808 , G11C5/10 , G11C11/401 , G11C11/4085 , H01L21/84 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L27/0688 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/10882 , H01L27/10897 , H01L27/1207 , H01L28/91 , H01L29/7869

10. 发明专利

TW201448174A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201448174A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103102111
申请日：2014-01-21
申请人： PS4盧克斯科公司 , PS4 LUXCO S. A. R. L.
发明人：山上実 , YAMAGAMI, MINORU , 長峰久之 , NAGAMINE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/10897 , G11C5/025 , G11C7/08 , G11C11/4087 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C11/4097
摘要： [課題]構成為能夠在感測放大器區域(SAA)內設置輔助放大器之一部分(n型部AAN)。[解決手段]半導體裝置，係具備有：在Y方向上而並排之第1以及第2記憶體胞區域(MATA)；和被形成在第1以及第2記憶體胞區域(MATA)之間，並包含複數之感測放大器之感測放大器區域(SAA)；和第1配線層；和分別在Y方向上延伸並且至少包含有在感測放大器區域(SAA)處作為第1配線層而被形成之第1配線部分的第1以及第2位元線(BL0T、BL0B)；和在第1位元線(BL0T)之第1配線部分和第2位元線(BL0B)之第1配線部分之間而作為第1配線層來形成並且朝向X方向延伸之第1墊片電極。
简体摘要： [课题]构成为能够在传感放大器区域(SAA)内设置辅助放大器之一部分(n型部AAN)。[解决手段]半导体设备，系具备有：在Y方向上而并排之第1以及第2内存胞区域(MATA)；和被形成在第1以及第2内存胞区域(MATA)之间，并包含复数之传感放大器之传感放大器区域(SAA)；和第1配线层；和分别在Y方向上延伸并且至少包含有在传感放大器区域(SAA)处作为第1配线层而被形成之第1配线部分的第1以及第2比特线(BL0T、BL0B)；和在第1比特线(BL0T)之第1配线部分和第2比特线(BL0B)之第1配线部分之间而作为第1配线层来形成并且朝向X方向延伸之第1垫片电极。

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