专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI615855B 位址偵測電路及具有該位址偵測電路之記憶體裝置有权
简体标题：位址侦测电路及具有该位址侦测电路之内存设备
公开(公告)号：TWI615855B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103139089
申请日：2014-11-11
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：池性洙 , CHI, SUNG-SOO , 許詠植 , HEO, YOUNG-SIK
IPC分类号： G11C8/06 , G11C8/08
CPC分类号： G11C8/04 , G11C7/02 , G11C11/406 , G11C11/40611 , G11C11/40622 , G11C11/4072 , G11C11/408

2. 发明专利

TW201506950A 記憶體及包含其之記憶體系統审中-公开
简体标题：内存及包含其之内存系统
公开(公告)号：TW201506950A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103113277
申请日：2014-04-10
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：池性洙 , CHI, SUNG-SOO
IPC分类号： G11C8/06 , G11C8/08
CPC分类号： G11C7/02 , G11C11/40622 , G11C11/408 , G11C29/783 , G11C2211/4065
摘要：本發明揭示一種記憶體，其包含：一第一胞元區塊，其包括複數個第一字線及用於替換該複數個第一字線中之至少一者之一或多個第一冗餘字線；一第二胞元區塊，其包括複數個第二字線及用於替換該複數個第二字線中之至少一者之一或多個第二冗餘字線；及一控制單元，其適合於在一目標再新區段期間循序接收一或多個輸入位址、回應於一第一輸入位址而選擇該第一胞元區塊及該第二胞元區塊中之一者以及包含於該選定胞元區塊中之一字線且在基於該第一輸入位址而選擇之該選定字線毗鄰於冗餘字線時啟動毗鄰於該選定字線之一或多個毗鄰字線，其中該等毗鄰字線包括該冗餘字線。
简体摘要：本发明揭示一种内存，其包含：一第一胞元区块，其包括复数个第一字线及用于替换该复数个第一字线中之至少一者之一或多个第一冗余字线；一第二胞元区块，其包括复数个第二字线及用于替换该复数个第二字线中之至少一者之一或多个第二冗余字线；及一控制单元，其适合于在一目标再新区段期间循序接收一或多个输入位址、回应于一第一输入位址而选择该第一胞元区块及该第二胞元区块中之一者以及包含于该选定胞元区块中之一字线且在基于该第一输入位址而选择之该选定字线毗邻于冗余字线时启动毗邻于该选定字线之一或多个毗邻字线，其中该等毗邻字线包括该冗余字线。

3. 发明专利

TW201604866A 閂鎖電路及包含該閂鎖電路的半導體裝置审中-公开
简体标题：闩锁电路及包含该闩锁电路的半导体设备
公开(公告)号：TW201604866A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103139613
申请日：2014-11-14
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：池性洙 , CHI, SUNG-SOO
IPC分类号： G11C11/412 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11
CPC分类号： H03K3/356104 , G11C11/4125
摘要：本發明揭示一種閂鎖電路，包含：第一至第N儲存節點，其中N為等於或大於四的偶數；以及第一至第N電晶體對，每一者係包含透過該第一至第N儲存節點的一對應節點彼此串聯耦合之一PMOS電晶體以及一NMOS電晶體。該PMOS電晶體耦合至該等儲存節點之一者，該節點包含在該PMOS電晶體閘極上該等電晶體對之前一者內。該NMOS電晶體耦合至該等儲存節點之一者，該節點包含在該NMOS電晶體閘極上該等電晶體對之後一者內。該第一至第N電晶體對之該等PMOS電晶體形成於第一主動區域內。該第一至第N電晶體對的該等NMOS電晶體形成於與該第一主動區域相隔的一第二主動區域內。
简体摘要：本发明揭示一种闩锁电路，包含：第一至第N存储节点，其中N为等于或大于四的偶数；以及第一至第N晶体管对，每一者系包含透过该第一至第N存储节点的一对应节点彼此串联耦合之一PMOS晶体管以及一NMOS晶体管。该PMOS晶体管耦合至该等存储节点之一者，该节点包含在该PMOS晶体管闸极上该等晶体管对之前一者内。该NMOS晶体管耦合至该等存储节点之一者，该节点包含在该NMOS晶体管闸极上该等晶体管对之后一者内。该第一至第N晶体管对之该等PMOS晶体管形成于第一主动区域内。该第一至第N晶体管对的该等NMOS晶体管形成于与该第一主动区域相隔的一第二主动区域内。

4. 发明专利

TW201526017A 位址偵測電路及具有該位址偵測電路之記憶體裝置审中-公开
简体标题：位址侦测电路及具有该位址侦测电路之内存设备
公开(公告)号：TW201526017A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103139089
申请日：2014-11-11
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：池性洙 , CHI, SUNG-SOO , 許詠植 , HEO, YOUNG-SIK
IPC分类号： G11C8/06 , G11C8/08
CPC分类号： G11C8/04 , G11C7/02 , G11C11/406 , G11C11/40611 , G11C11/40622 , G11C11/4072 , G11C11/408
摘要：本發明係揭露一種位址偵測電路可包括一或多個位址儲存單元；一初始單元，係適用於刪除儲存於一位址儲存單元之一位址，該被刪除之位址具有大於N的一值，其中在對應位址被儲存之後，該值係藉由各別之一總輸入數字除以各別對應被儲存之位址的一輸入數字而獲得；一偵測單元，係適用於自儲存於一或多個該等位址儲存單元之等位址中偵測具有一輸入數字之一位址，該輸入數字係為一參考數字或是大於該參考數字；以及一選擇單元，係適用於選擇未被儲存一位址之一位址儲存單元，並於該被選擇之位址儲存單元中儲存一輸入位址。
简体摘要：本发明系揭露一种位址侦测电路可包括一或多个位址存储单元；一初始单元，系适用于删除存储于一位址存储单元之一位址，该被删除之位址具有大于N的一值，其中在对应位址被存储之后，该值系借由各别之一总输入数字除以各别对应被存储之位址的一输入数字而获得；一侦测单元，系适用于自存储于一或多个该等位址存储单元之等位址中侦测具有一输入数字之一位址，该输入数字系为一参考数字或是大于该参考数字；以及一选择单元，系适用于选择未被存储一位址之一位址存储单元，并于该被选择之位址存储单元中存储一输入位址。

5. 发明专利

TWI652673B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI652673B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW104114278
申请日：2015-05-05
申请人：韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李星燁 , LEE, SUNG-YUB , 池性洙 , CHI, SUNG-SOO
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/40

6. 发明专利

TWI611420B 記憶體及包含其之記憶體系統有权
简体标题：内存及包含其之内存系统
公开(公告)号：TWI611420B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW103113277
申请日：2014-04-10
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：池性洙 , CHI, SUNG-SOO
IPC分类号： G11C8/06 , G11C8/08
CPC分类号： G11C7/02 , G11C11/40622 , G11C11/408 , G11C29/783 , G11C2211/4065

7. 发明专利

TW201621902A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201621902A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104114278
申请日：2015-05-05
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李星燁 , LEE, SUNG-YUB , 池性洙 , CHI, SUNG-SOO
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/40
CPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4085
摘要：一種半導體記憶裝置，其包括：一記憶庫，其包含複數個字線；及一刷新操作控制單元，其適於對該等複數個字線之一目標字線之一第一相鄰字線群組執行一第一刷新操作，以及在該第一刷新操作後，對該目標字線之一第二相鄰字線群組執行一第二刷新操作，以回應一智慧刷新指令。
简体摘要：一种半导体记忆设备，其包括：一记忆库，其包含复数个字线；及一刷新操作控制单元，其适于对该等复数个字线之一目标字线之一第一相邻字线群组运行一第一刷新操作，以及在该第一刷新操作后，对该目标字线之一第二相邻字线群组运行一第二刷新操作，以回应一智能刷新指令。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式