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热词
    • 10. 发明专利
    • 半導體裝置
    • 半导体设备
    • TW201836101A
    • 2018-10-01
    • TW106140800
    • 2017-11-23
    • 韓商愛思開海力士有限公司SK HYNIX INC.
    • 金庚煥KIM, KYUNG WHAN李東郁LEE, DONG UK
    • H01L23/488H01L27/105H01L21/8242
    • 一種半導體裝置包括:第一模式信號生成電路,其適用於回應於命令來生成第一模式信號,在第一時段比第二時段更長的情況下,第一模式信號被致能,其中第一時段取決於第一MOS電晶體的電流特性,第二時段取決於第一被動元件;以及第二模式信號生成電路,其適用於回應於命令來生成第二模式信號,在第三時段比第四時段更長的情況下,第二模式信號被致能,其中第三時段取決於第二被動元件,第四時段取決於第二MOS電晶體的電流特性。
    • 一种半导体设备包括:第一模式信号生成电路,其适用于回应于命令来生成第一模式信号,在第一时段比第二时段更长的情况下,第一模式信号被致能,其中第一时段取决于第一MOS晶体管的电流特性,第二时段取决于第一被动组件;以及第二模式信号生成电路,其适用于回应于命令来生成第二模式信号,在第三时段比第四时段更长的情况下,第二模式信号被致能,其中第三时段取决于第二被动组件,第四时段取决于第二MOS晶体管的电流特性。