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1. 发明专利

TW202030840A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW202030840A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109104519
申请日：2010-11-11
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C5/06 , G11C16/24 , H01L29/788
摘要：本發之目的在於提供一種半導體裝置，其組合整合於相同基板上之電晶體，其中電晶體包含於其通道形成區中之氧化物半導體以及電晶體包含於其通道形成區中之非氧化物半導體。本發明之應用在於實現實質上非易失性半導體記憶體，其不需特別擦除工作並不會遭受由於重覆寫入工作所產生之損害。此外，半導體裝置受適當調配以儲存多值。於說明內容中詳細地說明了製造方法、應用電路及驅動/讀出方法。
简体摘要：本发之目的在于提供一种半导体设备，其组合集成于相同基板上之晶体管，其中晶体管包含于其信道形成区中之氧化物半导体以及晶体管包含于其信道形成区中之非氧化物半导体。本发明之应用在于实现实质上非易失性半导体内存，其不需特别擦除工作并不会遭受由于重复写入工作所产生之损害。此外，半导体设备受适当调配以存储多值。于说明内容中详细地说明了制造方法、应用电路及驱动/读出方法。

2. 发明专利

TWI701726B 具有自對準著陸墊的半導體元件及其製備方法有权
简体标题：具有自对准着陆垫的半导体组件及其制备方法
公开(公告)号：TWI701726B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108127044
申请日：2019-07-30
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：許平 , HSU, PING
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8242

3. 发明专利

TW202027256A 靜態隨機存取記憶體及其製作方法审中-公开
简体标题：静态随机存取内存及其制作方法
公开(公告)号：TW202027256A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108100321
申请日：2019-01-04
申请人：力晶積成電子製造股份有限公司 , POWERCHIP SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION
发明人：李世平 , LEE, SHIH-PING , 盧昱誠 , LU, YU-CHENG , 黃國芳 , HUANG, KUO-FANG , 郭佳憲 , KUO, CHIA-HSIEN
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8242
摘要：本發明提供一種靜態隨機存取記憶體，其包含基底、第一導電型電晶體、第二導電型電晶體以及電容單元。第一導電型電晶體與第二導電型電晶體設置在基底表面，電容單元位於第一導電型電晶體與第二導電型電晶體之間，且包括一第一電極、一第二電極以及一介電層。第一電極包含複數個第一突出部與一第一平坦部，其中第一突出部連接於第一平坦部並自第一平坦部的上表面突出。第二電極覆蓋於第一突出部的頂面並位於相鄰第一突出部之間。介電層設於該第二電極與該第一電極之間。
简体摘要：本发明提供一种静态随机存取内存，其包含基底、第一导电型晶体管、第二导电型晶体管以及电容单元。第一导电型晶体管与第二导电型晶体管设置在基底表面，电容单元位于第一导电型晶体管与第二导电型晶体管之间，且包括一第一电极、一第二电极以及一介电层。第一电极包含复数个第一突出部与一第一平坦部，其中第一突出部连接于第一平坦部并自第一平坦部的上表面突出。第二电极覆盖于第一突出部的顶面并位于相邻第一突出部之间。介电层设于该第二电极与该第一电极之间。

4. 发明专利

TWI690028B 半導體記憶體裝置有权
简体标题：半导体内存设备
公开(公告)号：TWI690028B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW106106184
申请日：2012-06-08
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：竹村保彥 , TAKEMURA, YASUHIKO
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L23/52

5. 发明专利

TWI688047B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI688047B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW106101874
申请日：2011-07-22
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO , 畑勇氣 , HATA, YUKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/8244 , H01L27/108 , H01L27/11 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/08 , G11C8/14

6. 发明专利

TWI685113B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI685113B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW105103607
申请日：2016-02-03
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/115 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L29/788 , H01L29/792

7. 发明专利

TWI652771B 記憶體裝置及其製造方法有权
简体标题：内存设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI652771B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW107112891
申请日：2018-04-16
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：陳皇男 , CHEN, HUANG NAN , 池田典昭 , IKEDA, NORIAKI
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L29/06

8. 发明专利

TWI652770B 半導體記憶體結構及其製備方法有权
简体标题：半导体内存结构及其制备方法
公开(公告)号：TWI652770B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW107101052
申请日：2018-01-11
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：廖偉明 , LIAO, WEI-MING
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/76

9. 发明专利

TW201907544A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201907544A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW106122170
申请日：2017-07-03
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：張維哲 , CHANG, WEI-CHE , 田中義典 , TANAKA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要：一種半導體結構，包括基底、設置在基底中的多個第一隔離結構、至少一條埋入式字元線與至少一個第二隔離結構。埋入式字元線與第一隔離結構相交。第二隔離結構與第一隔離結構相交。第二隔離結構的至少一部分的材料與第一隔離結構的材料不同。
简体摘要：一种半导体结构，包括基底、设置在基底中的多个第一隔离结构、至少一条埋入式字符线与至少一个第二隔离结构。埋入式字符线与第一隔离结构相交。第二隔离结构与第一隔离结构相交。第二隔离结构的至少一部分的材料与第一隔离结构的材料不同。

10. 发明专利

TW201836101A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201836101A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106140800
申请日：2017-11-23
申请人：韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：金庚煥 , KIM, KYUNG WHAN , 李東郁 , LEE, DONG UK
IPC分类号： H01L23/488 , H01L27/105 , H01L21/8242
摘要：一種半導體裝置包括：第一模式信號生成電路，其適用於回應於命令來生成第一模式信號，在第一時段比第二時段更長的情況下，第一模式信號被致能，其中第一時段取決於第一MOS電晶體的電流特性，第二時段取決於第一被動元件；以及第二模式信號生成電路，其適用於回應於命令來生成第二模式信號，在第三時段比第四時段更長的情況下，第二模式信號被致能，其中第三時段取決於第二被動元件，第四時段取決於第二MOS電晶體的電流特性。
简体摘要：一种半导体设备包括：第一模式信号生成电路，其适用于回应于命令来生成第一模式信号，在第一时段比第二时段更长的情况下，第一模式信号被致能，其中第一时段取决于第一MOS晶体管的电流特性，第二时段取决于第一被动组件；以及第二模式信号生成电路，其适用于回应于命令来生成第二模式信号，在第三时段比第四时段更长的情况下，第二模式信号被致能，其中第三时段取决于第二被动组件，第四时段取决于第二MOS晶体管的电流特性。

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