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1. 发明专利

TW201918891A 用來控制一資料儲存裝置的運作之方法以及資料儲存裝置及其控制器审中-公开
简体标题：用来控制一数据存储设备的运作之方法以及数据存储设备及其控制器
公开(公告)号：TW201918891A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW106137873
申请日：2017-11-02
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：林聖嵂 , LIN, SHENG-LIU
IPC分类号： G06F13/16
CPC分类号： G06F3/0619 , G06F3/0634 , G06F3/065 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F12/02
摘要：本發明提供一種用來控制一資料儲存裝置的運作之方法以及資料儲存裝置及其控制器。該方法可包含：選取複數個非揮發性記憶體元件中之一非揮發性記憶體元件的多個區塊中的一區塊；從一主機接收一資料寫入指令；產生對應於該資料寫入指令之複數個操作指令，且於該區塊之複數個非保留字行進行資料寫入，其中該區塊包含該複數個非保留字行以及複數個保留字行，以及該複數個非保留字行中之每一非保留字行包含多頁；以及透過一單階細胞寫入模式來寫入使用者資料至該複數個保留字行中之一保留字行，使該保留字行包含單一的頁。
简体摘要：本发明提供一种用来控制一数据存储设备的运作之方法以及数据存储设备及其控制器。该方法可包含：选取复数个非挥发性内存组件中之一非挥发性内存组件的多个区块中的一区块；从一主机接收一数据写入指令；产生对应于该数据写入指令之复数个操作指令，且于该区块之复数个非保留字行进行数据写入，其中该区块包含该复数个非保留字行以及复数个保留字行，以及该复数个非保留字行中之每一非保留字行包含多页；以及透过一单阶细胞写入模式来写入用户数据至该复数个保留字行中之一保留字行，使该保留字行包含单一的页。

2. 发明专利

TW201812750A 半導體記憶裝置及記憶體系統审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及内存系统
公开(公告)号：TW201812750A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106104394
申请日：2017-02-10
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：宇都宮裕子 , UTSUNOMIYA, YUKO , 清水孝洋 , SHIMIZU, TAKAHIRO , 進藤佳彥 , SHINDO, YOSHIHIKO , 菅原昭雄 , SUGAHARA, AKIO , 山村俊雄 , YAMAMURA, TOSHIO
IPC分类号： G11C7/06 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/3459 , G06F3/0619 , G06F3/065 , G06F3/067 , G06F11/1451 , G06F11/1469 , G06F2201/84 , G11C7/1048 , G11C7/1087 , G11C7/1096 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2216/20
摘要：本發明之實施形態提供一種可於使用保持有寫入動作重新開始所需之資料之閂鎖電路執行讀取動作之後，重新開始寫入動作之半導體記憶裝置及記憶體系統。一實施形態之半導體記憶裝置具備：第1感測放大器單元，其包含可保持資料之第1閂鎖電路；及控制部。上述控制部執行如下動作：第1動作，其於寫入動作中斷後且接收指示讀取動作之第1指令前，將保持於上述第1閂鎖電路、且包含上述中斷之寫入動作之驗證結果之第1資料傳送至上述第1感測放大器單元之外部；及第2動作，其於上述讀取動作結束後且接收指示重新開始上述中斷之寫入動作之第2指令前，將傳送至上述第1感測放大器單元之外部之第1資料傳送至上述第1閂鎖電路。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可于使用保持有写入动作重新开始所需之数据之闩锁电路运行读取动作之后，重新开始写入动作之半导体记忆设备及内存系统。一实施形态之半导体记忆设备具备：第1传感放大器单元，其包含可保持数据之第1闩锁电路；及控制部。上述控制部运行如下动作：第1动作，其于写入动作中断后且接收指示读取动作之第1指令前，将保持于上述第1闩锁电路、且包含上述中断之写入动作之验证结果之第1数据发送至上述第1传感放大器单元之外部；及第2动作，其于上述读取动作结束后且接收指示重新开始上述中断之写入动作之第2指令前，将发送至上述第1传感放大器单元之外部之第1数据发送至上述第1闩锁电路。

3. 发明专利

TW201805811A 記憶體模組及其控制可程式化去重複率的方法审中-公开
简体标题：内存模块及其控制可进程化去重复率的方法
公开(公告)号：TW201805811A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106120759
申请日：2017-06-21
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：鄭宏忠 , ZHENG, HONGZHONG , 馬拉迪克里希納 , MALLADI, KRISHNA , 牛迪民 , NIU, DIMIN
IPC分类号： G06F12/02 , G06F9/445
CPC分类号： G06F3/0641 , G06F3/0608 , G06F3/0619 , G06F3/065 , G06F3/0683 , G06F12/1009 , G06F13/4282 , G06F2212/1044
摘要：一種具有包括程式化暫存器、去重複率控制邏輯以及去重複引擎的邏輯的記憶體模組。程式化暫存器儲存記憶體模組的最大去重複率。控制邏輯用以根據最大去重複率控制記憶體模組的去重複率。去重複率由可藉由主機電腦來程式化。
简体摘要：一种具有包括进程化寄存器、去重复率控制逻辑以及去重复发动机的逻辑的内存模块。进程化寄存器存储内存模块的最大去重复率。控制逻辑用以根据最大去重复率控制内存模块的去重复率。去重复率由可借由主机电脑来进程化。

4. 发明专利

TW201801089A 資料寫入方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：数据写入方法、内存控制电路单元及内存存储设备
公开(公告)号：TW201801089A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119063
申请日：2016-06-17
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：葉志剛 , YEH, CHIH-KANG , 張博勇 , CHANG, PO-YUNG
IPC分类号： G11C16/14
CPC分类号： G11C11/5635 , G06F3/0604 , G06F3/0638 , G06F3/065 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G11C11/5628 , G11C16/08 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C2211/5641
摘要：一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的資料寫入方法。此方法包括：將可複寫式非揮發性記憶體模組的實體抹除單元至少分組為第一區與第二區，其中第二區的實體抹除單元是以單頁程式化模式來寫入資料並且第一區的實體抹除單元是以多頁程式化模式來寫入資料。此方法更包括：接收第一資料；以及判斷在第一區的實體抹除單元之中只有部分實體程式化單元被程式化的實體抹除單元的數目是否小於預定數目，以及若是，則將第一資料寫入至第二區的實體抹除單元。
简体摘要：一种用于可复写式非挥发性内存模块的数据写入方法。此方法包括：将可复写式非挥发性内存模块的实体抹除单元至少分组为第一区与第二区，其中第二区的实体抹除单元是以单页进程化模式来写入数据并且第一区的实体抹除单元是以多页进程化模式来写入数据。此方法更包括：接收第一数据；以及判断在第一区的实体抹除单元之中只有部分实体进程化单元被进程化的实体抹除单元的数目是否小于预定数目，以及若是，则将第一数据写入至第二区的实体抹除单元。

5. 发明专利

TW201732534A 多形儲存裝置、儲存系統及儲存裝置的方法审中-公开
简体标题：多形存储设备、存储系统及存储设备的方法
公开(公告)号：TW201732534A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105136530
申请日：2016-11-10
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：崔仁錫史蒂芬 , CHOI, INSEOK STEPHEN , 奇亮奭 , KI, YANG SEOK
IPC分类号： G06F3/06 , G06F13/16
CPC分类号： G06F3/0605 , G06F3/06 , G06F3/0629 , G06F3/0647 , G06F3/065 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C7/1072
摘要：一種儲存裝置包括：應用容器，容納一或多個應用；多形儲存裝置（PSD）核心，用以自主機電腦接收包括資料、訊息、及命令的多個封包，並基於所述多個封包中所包括的命令而將所述多個封包路由至所述應用容器中的應用；以及多形儲存裝置介面層，用以在所述一或多個應用與所述多形儲存裝置核心之間提供介面。所述儲存裝置可根據經由所述多形儲存裝置控制介面接收的所述控制命令而自儲存裝置的第一類型轉變至儲存裝置的第二類型。
简体摘要：一种存储设备包括：应用容器，容纳一或多个应用；多形存储设备（PSD）内核，用以自主机电脑接收包括数据、消息、及命令的多个封包，并基于所述多个封包中所包括的命令而将所述多个封包路由至所述应用容器中的应用；以及多形存储设备界面层，用以在所述一或多个应用与所述多形存储设备内核之间提供界面。所述存储设备可根据经由所述多形存储设备控制界面接收的所述控制命令而自存储设备的第一类型转变至存储设备的第二类型。

6. 发明专利

TWI596544B 內含目錄狀態之更新技術有权
简体标题：内含目录状态之更新技术
公开(公告)号：TWI596544B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW105103551
申请日：2016-02-03
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：布蘭肯席普羅伯特G , BLANKENSHIP, ROBERT G.
IPC分类号： G06F9/312
CPC分类号： G06F3/061 , G06F3/0604 , G06F3/065 , G06F3/0671 , G06F12/0802 , G06F12/0808 , G06F12/0824 , G06F12/12 , G06F12/128 , G06F13/1673 , G06F2212/60 , G06F2212/622

7. 发明专利

TWI582611B 具揮發性之資料還原裝置、資料儲存裝置及其控制方法有权
简体标题：具挥发性之数据还原设备、数据存储设备及其控制方法
公开(公告)号：TWI582611B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104139550
申请日：2015-11-27
申请人：宇瞻科技股份有限公司 , APACER TECHNOLOGY INC.
发明人：李俊昌 , LEE, JIUNN-CHANG , 林嘉偉 , LIN, JIA-WEI
IPC分类号： G06F15/167 , G06F3/06
CPC分类号： G06F3/0619 , G06F3/065 , G06F3/0679 , G06F3/0685

8. 发明专利

TWI579689B 資料備份系統有权
简体标题：数据备份系统
公开(公告)号：TWI579689B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104131776
申请日：2015-09-25
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林旺聖 , LIN, WANG SHENG , 陳政宇 , CHEN, CHENG-YU
IPC分类号： G06F11/14 , G06F12/02
CPC分类号： G06F3/065 , G06F3/0611 , G06F3/0683 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7203

9. 发明专利

TW201709078A 記憶體系統审中-公开
简体标题：内存系统
公开(公告)号：TW201709078A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105104137
申请日：2016-02-05
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：小寺俊輔 , KODERA, SHUNSUKE , 古山良雄 , FURUYAMA, YOSHIO
IPC分类号： G06F13/38 , G06F12/00
CPC分类号： G06F3/0619 , G06F3/065 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G06F11/1004 , G06F13/4282
摘要：本發明之實施形態提供一種可提高動作可靠性之記憶體系統。實施形態之記憶體系統具備：介面電路210、220，其將於接收到已確證之晶片選擇信號之後立即接收到之信號識別為指令；及記憶胞陣列100，其以區塊單位抹除資料。於自主機機器發行對第1區塊BLK0之讀出命令時，當第1區塊BLK0內之第1資料為無效之情形時(S13，否)，將自第2區塊BLK1讀出之第2資料輸出至主機機器(S15)。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可提高动作可靠性之内存系统。实施形态之内存系统具备：界面电路210、220，其将于接收到已确证之芯片选择信号之后立即接收到之信号识别为指令；及记忆胞数组100，其以区块单位抹除数据。于自主机机器发行对第1区块BLK0之读出命令时，当第1区块BLK0内之第1数据为无效之情形时(S13，否)，将自第2区块BLK1读出之第2数据输出至主机机器(S15)。

10. 发明专利

TWI569275B 資料儲存裝置及其資料維護方法有权
简体标题：数据存储设备及其数据维护方法
公开(公告)号：TWI569275B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104123194
申请日：2015-07-17
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：江長豪 , CHIANG, CHANG HAO , 黃國棟 , HUNG, KUO TUNG , 李岳憲 , LI, YUEH HSIEN , 賴德維 , LAI, DE WEI
IPC分类号： G11C16/14 , G06F12/02
CPC分类号： G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/065 , G06F3/0679 , G06F3/0688

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