专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201532678A 塗佈膜形成裝置、塗佈膜形成方法、記憶媒體审中-公开
简体标题：涂布膜形成设备、涂布膜形成方法、记忆媒体
公开(公告)号：TW201532678A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103140983
申请日：2014-11-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU
IPC分类号： B05C11/08 , B05C11/10 , B05C5/00 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/687
CPC分类号： B05C11/023 , F26B21/028 , G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/68721 , H01L21/68742
摘要：塗佈膜形成裝置，係具備有：基板保持部，水平地保持基板；旋轉機構，使保持於前述基板保持部的基板旋轉；塗佈液供給機構，為了在前述基板形成塗佈膜而對前述基板的中央部供給塗佈液；環狀構件，為了覆蓋基板的周緣部上方，而以沿著基板之圓周方向的方式，設成為環狀；升降機構，使前述環狀構件相對於前述基板保持部相對地升降；及控制部，以進行下述步驟的方式來輸出控制訊號，該步驟，係包含：使前述環狀構件位於對前述基板之周緣部上方之氣流進行整流之處理位置的步驟；以藉由離心力使被供給至基板之中央部的塗佈液朝向周緣部擴散的方式，使該基板以第1旋轉數旋轉的步驟；使前述環狀構件相對於前述基板相對地上升，且使其退避至用於抑制因前述基板之旋轉數下降所引起之該基板之表面附近之氣流紊亂的退避位置的步驟；及使前述基板之旋轉數下降至比前述第1旋轉數低的第2旋轉數的步驟。
简体摘要：涂布膜形成设备，系具备有：基板保持部，水平地保持基板；旋转机构，使保持于前述基板保持部的基板旋转；涂布液供给机构，为了在前述基板形成涂布膜而对前述基板的中央部供给涂布液；环状构件，为了覆盖基板的周缘部上方，而以沿着基板之圆周方向的方式，设成为环状；直升电梯构，使前述环状构件相对于前述基板保持部相对地升降；及控制部，以进行下述步骤的方式来输出控制信号，该步骤，系包含：使前述环状构件位于对前述基板之周缘部上方之气流进行整流之处理位置的步骤；以借由离心力使被供给至基板之中央部的涂布液朝向周缘部扩散的方式，使该基板以第1旋转数旋转的步骤；使前述环状构件相对于前述基板相对地上升，且使其退避至用于抑制因前述基板之旋转数下降所引起之该基板之表面附近之气流紊乱的退避位置的步骤；及使前述基板之旋转数下降至比前述第1旋转数低的第2旋转数的步骤。

2. 发明专利

TW201705191A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201705191A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105110199
申请日：2016-03-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大石幸太郎 , OOISHI, KOTARO , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU , 有働英明 , UDOU, HIDEAKI
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/67017 , H01L21/67028
摘要：本發明提供一種基板處理方法及基板處理裝置，可抑制基板圖案的崩壞，並可使基板處理裝置內的環境溫度保持一定。為達成上述目的，依本發明之實施態樣的一態樣之基板處理方法，包含斥水化步驟、沖洗步驟、及乾燥步驟。斥水化步驟，在加熱到預先設定之第1既定溫度後，向基板供給變為比第1既定溫度低的第2既定溫度之斥水化劑。沖洗步驟，對於斥水化步驟後之基板供給沖洗液。乾燥步驟，除去沖洗步驟後之基板的沖洗液。
简体摘要：本发明提供一种基板处理方法及基板处理设备，可抑制基板图案的崩坏，并可使基板处理设备内的环境温度保持一定。为达成上述目的，依本发明之实施态样的一态样之基板处理方法，包含斥水化步骤、冲洗步骤、及干燥步骤。斥水化步骤，在加热到预先设置之第1既定温度后，向基板供给变为比第1既定温度低的第2既定温度之斥水化剂。冲洗步骤，对于斥水化步骤后之基板供给冲洗液。干燥步骤，除去冲洗步骤后之基板的冲洗液。

3. 发明专利

TW201808474A 基板洗淨方法、基板洗淨系統及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板洗净方法、基板洗净系统及记忆媒体
公开(公告)号：TW201808474A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106115657
申请日：2017-05-11
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：関口賢治 , SEKIGUCHI, KENJI , 菅野至 , KANNO, ITARU , 相原明徳 , AIBARA, MEITOKU , 立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU
IPC分类号： B08B3/04 , B08B7/00 , H01L21/02 , H01L21/67
摘要：不會對由與水反應而引起溶解或腐蝕之材料所構成的基板之表面帶來影響，而去除附著於基板的不要物。實施形態之基板處理方法，係包含有成膜處理液供給工程、剝離處理液供給工程及溶解處理液供給工程。成膜處理液供給工程，係將包含有揮發成分而用以在基板上形成膜的成膜處理液供給至基板。剝離處理液供給工程，係對藉由揮發成分產生揮發而成膜處理液在基板上固化或硬化而成的處理膜，供給使處理膜從基板剝離的剝離處理液。溶解處理液供給工程，係在剝離處理液供給工程後，對處理膜供給使處理膜溶解的溶解處理液。在此，成膜處理液，係含有極性有機物，剝離處理液，係不含有水分的非極性溶媒，溶解處理液，係不含有水分的極性溶媒。
简体摘要：不会对由与水反应而引起溶解或腐蚀之材料所构成的基板之表面带来影响，而去除附着于基板的不要物。实施形态之基板处理方法，系包含有成膜处理液供给工程、剥离处理液供给工程及溶解处理液供给工程。成膜处理液供给工程，系将包含有挥发成分而用以在基板上形成膜的成膜处理液供给至基板。剥离处理液供给工程，系对借由挥发成分产生挥发而成膜处理液在基板上固化或硬化而成的处理膜，供给使处理膜从基板剥离的剥离处理液。溶解处理液供给工程，系在剥离处理液供给工程后，对处理膜供给使处理膜溶解的溶解处理液。在此，成膜处理液，系含有极性有机物，剥离处理液，系不含有水分的非极性溶媒，溶解处理液，系不含有水分的极性溶媒。

4. 发明专利

TW201423836A 液處理裝置及液處理方法以及液處理用記憶媒體审中-公开
简体标题：液处理设备及液处理方法以及液处理用记忆媒体
公开(公告)号：TW201423836A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102125728
申请日：2013-07-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/16
CPC分类号： G03F7/16 , B05C5/0258 , B05C11/08 , B05C11/1002 , B08B3/08 , B08B3/10 , G03F7/162 , H01L21/67051 , H01L21/6715 , H01L21/67178
摘要： [課題]使去除藉由液處理所產生之霧氣的排氣在處理杯內循環，以謀求排氣之有效利用，並且謀求刪減排出至工場側之排氣流量及刪減工場側排氣動力，降低朝向處理杯之供給風量。[解決手段]具備：被配設在上端開放之處理杯(50)內，水平保持晶圓(W)之旋轉吸盤(41)；對晶圓表面供給光阻液之光阻噴嘴(44)；及將晶圓之周圍氛圍予以排氣之排氣機構(60)，排氣機構具備：被連接於處理杯之排氣口(54)，鼓風機(62)介於中間的排氣流路(61)；從排氣流路分歧而與處理杯連通之循環流路(63)；介於排氣流路中包含分歧部之該分歧部之一次側或循環流路的霧氣補集器(64)；介於排氣流路之間的可開關及調整開度之第1調整閥(Va)；及介於霧氣補集器之二次側之排氣流路之間的可開關的第2調整閥(Vb)。
简体摘要： [课题]使去除借由液处理所产生之雾气的排气在处理杯内循环，以谋求排气之有效利用，并且谋求删减排出至工场侧之排气流量及删减工场侧排气动力，降低朝向处理杯之供给风量。[解决手段]具备：被配设在上端开放之处理杯(50)内，水平保持晶圆(W)之旋转吸盘(41)；对晶圆表面供给光阻液之光阻喷嘴(44)；及将晶圆之周围氛围予以排气之排气机构(60)，排气机构具备：被连接于处理杯之排气口(54)，鼓风机(62)介于中间的排气流路(61)；从排气流路分歧而与处理杯连通之循环流路(63)；介于排气流路中包含分歧部之该分歧部之一次侧或循环流路的雾气补集器(64)；介于排气流路之间的可开关及调整开度之第1调整阀(Va)；及介于雾气补集器之二次侧之排气流路之间的可开关的第2调整阀(Vb)。

5. 发明专利

TWI700133B 基板洗淨方法、基板洗淨系統及記憶媒體有权
简体标题：基板洗净方法、基板洗净系统及记忆媒体
公开(公告)号：TWI700133B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW106115657
申请日：2017-05-11
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：関口賢治 , SEKIGUCHI, KENJI , 菅野至 , KANNO, ITARU , 相原明徳 , AIBARA, MEITOKU , 立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU
IPC分类号： B08B3/04 , B08B7/00 , H01L21/02 , H01L21/67

6. 发明专利

TWI552195B 液處理裝置及液處理方法以及液處理用記憶媒體有权
简体标题：液处理设备及液处理方法以及液处理用记忆媒体
公开(公告)号：TWI552195B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW102125728
申请日：2013-07-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/16
CPC分类号： G03F7/16 , B05C5/0258 , B05C11/08 , B05C11/1002 , B08B3/08 , B08B3/10 , G03F7/162 , H01L21/67051 , H01L21/6715 , H01L21/67178

7. 发明专利

TWI649779B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI649779B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW105110199
申请日：2016-03-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大石幸太郎 , OOISHI, KOTARO , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU , 有働英明 , UDOU, HIDEAKI
IPC分类号： H01L21/00

8. 发明专利

TW201801221A 液體處理方法、基板處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：液体处理方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201801221A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106104013
申请日：2017-02-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU , 中森光則 , NAKAMORI, MITSUNORI , 大石幸太郎 , OOISHI, KOTARO , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 田中幸二 , TANAKA, KOJI , 稻富弘朗 , INADOMI, HIROAKI , 山下剛秀 , YAMASHITA, MASAMI , 福田喜輝 , FUKUDA, YOSHITERU , 山下浩司 , YAMASHITA, KOJI , 釣船祐 , TSURIFUNE, YU , 增住拓朗 , MASUZUMI, TAKURO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/02 , B08B3/04 , B08B3/10 , B08B3/14 , B08B3/08
摘要：本發明旨在提供液體處理方法等，其可於進行基板表面的撥水化處理的同時，迅速得到將基板圖案內存在的純水或撥水化劑予以去除並使其乾燥的基板。對水平固持的基板W供給純水後，於進行基板W的乾燥之際，於第1溶劑供給程序中，對純水供給後的基板W表面供給第1溶劑，於其後的撥水化劑供給程序中，對基板W表面供給撥水化劑。於第2溶劑供給程序中，對撥水化後的基板W表面供給第2溶劑，於其後的乾燥程序中，去除基板W表面的第2溶劑。而第1溶劑的比重小於該撥水化劑的比重，該第2溶劑的比重大於該撥水化劑的比重。
简体摘要：本发明旨在提供液体处理方法等，其可于进行基板表面的拨水化处理的同时，迅速得到将基板图案内存在的纯水或拨水化剂予以去除并使其干燥的基板。对水平固持的基板W供给纯水后，于进行基板W的干燥之际，于第1溶剂供给进程中，对纯水供给后的基板W表面供给第1溶剂，于其后的拨水化剂供给进程中，对基板W表面供给拨水化剂。于第2溶剂供给进程中，对拨水化后的基板W表面供给第2溶剂，于其后的干燥进程中，去除基板W表面的第2溶剂。而第1溶剂的比重小于该拨水化剂的比重，该第2溶剂的比重大于该拨水化剂的比重。

9. 发明专利

TWI607805B 塗佈膜形成裝置、塗佈膜形成方法、記憶媒體有权
简体标题：涂布膜形成设备、涂布膜形成方法、记忆媒体
公开(公告)号：TWI607805B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103140983
申请日：2014-11-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU
IPC分类号： B05C11/08 , B05C11/10 , B05C5/00 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/687
CPC分类号： B05C11/023 , F26B21/028 , G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/68721 , H01L21/68742

10. 发明专利

TW201436882A 塗佈膜形成方法、塗佈膜形成裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：涂布膜形成方法、涂布膜形成设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201436882A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103103249
申请日：2014-01-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 京田秀治 , KYOUDA, HIDEHARU
IPC分类号： B05C5/02
CPC分类号： H01L21/6715 , G03F7/162 , H01L21/67109
摘要：本發明提供一種技術，其可在以旋轉塗布法形成塗布膜的期間，效率良好地冷卻晶圓W，另外，可抑制水滴往杯體10內飛濺，進而抑制塗布液之固體成分析出於排出路徑。為達成上述之目的，在以旋轉塗布法於晶圓W上形成塗布膜的期間，在塗布膜擴展之前，從霧氣噴嘴3對晶圓W的背面供給液體或是固體的微粒子群亦即霧氣，並利用霧氣的氣化(或是昇華)熱來冷卻基板。之後，提升晶圓W的轉速，並供給少量的塗布液，接著使晶圓W的轉速下降，以進行塗布膜的回流(Reflow)步驟，之後，再提升晶圓W的轉速，使塗布液擴展至晶圓W的整個面，以形成塗布膜。
简体摘要：本发明提供一种技术，其可在以旋转涂布法形成涂布膜的期间，效率良好地冷却晶圆W，另外，可抑制水滴往杯体10内飞溅，进而抑制涂布液之固体成分析出于排出路径。为达成上述之目的，在以旋转涂布法于晶圆W上形成涂布膜的期间，在涂布膜扩展之前，从雾气喷嘴3对晶圆W的背面供给液体或是固体的微粒子群亦即雾气，并利用雾气的气化(或是升华)热来冷却基板。之后，提升晶圆W的转速，并供给少量的涂布液，接着使晶圆W的转速下降，以进行涂布膜的回流(Reflow)步骤，之后，再提升晶圆W的转速，使涂布液扩展至晶圆W的整个面，以形成涂布膜。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式