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1. 发明专利

TWI506718B 處理裝置有权
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TWI506718B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW101107706
申请日：2012-03-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中島幹雄 , NAKASHIMA, MIKIO , 稻富弘朗 , INADOMI, HIROAKI , 岡村聰 , OKAMURA, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67126 , H01L21/6719

2. 发明专利

TW201921427A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201921427A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107133079
申请日：2018-09-20
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：稻富弘朗 , INADOMI, HIROAKI , 中村徹 , NAKAMURA, TOORU , 木本晃司 , KIMOTO, KOUJI , 青山義尚 , AOYAMA, YOSHIHISA
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/30
摘要：本發明之目的在達成包含液體處理及超臨界乾燥處理之一連串基板處理的最適當化。依本發明實施形態之基板處理裝置，包含搬送區塊及複數之處理區塊。搬送區塊配置用以搬送基板之搬送裝置。複數之處理區塊與搬送區塊相鄰配置，用以處理由搬送裝置所搬送之基板。又，各處理區塊分別具有液體處理單元及乾燥單元各1個。液體處理單元用以進行於基板之上面形成液膜的液膜形成處理。乾燥單元用以進行藉使液膜形成處理後之基板與超臨界狀態之處理流體接觸而使液膜形成處理後之基板乾燥的超臨界乾燥處理。再者，同一處理區塊所具有之液體處理單元與乾燥單元在搬送區塊之搬送裝置的移動方向配置於同側。
简体摘要：本发明之目的在达成包含液体处理及超临界干燥处理之一连串基板处理的最适当化。依本发明实施形态之基板处理设备，包含搬送区块及复数之处理区块。搬送区块配置用以搬送基板之搬送设备。复数之处理区块与搬送区块相邻配置，用以处理由搬送设备所搬送之基板。又，各处理区块分别具有液体处理单元及干燥单元各1个。液体处理单元用以进行于基板之上面形成液膜的液膜形成处理。干燥单元用以进行藉使液膜形成处理后之基板与超临界状态之处理流体接触而使液膜形成处理后之基板干燥的超临界干燥处理。再者，同一处理区块所具有之液体处理单元与干燥单元在搬送区块之搬送设备的移动方向配置于同侧。

3. 发明专利

TW201801221A 液體處理方法、基板處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：液体处理方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201801221A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106104013
申请日：2017-02-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU , 中森光則 , NAKAMORI, MITSUNORI , 大石幸太郎 , OOISHI, KOTARO , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 田中幸二 , TANAKA, KOJI , 稻富弘朗 , INADOMI, HIROAKI , 山下剛秀 , YAMASHITA, MASAMI , 福田喜輝 , FUKUDA, YOSHITERU , 山下浩司 , YAMASHITA, KOJI , 釣船祐 , TSURIFUNE, YU , 增住拓朗 , MASUZUMI, TAKURO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/02 , B08B3/04 , B08B3/10 , B08B3/14 , B08B3/08
摘要：本發明旨在提供液體處理方法等，其可於進行基板表面的撥水化處理的同時，迅速得到將基板圖案內存在的純水或撥水化劑予以去除並使其乾燥的基板。對水平固持的基板W供給純水後，於進行基板W的乾燥之際，於第1溶劑供給程序中，對純水供給後的基板W表面供給第1溶劑，於其後的撥水化劑供給程序中，對基板W表面供給撥水化劑。於第2溶劑供給程序中，對撥水化後的基板W表面供給第2溶劑，於其後的乾燥程序中，去除基板W表面的第2溶劑。而第1溶劑的比重小於該撥水化劑的比重，該第2溶劑的比重大於該撥水化劑的比重。
简体摘要：本发明旨在提供液体处理方法等，其可于进行基板表面的拨水化处理的同时，迅速得到将基板图案内存在的纯水或拨水化剂予以去除并使其干燥的基板。对水平固持的基板W供给纯水后，于进行基板W的干燥之际，于第1溶剂供给进程中，对纯水供给后的基板W表面供给第1溶剂，于其后的拨水化剂供给进程中，对基板W表面供给拨水化剂。于第2溶剂供给进程中，对拨水化后的基板W表面供给第2溶剂，于其后的干燥进程中，去除基板W表面的第2溶剂。而第1溶剂的比重小于该拨水化剂的比重，该第2溶剂的比重大于该拨水化剂的比重。

4. 发明专利

TWI490931B 超音波清洗裝置、超音波清洗方法、及記錄有用來執行此超音波清洗方法之電腦程式的記錄媒體失效
简体标题：超音波清洗设备、超音波清洗方法、及记录有用来运行此超音波清洗方法之电脑进程的记录媒体
公开(公告)号：TWI490931B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW099133730
申请日：2010-10-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上川裕二 , KAMIKAWA, YUJI , 稻富弘朗 , INADOMI, HIROAKI , 山本秀幸 , YAMAMOTO, HIDEYUKI , 小宮洋司 , KOMIYA, HIROSHI , 江頭浩司 , EGASHIRA, KOJI
IPC分类号： H01L21/30 , B08B3/12

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