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1. 发明专利

TW201332005A 基板處理方法，記憶有用以實行此基板處理方法的電腦程式之記錄媒體，及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法，记忆有用以实行此基板处理方法的电脑进程之记录媒体，及基板处理设备
公开(公告)号：TW201332005A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101144792
申请日：2012-11-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：南輝臣 , MINAMI, TERUOMI , 田中暁 , TANAKA, SATORU , 永松辰也 , NAGAMATSU, TATSUYA , 鈴木啟之 , SUZUKI, HIROYUKI , 川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 平山司 , HIRAYAMA, TSUKASA , 松木勝文 , MATSUKI, KATSUFUMI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B08B3/04 , H01L21/67034
摘要：本發明的課題是在於提供一種可抑制在基板的表面產生微粒之基板處理方法。其解決手段，在本發明的基板處理方法中，首先，基板W會被藥液處理。其次，洗滌液會被供給至基板W而進行洗滌處理工程。之後，進行一邊使基板W旋轉，一邊乾燥基板W的乾燥處理工程。乾燥處理工程是具有：一邊使基板W以第1旋轉數旋轉，一邊朝基板W供給乾燥液的第1乾燥處理工程、及第1乾燥處理工程之後，一邊對基板供給乾燥液，一邊使基板朝比第1旋轉數低的第2旋轉數減速的第2乾燥處理工程。在第2乾燥處理工程中，對基板W上的洗滌液及乾燥液踩煞車的狀態，攪拌洗滌液及乾燥液而使置換。第2乾燥處理工程之後，在第3乾燥工程中一邊對基板供給乾燥液，一邊將基板的旋轉數從第2旋轉數提高至第3旋轉數，之後在第4乾燥工程中使基板旋轉，而甩掉基板上的乾燥液。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可抑制在基板的表面产生微粒之基板处理方法。其解决手段，在本发明的基板处理方法中，首先，基板W会被药液处理。其次，洗涤液会被供给至基板W而进行洗涤处理工程。之后，进行一边使基板W旋转，一边干燥基板W的干燥处理工程。干燥处理工程是具有：一边使基板W以第1旋转数旋转，一边朝基板W供给干燥液的第1干燥处理工程、及第1干燥处理工程之后，一边对基板供给干燥液，一边使基板朝比第1旋转数低的第2旋转数减速的第2干燥处理工程。在第2干燥处理工程中，对基板W上的洗涤液及干燥液踩煞车的状态，搅拌洗涤液及干燥液而使置换。第2干燥处理工程之后，在第3干燥工程中一边对基板供给干燥液，一边将基板的旋转数从第2旋转数提高至第3旋转数，之后在第4干燥工程中使基板旋转，而甩掉基板上的干燥液。

2. 发明专利

TW202030836A 基板處理方法、及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法、及基板处理设备
公开(公告)号：TW202030836A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108142885
申请日：2019-11-26
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE
IPC分类号： H01L21/70 , H01L23/34
摘要： [課題] 提供能夠在覆蓋凹凸圖案的液膜的乾燥時抑制凹凸圖案的圖案坍塌的技術。 [解決機構] 一種基板處理方法，具有：對基板的形成凹凸圖案的上面供應乾燥液，形成包含前述乾燥液的液膜的工程；將前述基板的上面，從前述乾燥液的液膜露出的工程；前述露出的工程，包含：在前述乾燥液的液膜的水平方向相鄰的第1區域與第2區域之間，產生表面張力差的工程；藉由前述表面張力差，從前述第1區域向前述第2區域排出前述乾燥液的工程。
简体摘要： [课题] 提供能够在覆盖凹凸图案的液膜的干燥时抑制凹凸图案的图案坍塌的技术。 [解决机构] 一种基板处理方法，具有：对基板的形成凹凸图案的上面供应干燥液，形成包含前述干燥液的液膜的工程；将前述基板的上面，从前述干燥液的液膜露出的工程；前述露出的工程，包含：在前述干燥液的液膜的水平方向相邻的第1区域与第2区域之间，产生表面张力差的工程；借由前述表面张力差，从前述第1区域向前述第2区域排出前述干燥液的工程。

3. 发明专利

TWI553727B 基板處理方法，記憶有用以實行此基板處理方法的電腦程式之記錄媒體，及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法，记忆有用以实行此基板处理方法的电脑进程之记录媒体，及基板处理设备
公开(公告)号：TWI553727B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101144792
申请日：2012-11-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：南輝臣 , MINAMI, TERUOMI , 田中暁 , TANAKA, SATORU , 永松辰也 , NAGAMATSU, TATSUYA , 鈴木啟之 , SUZUKI, HIROYUKI , 川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 平山司 , HIRAYAMA, TSUKASA , 松木勝文 , MATSUKI, KATSUFUMI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B08B3/04 , H01L21/67034

4. 发明专利

TW201837970A 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201837970A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106136022
申请日：2017-10-20
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 清瀬浩巳 , KIYOSE, HIROMI , 増住拓朗 , MASUZUMI, TAKURO , 大野広基 , OHNO, HIROKI , 束野憲人 , TUKANO, KENTO , 丸本洋 , MARUMOTO, HIROSHI , 北山将太郎 , KITAYAMA, SHOTARO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67
摘要： [課題] 可以防止位於圖案之凹部內之液體被置換成超臨界狀態之處理流體之前蒸發之情形。　　[解決手段] 基板處理裝置實施：升壓工程，其係將在表面附著液體之基板收容至處理容器之後，對處理容器(301)供給被加壓之處理流體，而使處理容器內之壓力上升至較處理流體之臨界壓力高的處理壓力；和流通工程，其係在升壓工程之後，在處理容器內，邊維持至少處理流體維持超臨界狀態之壓力，邊對處理容器供給處理流體，同時從處理容器排出處理流體。在升壓工程中，至少處理容器內之壓力到達至處理流體之臨界壓力為止，停止從第2流體供給部(341)供給上述處理流體，從第1流體供給部(317)對處理容器內供給處理流體。在流通工程中，從第2流體供給部對處理容器內供給處理流體。
简体摘要： [课题] 可以防止位于图案之凹部内之液体被置换成超临界状态之处理流体之前蒸发之情形。　　[解决手段] 基板处理设备实施：升压工程，其系将在表面附着液体之基板收容至处理容器之后，对处理容器(301)供给被加压之处理流体，而使处理容器内之压力上升至较处理流体之临界压力高的处理压力；和流通工程，其系在升压工程之后，在处理容器内，边维持至少处理流体维持超临界状态之压力，边对处理容器供给处理流体，同时从处理容器排出处理流体。在升压工程中，至少处理容器内之压力到达至处理流体之临界压力为止，停止从第2流体供给部(341)供给上述处理流体，从第1流体供给部(317)对处理容器内供给处理流体。在流通工程中，从第2流体供给部对处理容器内供给处理流体。

5. 发明专利

TW201513204A 基板處理裝置及基板處理方法和記錄基板處理程式之電腦可讀取之記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法和记录基板处理进程之电脑可读取之记录媒体
公开(公告)号：TW201513204A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103119351
申请日：2014-06-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 田中暁 , TANAKA, SATORU , 鈴木啓之 , SUZUKI, HIROYUKI , 大石幸太郎 , OOISHI, KOTARO , 篠原和義 , SHINOHARA, KAZUYOSHI , 吉田祐希 , YOSHIDA, YUKI
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/6715
摘要：實現基板處理中之生產率的提升與運轉成本的下降。在本發明中，係在以處理液處理基板(3)之後使前述基板(3)乾燥的基板處理裝置(1)中，具有：基板旋轉機構(22)，使前述基板(3)旋轉；處理液吐出部(13)，對前述基板(3)吐出處理液；置換液吐出部(14)，一邊相對於前述基板(3)移動，一邊朝向前述基板(3)吐出被置換為前述基板(3)上之處理液的置換液；及惰性氣體吐出部(15)，一邊相對於前述基板(3)移動至與前述置換液吐出部(14)不同的方向，一邊從前述基板(3)的上方對前述基板(3)斜向外周方向吐出惰性氣體。
简体摘要：实现基板处理中之生产率的提升与运转成本的下降。在本发明中，系在以处理液处理基板(3)之后使前述基板(3)干燥的基板处理设备(1)中，具有：基板旋转机构(22)，使前述基板(3)旋转；处理液吐出部(13)，对前述基板(3)吐出处理液；置换液吐出部(14)，一边相对于前述基板(3)移动，一边朝向前述基板(3)吐出被置换为前述基板(3)上之处理液的置换液；及惰性气体吐出部(15)，一边相对于前述基板(3)移动至与前述置换液吐出部(14)不同的方向，一边从前述基板(3)的上方对前述基板(3)斜向外周方向吐出惰性气体。

6. 发明专利

TW201832289A 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201832289A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106138897
申请日：2017-11-10
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大野広基 , OHNO, HIROKI , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 北山将太郎 , KITAYAMA, SHOTARO , 丸本洋 , MARUMOTO, HIROSHI , 増住拓朗 , MASUZUMI, TAKURO , 束野憲人 , TUKANO, KENTO , 清瀬浩巳 , KIYOSE, HIROMI
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/67
摘要： [課題] 降低附著於使用了超臨界流體之處理後的基板之表面的微粒位準。　　[解決手段] 在將處理容器(301)內之壓力從低於處理流體之臨界壓力的壓力(例如常壓)升壓至高於臨界壓力的處理壓力之升壓工程的至少一部分之期間，一面使處理流體從處理容器以所控制的排出流量排出，一面使處理流體從流體供給源供給至處理容器，藉此，進行升壓。附著於處理容器內之構件表面的微粒因從流體供給源將處理流體供給至處理容器而揚起。該微粒，係與處理流體一起從處理容器被排出。
简体摘要： [课题] 降低附着于使用了超临界流体之处理后的基板之表面的微粒位准。　　[解决手段] 在将处理容器(301)内之压力从低于处理流体之临界压力的压力(例如常压)升压至高于临界压力的处理压力之升压工程的至少一部分之期间，一面使处理流体从处理容器以所控制的排出流量排出，一面使处理流体从流体供给源供给至处理容器，借此，进行升压。附着于处理容器内之构件表面的微粒因从流体供给源将处理流体供给至处理容器而扬起。该微粒，系与处理流体一起从处理容器被排出。

7. 发明专利

TW201801221A 液體處理方法、基板處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：液体处理方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201801221A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106104013
申请日：2017-02-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU , 中森光則 , NAKAMORI, MITSUNORI , 大石幸太郎 , OOISHI, KOTARO , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 田中幸二 , TANAKA, KOJI , 稻富弘朗 , INADOMI, HIROAKI , 山下剛秀 , YAMASHITA, MASAMI , 福田喜輝 , FUKUDA, YOSHITERU , 山下浩司 , YAMASHITA, KOJI , 釣船祐 , TSURIFUNE, YU , 增住拓朗 , MASUZUMI, TAKURO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/02 , B08B3/04 , B08B3/10 , B08B3/14 , B08B3/08
摘要：本發明旨在提供液體處理方法等，其可於進行基板表面的撥水化處理的同時，迅速得到將基板圖案內存在的純水或撥水化劑予以去除並使其乾燥的基板。對水平固持的基板W供給純水後，於進行基板W的乾燥之際，於第1溶劑供給程序中，對純水供給後的基板W表面供給第1溶劑，於其後的撥水化劑供給程序中，對基板W表面供給撥水化劑。於第2溶劑供給程序中，對撥水化後的基板W表面供給第2溶劑，於其後的乾燥程序中，去除基板W表面的第2溶劑。而第1溶劑的比重小於該撥水化劑的比重，該第2溶劑的比重大於該撥水化劑的比重。
简体摘要：本发明旨在提供液体处理方法等，其可于进行基板表面的拨水化处理的同时，迅速得到将基板图案内存在的纯水或拨水化剂予以去除并使其干燥的基板。对水平固持的基板W供给纯水后，于进行基板W的干燥之际，于第1溶剂供给进程中，对纯水供给后的基板W表面供给第1溶剂，于其后的拨水化剂供给进程中，对基板W表面供给拨水化剂。于第2溶剂供给进程中，对拨水化后的基板W表面供给第2溶剂，于其后的干燥进程中，去除基板W表面的第2溶剂。而第1溶剂的比重小于该拨水化剂的比重，该第2溶剂的比重大于该拨水化剂的比重。

8. 发明专利

TWI584366B 基板處理裝置及基板處理方法和記錄基板處理程式之電腦可讀取之記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法和记录基板处理进程之电脑可读取之记录媒体
公开(公告)号：TWI584366B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW103119351
申请日：2014-06-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 田中暁 , TANAKA, SATORU , 鈴木啓之 , SUZUKI, HIROYUKI , 大石幸太郎 , OOISHI, KOTARO , 篠原和義 , SHINOHARA, KAZUYOSHI , 吉田祐希 , YOSHIDA, YUKI
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/6715

9. 发明专利

TW201832839A 基板處理裝置之清洗方法及基板處理裝置之清洗系統审中-公开
简体标题：基板处理设备之清洗方法及基板处理设备之清洗系统
公开(公告)号：TW201832839A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106141094
申请日：2017-11-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：北山將太郎 , KITAYAMA, SHOTARO , 五師源太郎 , GOSHI, GENTARO , 大野廣基 , OHNO, HIROKI , 江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE , 丸本洋 , MARUMOTO, HIROSHI , 增住拓朗 , MASUZUMI, TAKURO , 束野憲人 , TUKANO, KENTO , 清瀨浩巳 , KIYOSE, HIROMI
IPC分类号： B08B15/00 , B08B5/00 , B08B9/00 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種基板處理裝置之清洗方法及基板處理裝置之清洗系統，在使用超臨界流體乾燥晶圓的情況，抑制多個微粒附著於晶圓。實施形態的基板處理裝置之清洗方法，施行使表面經液體潤濕的狀態之基板與超臨界流體接觸，將基板乾燥的乾燥處理，其包含清洗用氣體充填步驟、及排氣步驟。清洗用氣體充填步驟，於基板處理裝置之內部充填含有異丙醇的清洗用氣體。排氣步驟，在清洗用氣體充填步驟後，從基板處理裝置之內部將清洗用氣體排氣。
简体摘要：本发明提供一种基板处理设备之清洗方法及基板处理设备之清洗系统，在使用超临界流体干燥晶圆的情况，抑制多个微粒附着于晶圆。实施形态的基板处理设备之清洗方法，施行使表面经液体润湿的状态之基板与超临界流体接触，将基板干燥的干燥处理，其包含清洗用气体充填步骤、及排气步骤。清洗用气体充填步骤，于基板处理设备之内部充填含有异丙醇的清洗用气体。排气步骤，在清洗用气体充填步骤后，从基板处理设备之内部将清洗用气体排气。

10. 发明专利

TWI494987B 基板處理方法、記錄有用來實施此基板處理方法之電腦程式的記錄媒體及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法、记录有用来实施此基板处理方法之电脑进程的记录媒体及基板处理设备
公开(公告)号：TWI494987B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW100120961
申请日：2011-06-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：南輝臣 , MINAMI, TERUOMI , 岡村尚幸 , OKAMURA, NAOYUKI , 丸山裕隆 , MARUYAMA, HIROTAKA , 川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/02052 , H01L21/67051

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