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1. 发明专利

TW201629640A 顯影處理方法、電腦記錄媒體及顯影處理裝置审中-公开
简体标题：显影处理方法、电脑记录媒体及显影处理设备
公开(公告)号：TW201629640A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104139812
申请日：2015-11-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：牟田行志 , MUTA, KOSHI , 京田秀治 , KYOUDA, HIDEHARU , 久保田稔 , KUBOTA, MINORU
IPC分类号： G03F7/30 , G03F7/32
摘要：本發明旨在確保顯影處理之面內均勻性的同時，並提升顯影處理之產率。本發明提供一種顯影處理方法，在晶圓之中心部，形成以純水稀釋過之稀釋顯影液的液灘（時間t1 ）；之後，使晶圓加速至第1旋轉速度，以使該稀釋顯影液的液灘擴散至晶圓整面，而在該晶圓表面形成該稀釋顯影液之液膜（時間t2 ）。之後，在具有與晶圓平行之潤濕面的顯影液供給噴嘴、與該晶圓之間確保既定間隔之空隙的狀態下，由該顯影液供給噴嘴對晶圓之中心部供給顯影液，而在晶圓與該顯影液供給噴嘴之潤濕面之間，形成顯影液之液灘（時間t3 ）。一邊持續由顯影液供給噴嘴供給顯影液、一邊使晶圓旋轉，同時使該顯影液供給噴嘴由晶圓之中心部移動至晶圓之外周部。
简体摘要：本发明旨在确保显影处理之面内均匀性的同时，并提升显影处理之产率。本发明提供一种显影处理方法，在晶圆之中心部，形成以纯水稀释过之稀释显影液的液滩（时间t1 ）；之后，使晶圆加速至第1旋转速度，以使该稀释显影液的液滩扩散至晶圆整面，而在该晶圆表面形成该稀释显影液之液膜（时间t2 ）。之后，在具有与晶圆平行之润湿面的显影液供给喷嘴、与该晶圆之间确保既定间隔之空隙的状态下，由该显影液供给喷嘴对晶圆之中心部供给显影液，而在晶圆与该显影液供给喷嘴之润湿面之间，形成显影液之液滩（时间t3 ）。一边持续由显影液供给喷嘴供给显影液、一边使晶圆旋转，同时使该显影液供给喷嘴由晶圆之中心部移动至晶圆之外周部。

2. 发明专利

TW201637076A 塗布處理方法、電腦記錄媒體及塗布處理裝置审中-公开
简体标题：涂布处理方法、电脑记录媒体及涂布处理设备
公开(公告)号：TW201637076A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104141226
申请日：2015-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橋本崇史 , HASIMOTO, TAKAFUMI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 井手裕幸 , IDE, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/08 , B05D1/40 , B05D3/00
CPC分类号： G05B15/02 , B05D1/005 , B05D3/042 , B05D3/0466 , B05D3/104 , G03F7/162 , H01L21/6715
摘要：本發明之目的為：在基板上塗布塗布液時，將塗布液的供給量抑制在較少的量，同時在基板面內均勻地塗布塗布液。為了達成上述目的，本發明提供一種在晶圓上塗布塗布液的方法，其特徵為：將塗布液的溶劑供給到晶圓上，在該晶圓的外周圍部位使溶劑的液膜形成為環狀，一邊令晶圓以第1旋轉速度旋轉，一邊將塗布液供給到晶圓的中心部位（時間t1 ～t2 ），令晶圓以比第1旋轉速度更快的第2旋轉速度旋轉，使塗布液在基板上擴散（時間t4 ～t5 ）。溶劑的供給，到塗布液與溶劑的液膜接觸之前持續地進行（時間t0 ～t3 ）。
简体摘要：本发明之目的为：在基板上涂布涂布液时，将涂布液的供给量抑制在较少的量，同时在基板面内均匀地涂布涂布液。为了达成上述目的，本发明提供一种在晶圆上涂布涂布液的方法，其特征为：将涂布液的溶剂供给到晶圆上，在该晶圆的外周围部位使溶剂的液膜形成为环状，一边令晶圆以第1旋转速度旋转，一边将涂布液供给到晶圆的中心部位（时间t1 ～t2 ），令晶圆以比第1旋转速度更快的第2旋转速度旋转，使涂布液在基板上扩散（时间t4 ～t5 ）。溶剂的供给，到涂布液与溶剂的液膜接触之前持续地进行（时间t0 ～t3 ）。

3. 发明专利

TW201603896A 塗佈裝置、塗佈方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：涂布设备、涂布方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201603896A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104107023
申请日：2015-03-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：久保田稔 , KUBOTA, MINORU
IPC分类号： B05C5/02 , B05C11/10 , B05D1/26 , B05D1/40 , B05D7/00 , G03F7/16
CPC分类号： B05B12/02 , B05B13/0242 , B05B13/041 , B05D1/005 , G06F19/00 , H01L21/00 , H01L21/6715
摘要：提供一種可一邊保持較短的塗佈時間，一邊使膜厚之均勻性提升之塗佈裝置、塗佈方法及記憶媒體。塗佈裝置，係具備有：旋轉保持部；塗佈液供給部；及控制部，控制旋轉保持部及塗佈液供給部。控制部，係執行如下動作：一邊以使晶圓(W)旋轉的方式，控制旋轉保持部，一邊以將光阻劑(P1，P2，P3)供給至包圍晶圓(W)之旋轉中心之包圍線上的方式，控制塗佈液供給部之動作；在供給光阻劑(P1，P2，P3)之後，以將光阻劑(P4)供給至位於包圍線之內側且包含晶圓(W)之旋轉中心之中心區域上的方式，控制塗佈液供給部之動作；及在供給光阻劑(P1，P2，P3，P4)之後，以比在供給光阻劑(P1，P2，P3)時具有更大的旋轉角速度來使晶圓(W)旋轉，藉由此，以將光阻劑(P1，P2，P3，P4)塗佈於晶圓(W)周緣側的方式，控制旋轉保持部之動作。
简体摘要：提供一种可一边保持较短的涂布时间，一边使膜厚之均匀性提升之涂布设备、涂布方法及记忆媒体。涂布设备，系具备有：旋转保持部；涂布液供给部；及控制部，控制旋转保持部及涂布液供给部。控制部，系运行如下动作：一边以使晶圆(W)旋转的方式，控制旋转保持部，一边以将光阻剂(P1，P2，P3)供给至包围晶圆(W)之旋转中心之包围在线的方式，控制涂布液供给部之动作；在供给光阻剂(P1，P2，P3)之后，以将光阻剂(P4)供给至位于包围线之内侧且包含晶圆(W)之旋转中心之中心区域上的方式，控制涂布液供给部之动作；及在供给光阻剂(P1，P2，P3，P4)之后，以比在供给光阻剂(P1，P2，P3)时具有更大的旋转角速度来使晶圆(W)旋转，借由此，以将光阻剂(P1，P2，P3，P4)涂布于晶圆(W)周缘侧的方式，控制旋转保持部之动作。

4. 发明专利

TW201819053A 塗佈方法、塗佈裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：涂布方法、涂布设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201819053A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106128043
申请日：2017-08-18
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：後藤浩文 , GOTO, HIROFUMI , 久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 京田秀治 , KYOUDA, HIDEHARU
IPC分类号： B05C11/08 , B05D1/40 , H01L21/027
摘要： [課題]在將塗佈液塗佈於晶圓之際，於短時間內進行微粒的去除，並更確實地抑制塗佈膜的不良。　　[解決手段]在將塗佈液(102)供給至被搬入塗佈裝置的晶圓(W)之前，首先，供給稀釋劑(100)，使晶圓(W)之表面潤濕，其次，使晶圓(W)之表面乾燥。藉此，晶圓(W)之表面的微粒(101)變得容易流動。又，以將晶圓(W)之表面乾燥的方式，接著在將稀釋劑(100)供給至晶圓(W)之表面後時，由於稀釋劑之積液之氣液界面的剖面變圓，並能以較大的力推擠微粒(101)，因此，可在短時間內更確實地去除微粒(101)。因此，可抑制在其後將塗佈液(102)塗佈於晶圓(W)後時，因微粒(101)之附著而引起對SOC膜之慧斑的形成。
简体摘要： [课题]在将涂布液涂布于晶圆之际，于短时间内进行微粒的去除，并更确实地抑制涂布膜的不良。　　[解决手段]在将涂布液(102)供给至被搬入涂布设备的晶圆(W)之前，首先，供给稀释剂(100)，使晶圆(W)之表面润湿，其次，使晶圆(W)之表面干燥。借此，晶圆(W)之表面的微粒(101)变得容易流动。又，以将晶圆(W)之表面干燥的方式，接着在将稀释剂(100)供给至晶圆(W)之表面后时，由于稀释剂之积液之气液界面的剖面变圆，并能以较大的力推挤微粒(101)，因此，可在短时间内更确实地去除微粒(101)。因此，可抑制在其后将涂布液(102)涂布于晶圆(W)后时，因微粒(101)之附着而引起对SOC膜之慧斑的形成。

5. 发明专利

TWI603377B 塗布處理方法、電腦記錄媒體及塗布處理裝置有权
简体标题：涂布处理方法、电脑记录媒体及涂布处理设备
公开(公告)号：TWI603377B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW104141226
申请日：2015-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：橋本崇史 , HASIMOTO, TAKAFUMI , 畠山真一 , HATAKEYAMA, SHINICHI , 柴田直樹 , SHIBATA, NAOKI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 井手裕幸 , IDE, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/08 , B05D1/40 , B05D3/00
CPC分类号： G05B15/02 , B05D1/005 , B05D3/042 , B05D3/0466 , B05D3/104 , G03F7/162 , H01L21/6715

6. 发明专利

TWI547969B 周邊曝光方法及周邊曝光裝置有权
简体标题：周边曝光方法及周边曝光设备
公开(公告)号：TWI547969B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW102102475
申请日：2013-01-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宮本健一 , MIYAMOTO, KENICHI , 久保田稔 , KUBOTA, MINORU
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70875 , G03F7/2028 , G03F7/2041

7. 发明专利

TW201800180A 基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及电脑可读取记录媒体
公开(公告)号：TW201800180A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105141296
申请日：2016-12-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 京田秀治 , KYOUDA, HIDEHARU
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/304
摘要：本發明之目的在於針對每片晶圓以高精度判定晶圓的研磨結束時點。為了達成上述目的，本發明之晶圓處理方法包含：第1步驟，其取得晶圓的被處理面的初期狀態；第2步驟，其在第1步驟之後，於晶圓上形成塗布膜；第3步驟，其在研磨構件與晶圓的被處理面接觸的狀態下，根據初期研磨條件，利用研磨構件研磨晶圓的被處理面；第4步驟，其在第3步驟之後，取得晶圓的被處理面的處理狀態；以及第5步驟，其根據初期狀態以及處理狀態判定是為研磨結束、研磨不足或研磨過度。
简体摘要：本发明之目的在于针对每片晶圆以高精度判定晶圆的研磨结束时点。为了达成上述目的，本发明之晶圆处理方法包含：第1步骤，其取得晶圆的被处理面的初期状态；第2步骤，其在第1步骤之后，于晶圆上形成涂布膜；第3步骤，其在研磨构件与晶圆的被处理面接触的状态下，根据初期研磨条件，利用研磨构件研磨晶圆的被处理面；第4步骤，其在第3步骤之后，取得晶圆的被处理面的处理状态；以及第5步骤，其根据初期状态以及处理状态判定是为研磨结束、研磨不足或研磨过度。

8. 发明专利

TWI552195B 液處理裝置及液處理方法以及液處理用記憶媒體有权
简体标题：液处理设备及液处理方法以及液处理用记忆媒体
公开(公告)号：TWI552195B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW102125728
申请日：2013-07-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 立花康三 , TACHIBANA, KOUZOU
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/16
CPC分类号： G03F7/16 , B05C5/0258 , B05C11/08 , B05C11/1002 , B08B3/08 , B08B3/10 , G03F7/162 , H01L21/67051 , H01L21/6715 , H01L21/67178

9. 发明专利

TW201349288A 周邊曝光方法及周邊曝光裝置审中-公开
简体标题：周边曝光方法及周边曝光设备
公开(公告)号：TW201349288A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102102475
申请日：2013-01-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宮本健一 , MIYAMOTO, KENICHI , 久保田稔 , KUBOTA, MINORU
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70875 , G03F7/2028 , G03F7/2041
摘要：〔課題〕提供可於短時間進行設於晶圓表面的阻劑膜周邊曝光前之溫度控制，可提升周邊曝光處理的周邊曝光方法及周邊曝光裝置。〔解決手段〕對形成於晶圓的阻劑膜周緣進行光照射而進行曝光處理的周邊曝光方法，係包含：使晶圓於水平面上旋轉的旋轉工程，使旋轉晶圓之阻劑膜周緣接觸冷媒氣體，進行晶圓之冷卻的冷卻工程，及進行晶圓之溫度測定的溫度測定工程，在晶圓之溫度成為特定溫度(42℃)以下時，進行周邊曝光處理。
简体摘要：〔课题〕提供可于短时间进行设于晶圆表面的阻剂膜周边曝光前之温度控制，可提升周边曝光处理的周边曝光方法及周边曝光设备。〔解决手段〕对形成于晶圆的阻剂膜周缘进行光照射而进行曝光处理的周边曝光方法，系包含：使晶圆于水平面上旋转的旋转工程，使旋转晶圆之阻剂膜周缘接触冷媒气体，进行晶圆之冷却的冷却工程，及进行晶圆之温度测定的温度测定工程，在晶圆之温度成为特定温度(42℃)以下时，进行周边曝光处理。

10. 发明专利

TWI683723B 基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及电脑可读取记录媒体
公开(公告)号：TWI683723B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW105141296
申请日：2016-12-14
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：久保田稔 , KUBOTA, MINORU , 京田秀治 , KYOUDA, HIDEHARU
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/304

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