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1. 发明专利

TW201812863A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201812863A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106144192
申请日：2016-12-23
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 藤川和憲 , FUJIKAWA, KAZUNORI , 小路丸友則 , KOJIMARU, TOMONORI , 石田知正 , ISHIDA, TOMOMASA , 樋口鮎美 , HIGUCHI, AYUMI , 藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 小森香奈 , KOMORI, KANA , 岩畑翔太 , IWAHATA, SHOTA
IPC分类号： H01L21/228 , H01L21/77 , H01L23/46
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/68792
摘要：從低表面張力液體供給單元對基板的表面供給低表面張力液體，藉此於基板的表面形成有低表面張力液體的液膜。從惰性氣體供給單元對旋轉狀態的基板的旋轉中心位置供給惰性氣體，藉此於低表面張力液體的液膜形成從旋轉中心位置擴展之開口，且該開口係朝從旋轉中心位置遠離的方向擴大。以著液位置位於比開口的周緣還外側之方式，低表面張力液體的著液位置係因應開口的擴大變更成旋轉中心位置以外的至少兩個部位。
简体摘要：从低表面张力液体供给单元对基板的表面供给低表面张力液体，借此于基板的表面形成有低表面张力液体的液膜。从惰性气体供给单元对旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体，借此于低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置扩展之开口，且该开口系朝从旋转中心位置远离的方向扩大。以着液位置位于比开口的周缘还外侧之方式，低表面张力液体的着液位置系因应开口的扩大变更成旋转中心位置以外的至少两个部位。

2. 发明专利

TWI600479B 超音波及百萬赫超音波清洗裝置有权
简体标题：超音波及百万赫超音波清洗设备
公开(公告)号：TWI600479B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106100825
申请日：2017-01-11
申请人：北京七星華創電子股份有限公司 , BEIJING SEVENSTAR ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：滕宇 , TENG, YU , 吳儀 , WU, YI
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/02
CPC分类号： B08B3/12 , B08B3/02 , B08B3/08 , H01L21/02 , H01L21/02057 , H01L21/67023 , H01L21/67051

3. 发明专利

TWI599391B 分離再生裝置及基板處理裝置有权
简体标题：分离再生设备及基板处理设备
公开(公告)号：TWI599391B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW104107840
申请日：2015-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI , 大野廣基 , OHNO, HIROKI , 折居武彥 , ORII, TAKEHIKO , 戶島孝之 , TOSHIMA, TAKAYUKI
IPC分类号： B01D3/14 , B01D3/32 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/02057 , H01L21/02101

4. 发明专利

TW201732460A 圖案修整方法审中-公开
简体标题：图案修整方法
公开(公告)号：TW201732460A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106104509
申请日：2017-02-10
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：羅威爾凱文 , ROWELL, KEVIN , 劉聰 , LIU, CONG , 徐承柏 , XU, CHENG BAI , 考爾艾維戴爾 , KAUR, IRVINDER , 朴鍾根 , PARK, JONG KEUN
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/2004 , G03F7/36 , G03F7/405 , H01L21/02057 , H01L21/0273 , H01L21/0274
摘要：修整光阻劑圖案之方法包括：(a)提供半導體基板；(b)在所述半導體基板上形成光阻劑圖案，其中所述光阻劑圖案由包括以下的光阻劑組合物形成：包括酸不穩定基團之第一聚合物；及光酸產生劑；(c)在所述光阻劑圖案上塗佈圖案修整組合物，其中所述圖案修整組合物包括第二聚合物及溶劑系統，其中所述溶劑系統包括以所述溶劑系統計組合量為50重量%或更多之一種或多種單醚溶劑；(d)將所述經塗佈半導體基板加熱，由此引起所述光阻劑圖案之表面區域在待施加的沖洗劑中之溶解度變化；以及(e)使所述光阻劑圖案與沖洗劑接觸以去除所述光阻劑圖案之所述表面區域，進而形成經修整光阻劑圖案。所述方法尤其適用於製造半導體裝置。
简体摘要：修整光阻剂图案之方法包括：(a)提供半导体基板；(b)在所述半导体基板上形成光阻剂图案，其中所述光阻剂图案由包括以下的光阻剂组合物形成：包括酸不稳定基团之第一聚合物；及光酸产生剂；(c)在所述光阻剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包括第二聚合物及溶剂系统，其中所述溶剂系统包括以所述溶剂系统计组合量为50重量%或更多之一种或多种单醚溶剂；(d)将所述经涂布半导体基板加热，由此引起所述光阻剂图案之表面区域在待施加的冲洗剂中之溶解度变化；以及(e)使所述光阻剂图案与冲洗剂接触以去除所述光阻剂图案之所述表面区域，进而形成经修整光阻剂图案。所述方法尤其适用于制造半导体设备。

5. 发明专利

TW201732080A 具有離子催化劑的基板的無電金屬鍍覆的水平方法审中-公开
简体标题：具有离子催化剂的基板的无电金属镀覆的水平方法
公开(公告)号：TW201732080A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106103743
申请日：2017-02-03
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：劉風 , LIU, FENG , 雷茲尼克瑪麗亞 , RZEZNIK, MARIA
IPC分类号： C23C18/18 , C23C18/31 , H05K3/38
CPC分类号： H05K3/422 , B01J23/42 , C23C18/1637 , C23C18/1642 , C23C18/1689 , C23C18/1844 , C23C18/1893 , C23C18/38 , H01L21/02057 , H01L21/288 , H01L21/30604 , H01L21/76874 , H01L21/76879 , H05K3/187
摘要：在離子催化劑下無電金屬鍍覆的水平方法已藉由減少不希望有的起泡而改善鍍覆效能。減少起泡防止催化劑浴損失離子催化劑且防止抑制催化劑效能的浮渣形成。水平方法亦抑制離子催化劑沈澱且改善離子催化劑對基板的黏著性。水平方法可用於鍍覆不同類型基板的通孔及通道。
简体摘要：在离子催化剂下无电金属镀覆的水平方法已借由减少不希望有的起泡而改善镀覆性能。减少起泡防止催化剂浴损失离子催化剂且防止抑制催化剂性能的浮渣形成。水平方法亦抑制离子催化剂沈淀且改善离子催化剂对基板的黏着性。水平方法可用于镀覆不同类型基板的通孔及信道。

6. 发明专利

TWI598958B 微電子基板上之乾硬式遮罩的移除方法有权
简体标题：微电子基板上之干硬式遮罩的移除方法
公开(公告)号：TWI598958B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW104125330
申请日：2015-08-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：莫漢蒂尼哈爾 , MOHANTY, NIHAR
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/31122 , H01L21/02057 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/32139

7. 发明专利

TW201725078A 處理半導體基材的設備审中-公开
简体标题：处理半导体基材的设备
公开(公告)号：TW201725078A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105131928
申请日：2016-10-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：徐暐智 , HSU, WEI CHIH , 莊凱麟 , CHUANG, KAI LIN , 簡淵基 , CHIEN, YUAN CHI , 楊政輝 , YANG, JENG HUEI , 劉俊秀 , LIU, JUN XIU
IPC分类号： B08B13/00 , B08B3/04 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/02057 , B08B3/04 , B08B13/00 , B08B17/00 , H01L21/30604 , H01L21/67017 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , H01L21/68735
摘要：一種處理半導體基材之設備包括夾盤、固持器、液體供應系統以及正壓單元。夾盤具有主表面以及形成於主表面上之至少一孔。固持器能夠將半導體基材保持在主表面上方的位置處。液體供應系統經配置以經由孔提供液體膜層至主表面上。正壓單元經配置用於提供氣流至夾盤上方的空間。本文亦揭示一種處理半導體基材的方法。
简体摘要：一种处理半导体基材之设备包括夹盘、固持器、液体供应系统以及正压单元。夹盘具有主表面以及形成于主表面上之至少一孔。固持器能够将半导体基材保持在主表面上方的位置处。液体供应系统经配置以经由孔提供液体膜层至主表面上。正压单元经配置用于提供气流至夹盘上方的空间。本文亦揭示一种处理半导体基材的方法。

8. 发明专利

TW201724242A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201724242A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105132125
申请日：2016-10-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：江頭佳祐 , EGASHIRA, KEISUKE , 中森光則 , NAKAMORI, MITSUNORI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0206 , B08B3/08 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67051
摘要：本發明之課題在於：提供在背面沒有污斑的基板。該課題之解決手段為提供本發明實施形態的基板處理方法，其包含第1面洗淨步驟、第2面洗淨步驟、水份去除步驟、撥水化步驟、以及乾燥步驟。第1面洗淨步驟，係對基板中之第1面，供給含有水份之第1洗淨液。第2面洗淨步驟，係對該第1面之相反側的面亦即第2面供給含有水份之第2洗淨液。水份去除步驟，係於第2面洗淨步驟後，去除殘留在基板中之第2面的水份。撥水化步驟，係於水份去除步驟後，對基板中之第1面，供給撥水劑。乾燥步驟，係於撥水化步驟後，使基板乾燥。
简体摘要：本发明之课题在于：提供在背面没有污斑的基板。该课题之解决手段为提供本发明实施形态的基板处理方法，其包含第1面洗净步骤、第2面洗净步骤、水份去除步骤、拨水化步骤、以及干燥步骤。第1面洗净步骤，系对基板中之第1面，供给含有水份之第1洗净液。第2面洗净步骤，系对该第1面之相反侧的面亦即第2面供给含有水份之第2洗净液。水份去除步骤，系于第2面洗净步骤后，去除残留在基板中之第2面的水份。拨水化步骤，系于水份去除步骤后，对基板中之第1面，供给拨水剂。干燥步骤，系于拨水化步骤后，使基板干燥。

9. 发明专利

TW201721740A 表面介面工程方法审中-公开
简体标题：表面界面工程方法
公开(公告)号：TW201721740A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW106103896
申请日：2014-10-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：何吉姆鍾儀 , HE,JIM ZHONGYI , 謝秉翰 , HSIEH,PING HAN , 洪美立塔滿殷 , HON,MELITTA MANYIN , 燕春 , YAN,CHUN , 華學峰 , HUA,XUEFENG
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/02057 , H01L21/32132 , H01L21/32137
摘要：本文提供半導體製造中的表面介面工程方法。在某些實施例中，處理配置於製程腔室之製程容積中的基板支撐件上之基板的方法包括：自感應耦合電漿產生離子物種，感應耦合電漿自第一製程氣體形成於製程腔室之製程容積中；暴露基板的第一層至離子物種以在第一層上形成氟化銨(NH4F)膜，其中第一層包括氧化矽；及加熱基板至第二溫度，在此溫度下，氟化銨膜與第一層反應以選擇性蝕刻氧化矽。
简体摘要：本文提供半导体制造中的表面界面工程方法。在某些实施例中，处理配置于制程腔室之制程容积中的基板支撑件上之基板的方法包括：自感应耦合等离子产生离子物种，感应耦合等离子自第一制程气体形成于制程腔室之制程容积中；暴露基板的第一层至离子物种以在第一层上形成氟化铵(NH4F)膜，其中第一层包括氧化硅；及加热基板至第二温度，在此温度下，氟化铵膜与第一层反应以选择性蚀刻氧化硅。

10. 发明专利

TW201718116A 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201718116A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105129019
申请日：2016-09-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI
IPC分类号： B08B3/08 , F26B21/14 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02057 , B08B7/0021 , F26B21/14 , H01L21/02101 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/67109
摘要：本發明之課題係在超臨界處理中單元內，使被處理體不發生圖案崩壞。上述課題的解決手段如下：使裝滿防止乾燥用之液體之被處理體W，搬運至超臨界處理單元用容器3A內。對超臨界處理單元用容器3A內的被處理體W外或者被處理體W上、或者該超臨界處理單元用容器3A外的被處理體上，供應超臨界處理用流體；在超臨界處理單元用容器3A將液態的超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液加熱，以成為超臨界狀態。在超臨界處理單元用容器3A將液態之超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液加熱前，預先對該超臨界處理單元用容器3A內供應N2氣體以進行加壓。
简体摘要：本发明之课题系在超临界处理中单元内，使被处理体不发生图案崩坏。上述课题的解决手段如下：使装满防止干燥用之液体之被处理体W，搬运至超临界处理单元用容器3A内。对超临界处理单元用容器3A内的被处理体W外或者被处理体W上、或者该超临界处理单元用容器3A外的被处理体上，供应超临界处理用流体；在超临界处理单元用容器3A将液态的超临界处理用流体、或该防止干燥用之液体与该超临界处理流体的混合液加热，以成为超临界状态。在超临界处理单元用容器3A将液态之超临界处理用流体、或该防止干燥用之液体与该超临界处理流体的混合液加热前，预先对该超临界处理单元用容器3A内供应N2气体以进行加压。

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