专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI362431B 汽化器 VAPORIZER 失效
公开(公告)号：TWI362431B
公开(公告)日：2012-04-21
申请号：TW094132685
申请日：2005-09-21
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：岡部庸之 , 大倉成幸
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/4486 , H01L21/67017 , H01L21/67109
摘要：本發明提供一種用於自氣液混合流體產生處理氣體之汽化器，其包括界定該汽化器之處理空間之容器。供給頭安置於該容器內，該供給頭具有複數個噴霧孔以噴灑該流體。加熱通道安置於容器內之該等噴霧孔下方。該加熱通道組態為對通過其中之流體加熱並由此產生處理氣體。氣體傳遞通道與該容器相連接，以自加熱通道下方橫向傳遞處理氣體。氣霧接收器係提供於該容器處且在該氣體傳遞通道下方。
简体摘要：本发明提供一种用于自气液混合流体产生处理气体之汽化器，其包括界定该汽化器之处理空间之容器。供给头安置于该容器内，该供给头具有复数个喷雾孔以喷洒该流体。加热信道安置于容器内之该等喷雾孔下方。该加热信道组态为对通过其中之流体加热并由此产生处理气体。气体传递信道与该容器相连接，以自加热信道下方横向传递处理气体。气雾接收器系提供于该容器处且在该气体传递信道下方。

2. 发明专利

TWI391994B 汽化器及半導體處理系統有权
简体标题：汽化器及半导体处理系统
公开(公告)号：TWI391994B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW095137145
申请日：2006-10-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 創研工業股份有限公司 , SOKEN-INDUSTRIES
发明人：岡部庸之 , OKABE, TSUNEYUKI , 大倉成幸 , OKURA, SHIGEYUKI , 氏家一夫 , UJIIE, KAZUO
IPC分类号： H01L21/20 , B01J12/00
CPC分类号： C23C16/4486

3. 发明专利

TWI377092B 噴霧器及半導體處理系統 VAPORIZER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM 失效
简体标题：喷雾器及半导体处理系统 VAPORIZER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TWI377092B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW097110393
申请日：2008-03-24
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：加藤壽 , 岡部庸之 , 大倉成幸 , 中尾賢
IPC分类号： B05B , H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/4486
摘要：本發明係關於一種用於自一液體材料產生一處理氣體之噴霧器，其包括一下部熱交換塊，該下部熱交換塊具有一中空內部空間且安置於一位於容器內部之注入器的噴灑埠下方。一用於已霧化液體材料之上升空間係界定於該噴灑埠與該下部熱交換塊之間，且一相連至該上升空間之環形空間係界定於該容器之一內表面與該下部熱交換塊之間。一內部加熱器安置於該下部熱交換塊之該內部空間中，且包括一由碳纖維之編織束形成且密封於一陶瓷包絡線中的碳線。該內部加熱器經組態以加熱流經該環形空間之該已霧化液體材料，從而產生該處理氣體。
简体摘要：本发明系关于一种用于自一液体材料产生一处理气体之喷雾器，其包括一下部热交换块，该下部热交换块具有一中空内部空间且安置于一位于容器内部之注入器的喷洒端口下方。一用于已雾化液体材料之上升空间系界定于该喷洒端口与该下部热交换块之间，且一相连至该上升空间之环形空间系界定于该容器之一内表面与该下部热交换块之间。一内部加热器安置于该下部热交换块之该内部空间中，且包括一由碳纤维之编织束形成且密封于一陶瓷包络线中的碳线。该内部加热器经组态以加热流经该环形空间之该已雾化液体材料，从而产生该处理气体。

4. 发明专利

TWI421914B 汽化裝置及半導體製程系統有权
简体标题：汽化设备及半导体制程系统
公开(公告)号：TWI421914B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW096132664
申请日：2007-08-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡部庸之 , OKABE, TSUNEYUKI , 大倉成幸 , OKURA, SHIGEYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/00 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/4481 , H01L28/55 , Y10S261/65

5. 发明专利

TWI380366B 半導體製造系統及汽化器 SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM AND VAPORIZER 有权
简体标题：半导体制造系统及汽化器 SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM AND VAPORIZER
公开(公告)号：TWI380366B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW095142319
申请日：2006-11-15
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：岡部庸之 , 大倉成幸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： F22B1/287 , F22B1/30 , H01L21/67109 , Y10S261/65
摘要：本發明提供一種半導體製程系統，其包括一經配置以將水蒸氣供應至一容納一目標基板之處理室中的氣體供應系統。該氣體供應系統具備一用於自純水產生水蒸氣之氣體產生設備。該氣體產生設備包括：一第一汽化區，其經配置以噴灑純水以及載體氣體並加熱該純水，以便產生含霧之預備水蒸氣；及一第二汽化區，其經配置以汽化預備水蒸氣中所含之霧，以便自預備水蒸氣產生製程水蒸氣(process water vapor)。在該第二汽化區中，一具有網狀結構之薄膜係設置為橫跨一用於預備水蒸氣之通道且經配置以捕獲第一汽化區與處理室之間的霧。
简体摘要：本发明提供一种半导体制程系统，其包括一经配置以将水蒸气供应至一容纳一目标基板之处理室中的气体供应系统。该气体供应系统具备一用于自纯水产生水蒸气之气体产生设备。该气体产生设备包括：一第一汽化区，其经配置以喷洒纯水以及载体气体并加热该纯水，以便产生含雾之预备水蒸气；及一第二汽化区，其经配置以汽化预备水蒸气中所含之雾，以便自预备水蒸气产生制程水蒸气(process water vapor)。在该第二汽化区中，一具有网状结构之薄膜系设置为横跨一用于预备水蒸气之信道且经配置以捕获第一汽化区与处理室之间的雾。

6. 发明专利

TW200413666A 流體控制裝置及熱處理裝置失效
简体标题：流体控制设备及热处理设备
公开(公告)号：TW200413666A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092101506
申请日：2003-01-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡部庸之 , 大倉成幸
IPC分类号： F17D
摘要：本發明的技術課題是：提供一種流體控制裝置及熱處理裝置，在1個氣體管線13裝設流量控制器13g，另外在氣體管線13之流量控制器13g的上游側裝設壓力控制系領域14。裝設由氣體管線13的上游端朝直交於氣體管線13的方向延伸之延長部15，將不同種類的處理氣體A、B、C之供應源連接在延長部15。
简体摘要：本发明的技术课题是：提供一种流体控制设备及热处理设备，在1个气体管线13装设流量控制器13g，另外在气体管线13之流量控制器13g的上游侧装设压力控制系领域14。装设由气体管线13的上游端朝直交于气体管线13的方向延伸之延长部15，将不同种类的处理气体A、B、C之供应源连接在延长部15。

7. 发明专利

TW201816173A 氣體供應裝置及氣體供應方法审中-公开
简体标题：气体供应设备及气体供应方法
公开(公告)号：TW201816173A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125832
申请日：2017-08-01
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大倉成幸 , OKURA, SHIGEYUKI , 布重裕 , NUNOSHIGE, YU
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/285
摘要：本發明之課題為防止成膜所需之原料氣體的流量變大，並使將處理容器內的氛圍加以置換之置換氣體的流量變大。其解決手段為構成一種氣體供應裝置，具備有：用以將原料氣體、反應氣體分別供應至處理容器內之原料氣體流道、反應氣體流道；分別連接於原料氣體流道及反應氣體流道之第1載置氣體流道及第2載置氣體流道；透過與第1載置氣體流道及第2載置氣體流道所設置之載置氣體的供應控制機器為另外的供應控制機器來將置換氣體供應至處理容器內之置換氣體流道；設置於置換氣體流道來儲存置換氣體之氣體儲存部；在置換氣體流道中設置於氣體儲存部的下游側之閥體；以及控制閥體的開閉之控制部。
简体摘要：本发明之课题为防止成膜所需之原料气体的流量变大，并使将处理容器内的氛围加以置换之置换气体的流量变大。其解决手段为构成一种气体供应设备，具备有：用以将原料气体、反应气体分别供应至处理容器内之原料气体流道、反应气体流道；分别连接于原料气体流道及反应气体流道之第1载置气体流道及第2载置气体流道；透过与第1载置气体流道及第2载置气体流道所设置之载置气体的供应控制机器为另外的供应控制机器来将置换气体供应至处理容器内之置换气体流道；设置于置换气体流道来存储置换气体之气体存储部；在置换气体流道中设置于气体存储部的下游侧之阀体；以及控制阀体的开闭之控制部。

8. 发明专利

TW201623679A 氣體供給裝置及閥裝置审中-公开
简体标题：气体供给设备及阀设备
公开(公告)号：TW201623679A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104122933
申请日：2015-07-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大倉成幸 , OKURA, SHIGEYUKI
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/34 , C23C16/4408 , C23C16/45527 , C23C16/45561 , C23C16/45587 , F16K11/22 , F16K27/003
摘要：對基板複數次交互供給TiCl4氣體及NH3氣體而進行成膜時，提供可一面抑制閥裝置(1)之冷卻一面增大N2氣體之流量，可助於提升處理量的技術。在對晶圓(W)複數次交互供給TiCl4氣體和NH3氣體而進行成膜之時，事前加熱在供給一方之處理氣體和供給另一方之處理氣體之間被供給至處理容器(10)內的氛圍置換用之N2氣體。因此，因可以一面抑制處理容器(10)之內壁或晶圓(W)等之氣體接觸部位之冷卻，一面增大N2氣體之流量，故可以縮短氛圍置換所需之時間，並可以有助於提升處理量，並且抑制由於閥裝置(1)之冷卻導致反應物之附著等的不良情形產生。
简体摘要：对基板复数次交互供给TiCl4气体及NH3气体而进行成膜时，提供可一面抑制阀设备(1)之冷却一面增大N2气体之流量，可助于提升处理量的技术。在对晶圆(W)复数次交互供给TiCl4气体和NH3气体而进行成膜之时，事前加热在供给一方之处理气体和供给另一方之处理气体之间被供给至处理容器(10)内的氛围置换用之N2气体。因此，因可以一面抑制处理容器(10)之内壁或晶圆(W)等之气体接触部位之冷却，一面增大N2气体之流量，故可以缩短氛围置换所需之时间，并可以有助于提升处理量，并且抑制由于阀设备(1)之冷却导致反应物之附着等的不良情形产生。

9. 发明专利

TW201303971A 氣化裝置、氣體供給裝置及成膜裝置审中-公开
简体标题：气化设备、气体供给设备及成膜设备
公开(公告)号：TW201303971A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101110567
申请日：2012-03-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大倉成幸 , OKURA, SHIGEYUKI , 武井純一 , TAKEI, JUNICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/18
CPC分类号： B05B7/066 , B05B7/0869 , B05B15/55 , C23C16/4481
摘要：氣化裝置，係具備有：氣化容器，係於內部被形成有氣化室；和噴射噴嘴部，係被設置於前述氣化容器處，並於中央具備有噴射液體原料之第1噴嘴，且具備有被以同心狀而配置在該第1噴嘴之外周並噴射載體氣體之第2噴嘴，而將前述液體原料藉由前述載體氣體來氣化並形成原料氣體；和氣體擴散抑制塊，係形成氣體擴散抑制區域，該氣體擴散抑制區域，係從前述噴射噴嘴部之前端部起朝向前述液體原料之噴射方向而使其之開角以銳角而逐漸擴廣並朝向前述氣化室而作了開放；和原料氣體出口，係使前述原料氣體流出至前述氣化容器之外側。
简体摘要：气化设备，系具备有：气化容器，系于内部被形成有气化室；和喷射喷嘴部，系被设置于前述气化容器处，并于中央具备有喷射液体原料之第1喷嘴，且具备有被以同心状而配置在该第1喷嘴之外周并喷射载体气体之第2喷嘴，而将前述液体原料借由前述载体气体来气化并形成原料气体；和气体扩散抑制块，系形成气体扩散抑制区域，该气体扩散抑制区域，系从前述喷射喷嘴部之前端部起朝向前述液体原料之喷射方向而使其之开角以锐角而逐渐扩广并朝向前述气化室而作了开放；和原料气体出口，系使前述原料气体流出至前述气化容器之外侧。

10. 发明专利

TW200949007A 液體原料氣化器及使用其的成膜裝置审中-公开
简体标题：液体原料气化器及使用其的成膜设备
公开(公告)号：TW200949007A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098110443
申请日：2009-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：大倉成幸
IPC分类号： C23C , B01J
CPC分类号： C23C16/4486 , C23C16/405
摘要：本發明是一種液體原料氣化器，是具備將液體原料呈液渦狀吐出的液體原料供給部、及將其液滴狀的液體原料氣化且生成原料氣體的氣化部，其特徵為，前述氣化部是具備：從前述液體原料供給部將液渦狀的液體原料導入用的導入口；及在前述導入口側具有開口端的有底筒狀的外殼本體；及設有將前述外殼本體的開口端閉塞的凸緣部，並且對於前述外殼本體的內側表面在隔有成為氣化流路的間隙的狀態下被嵌入的柱狀塊體；及在形成於前述外殼本體的內側表面及前述柱狀塊體的外側表面之間的氣化流路內，與前述外殼本體的內側表面密合並且覆蓋前述柱狀塊體的外側表面的方式設置的具有通氣性的噴霧放氣構件；及將前述外殼本體覆蓋的方式設置，將前述噴霧放氣構件隔著前述外殼本體加熱的加熱部；及與前述導入口連通且從前述柱狀塊體的導入口側的端面朝向側面貫通的方式形成，將從前述導入口導入的前述液渦狀的液體原料朝向前述噴霧放氣構件的內側表面噴出的噴出孔；及設在前述外殼本體的底部，將藉由前述氣化流路內的前述噴霧放氣構件被氣化並生成的原料氣體朝外部送出的送出口。
简体摘要：本发明是一种液体原料气化器，是具备将液体原料呈液涡状吐出的液体原料供给部、及将其液滴状的液体原料气化且生成原料气体的气化部，其特征为，前述气化部是具备：从前述液体原料供给部将液涡状的液体原料导入用的导入口；及在前述导入口侧具有开口端的有底筒状的外壳本体；及设有将前述外壳本体的开口端闭塞的凸缘部，并且对于前述外壳本体的内侧表面在隔有成为气化流路的间隙的状态下被嵌入的柱状块体；及在形成于前述外壳本体的内侧表面及前述柱状块体的外侧表面之间的气化流路内，与前述外壳本体的内侧表面密合并且覆盖前述柱状块体的外侧表面的方式设置的具有通气性的喷雾放气构件；及将前述外壳本体覆盖的方式设置，将前述喷雾放气构件隔着前述外壳本体加热的加热部；及与前述导入口连通且从前述柱状块体的导入口侧的端面朝向侧面贯通的方式形成，将从前述导入口导入的前述液涡状的液体原料朝向前述喷雾放气构件的内侧表面喷出的喷出孔；及设在前述外壳本体的底部，将借由前述气化流路内的前述喷雾放气构件被气化并生成的原料气体朝外部送出的送出口。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式