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1. 发明专利

TW200739727A 半導體製造系統及汽化器 SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM AND VAPORIZER 审中-公开
简体标题：半导体制造系统及汽化器 SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM AND VAPORIZER
公开(公告)号：TW200739727A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095142319
申请日：2006-11-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡部庸之 OKABE, TSUNEYUKI , 大倉成幸 OKURA, SHIGEYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： F22B1/287 , F22B1/30 , H01L21/67109 , Y10S261/65
摘要：本發明提供一種半導體製程系統,其包括一經配置以將水蒸氣供應至一容納一目標基板之處理室中的氣體供應系統。該氣體供應系統具備一用於自純水產生水蒸氣之氣體產生設備。該氣體產生設備包括:一第一汽化區,其經配置以噴灑純水以及載體氣體並加熱該純水,以便產生含霧之預備水蒸氣;及一第二汽化區,其經配置以汽化預備水蒸氣中所含之霧,以便自預備水蒸氣產生製程水蒸氣(process water vapor)。在該第二汽化區中,一具有網狀結構之薄膜係設置為橫跨一用於預備水蒸氣之通道且經配置以捕獲第一汽化區與處理室之間的霧。
简体摘要：本发明提供一种半导体制程系统,其包括一经配置以将水蒸气供应至一容纳一目标基板之处理室中的气体供应系统。该气体供应系统具备一用于自纯水产生水蒸气之气体产生设备。该气体产生设备包括:一第一汽化区,其经配置以喷洒纯水以及载体气体并加热该纯水,以便产生含雾之预备水蒸气;及一第二汽化区,其经配置以汽化预备水蒸气中所含之雾,以便自预备水蒸气产生制程水蒸气(process water vapor)。在该第二汽化区中,一具有网状结构之薄膜系设置为横跨一用于预备水蒸气之信道且经配置以捕获第一汽化区与处理室之间的雾。

2. 发明专利

TW201624590A 氣化用容器、氣化器及氣化裝置审中-公开
简体标题：气化用容器、气化器及气化设备
公开(公告)号：TW201624590A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104139142
申请日：2015-11-25
申请人：堀場STEC股份有限公司 , HORIBA STEC, CO., LTD.
发明人：田口明廣 , TAGUCHI, AKIHIRO , 矢田秀貴 , YADA, HIDETAKA
IPC分类号： H01L21/67 , G05D7/06
CPC分类号： F22B15/00 , F22B1/282 , F22B1/30
摘要：本發明提供一種氣化用容器、氣化器及氣化裝置，在維持緊湊性的同時，能穩定且大流量地輸出材料氣體。氣化用容器(11)具有氣化室(11a)，使導入所述氣化室(11a)的液體材料氣化並將生成的材料氣體導出，所述氣化用容器包括分隔壁(6)，所述分隔壁(6)將所述氣化室(11a)的下方空間分隔成最初導入液體材料的第一下方空間(11e)及導入從所述第一下方空間(11e)溢出的液體材料的第二下方空間(11f)。
简体摘要：本发明提供一种气化用容器、气化器及气化设备，在维持紧凑性的同时，能稳定且大流量地输出材料气体。气化用容器(11)具有气化室(11a)，使导入所述气化室(11a)的液体材料气化并将生成的材料气体导出，所述气化用容器包括分隔壁(6)，所述分隔壁(6)将所述气化室(11a)的下方空间分隔成最初导入液体材料的第一下方空间(11e)及导入从所述第一下方空间(11e)溢出的液体材料的第二下方空间(11f)。

3. 发明专利

TWI380366B 半導體製造系統及汽化器 SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM AND VAPORIZER 有权
简体标题：半导体制造系统及汽化器 SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM AND VAPORIZER
公开(公告)号：TWI380366B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW095142319
申请日：2006-11-15
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：岡部庸之 , 大倉成幸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： F22B1/287 , F22B1/30 , H01L21/67109 , Y10S261/65
摘要：本發明提供一種半導體製程系統，其包括一經配置以將水蒸氣供應至一容納一目標基板之處理室中的氣體供應系統。該氣體供應系統具備一用於自純水產生水蒸氣之氣體產生設備。該氣體產生設備包括：一第一汽化區，其經配置以噴灑純水以及載體氣體並加熱該純水，以便產生含霧之預備水蒸氣；及一第二汽化區，其經配置以汽化預備水蒸氣中所含之霧，以便自預備水蒸氣產生製程水蒸氣(process water vapor)。在該第二汽化區中，一具有網狀結構之薄膜係設置為橫跨一用於預備水蒸氣之通道且經配置以捕獲第一汽化區與處理室之間的霧。
简体摘要：本发明提供一种半导体制程系统，其包括一经配置以将水蒸气供应至一容纳一目标基板之处理室中的气体供应系统。该气体供应系统具备一用于自纯水产生水蒸气之气体产生设备。该气体产生设备包括：一第一汽化区，其经配置以喷洒纯水以及载体气体并加热该纯水，以便产生含雾之预备水蒸气；及一第二汽化区，其经配置以汽化预备水蒸气中所含之雾，以便自预备水蒸气产生制程水蒸气(process water vapor)。在该第二汽化区中，一具有网状结构之薄膜系设置为横跨一用于预备水蒸气之信道且经配置以捕获第一汽化区与处理室之间的雾。

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