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1. 发明专利

TW202030357A 氣化裝置、成膜裝置、程序記錄介質及濃度控制方法审中-公开
简体标题：气化设备、成膜设备、进程记录介质及浓度控制方法
公开(公告)号：TW202030357A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109104112
申请日：2020-02-10
申请人：日商堀場STEC股份有限公司 , HORIBA STEC, CO., LTD.
发明人：志水徹 , SHIMIZU, TORU , 南雅和 , MINAMI, MASAKAZU
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/52 , G05D21/02 , G05D7/06 , H01L21/02
摘要：本發明提供氣化裝置、成膜裝置、程序記錄介質及濃度控制方法，其中在氣化裝置中的濃度控制機構具備：濃度計算部，基於來自濃度監測器的輸出信號計算材料氣體的實際濃度；濃度控制部，在供給材料氣體的供給期間，進行以使構成濃度控制機構的流體控制設備的控制值成為預先設定的初始設定值的方式進行控制的第一控制後，進行以通過控制流體控制設備而使實際濃度接近預先設定的目標值的方式進行反饋控制的第二控制；及控制切換部，基於濃度控制部開始第一控制後的實際濃度的經時變化，將濃度控制部的控制狀態從第一控制切換到第二控制。
简体摘要：本发明提供气化设备、成膜设备、进程记录介质及浓度控制方法，其中在气化设备中的浓度控制机构具备：浓度计算部，基于来自浓度监测器的输出信号计算材料气体的实际浓度；浓度控制部，在供给材料气体的供给期间，进行以使构成浓度控制机构的流体控制设备的控制值成为预先设置的初始设置值的方式进行控制的第一控制后，进行以通过控制流体控制设备而使实际浓度接近预先设置的目标值的方式进行反馈控制的第二控制；及控制切换部，基于浓度控制部开始第一控制后的实际浓度的经时变化，将浓度控制部的控制状态从第一控制切换到第二控制。

2. 发明专利

TW202022156A 成膜裝置、原料供應裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备、原料供应设备及成膜方法
公开(公告)号：TW202022156A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108125379
申请日：2019-07-18
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：古屋雄一 , FURUYA, YUICHI , 田中雅之 , TANAKA, MASAYUKI
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455
摘要：本發明之課題為提供一種能夠以大流量來穩定地供應從低蒸氣壓原料所產生的原料氣體之技術。本揭示一樣態之成膜裝置係藉由載置氣體來將從低蒸氣壓原料所產生的原料氣體搬送至處理容器，以於基板形成膜；具有：原料容器，係收納並加熱該低蒸氣壓原料；第1氣體配管，係對該原料容器供應該載置氣體；第2氣體配管，係連接該原料容器與該處理容器；開閉閥，係設置於該第2氣體配管；以及測定部，係測量在該第2氣體配管流動之該原料氣體的流量；該第2氣體配管係配置於該處理容器的中心軸線上；該原料容器係相對於該處理容器的中心軸線為偏移配置。
简体摘要：本发明之课题为提供一种能够以大流量来稳定地供应从低蒸气压原料所产生的原料气体之技术。本揭示一样态之成膜设备系借由载置气体来将从低蒸气压原料所产生的原料气体搬送至处理容器，以于基板形成膜；具有：原料容器，系收纳并加热该低蒸气压原料；第1气体配管，系对该原料容器供应该载置气体；第2气体配管，系连接该原料容器与该处理容器；开闭阀，系设置于该第2气体配管；以及测定部，系测量在该第2气体配管流动之该原料气体的流量；该第2气体配管系配置于该处理容器的中心轴在线；该原料容器系相对于该处理容器的中心轴线为偏移配置。

3. 发明专利

TWI685583B 有機金屬化學氣相沉積設備有权
简体标题：有机金属化学气相沉积设备
公开(公告)号：TWI685583B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW108110083
申请日：2019-03-22
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORP.
发明人：梁祐笙 , LIANG, YU-SHENG , 邱建欽 , CHIU, CHIEN-CHIN , 黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 須田昇 , SUDA, NOBORU , 米野純次 , KOMENO, JUNJI
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/448

4. 发明专利

TWI684663B 銅膜形成方法以及銅膜形成材料有权
简体标题：铜膜形成方法以及铜膜形成材料
公开(公告)号：TWI684663B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW103138741
申请日：2014-11-07
申请人：氣相成長股份有限公司 , GAS-PHASE GROWTH LTD.
发明人：近藤英一 , KONDOH, EIICHI , 町田英明 , MACHIDA, HIDEAKI , 石川真人 , ISHIKAWA, MASATO , 須藤弘 , SUDOH, HIROSHI
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/18 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L21/283 , H01L21/3205

5. 发明专利

TWI683922B 氣相化合物原位形成之方法和系統有权
简体标题：气相化合物原位形成之方法和系统
公开(公告)号：TWI683922B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW104122889
申请日：2015-07-15
申请人：荷蘭商ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：托勒約翰 , TOLLE, JOHN , 希爾艾瑞克 , HILL, ERIC , 威克勒傑瑞德李 , WINKLER, JERELD LEE
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/52

6. 发明专利

TWI675841B 鈷前驅物有权
简体标题：钴前驱物
公开(公告)号：TWI675841B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW104105890
申请日：2015-02-24
申请人：美商恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：包姆湯瑪士H , BAUM, THOMAS H. , 貝托爾史考特L , BATTLE, SCOTT L. , 克里瑞約翰M , CLEARY, JOHN M. , 彼得斯大衛W , PETERS, DAVID W. , 陳菲利普S H , CHEN, PHILIP S. H.
IPC分类号： C07F15/06 , C01G51/00 , C23C16/06 , C23C16/455 , C23C16/448

7. 发明专利

TWI671803B 氣體供給裝置及氣體供給方法有权
简体标题：气体供给设备及气体供给方法
公开(公告)号：TWI671803B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106123430
申请日：2017-07-13
申请人：日商昭和電工股份有限公司 , SHOWA DENKO K. K.
发明人：青木典 , AOKI, TAKANORI , 三神克己 , MIKAMI, KATSUMI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/448

8. 发明专利

TWI633588B 冷壁式化學氣相薄膜沉積裝置有权
简体标题：冷壁式化学气相薄膜沉积设备
公开(公告)号：TWI633588B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW106129586
申请日：2016-11-11
申请人：優材科技有限公司 , SULFURSCIENCE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：莊鎮宇 , JUANG, ZHEN YU , 章詠湟 , CHANG, YUNG HUANG , 王鶴偉 , WANG, HO WEI , 魏松煙 , WEI, SUNG YEN , 鄭嘉晉 , CHENG, CHIA CHIN
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/448 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52

9. 发明专利

TWI632151B 第IIIA族金屬的三烷基化合物之製法有权
简体标题：第IIIA族金属的三烷基化合物之制法
公开(公告)号：TWI632151B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW106104275
申请日：2012-11-27
申请人：烏明克股份有限兩合公司 , UMICORE AG & CO. KG
发明人：卡期羅夫 , KARCH, RALF , 瑞法斯納斯安德烈斯 , RIVAS-NASS, ANDREAS , 佛瑞安尼卡 , FREY, ANNIKA , 伯克特托比斯 , BURKERT, TOBIAS , 沃納伊琳 , WOERNER, EILEEN , 多普安吉利諾 , DOPPIU, ANGELINO
IPC分类号： C07F5/00 , C23C16/448

10. 发明专利

TWI611040B 用於批次沉積之具高材料通量的以源試劑爲主之流體輸送有权
简体标题：用于批次沉积之具高材料通量的以源试剂为主之流体输送
公开(公告)号：TWI611040B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW102119394
申请日：2013-05-31
申请人：恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：漢迪克斯布萊恩C , HENDRIX, BRYAN C. , 葛瑞格約翰N , GREGG, JOHN N. , 貝托史考特L , BATTLE, SCOTT L. , 納托唐恩K , NAITO, DONN K. , 巴爾托許凱恩 , BARTOSH, KYLE , 克雷利約翰M , CLEARY, JOHN M. , 千世範 , CHEON, SEBUM , 霍吉斯喬丹 , HODGES, JORDAN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/448 , H01J37/02
CPC分类号： C23C16/458 , B01B1/005 , C23C16/4402 , C23C16/4481 , C23C16/455

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