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3. 发明专利

TWI432596B 具精確之粉末計量功能之汽化設備有权
简体标题：具精确之粉末计量功能之汽化设备
公开(公告)号：TWI432596B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW098100394
申请日：2009-01-07
申请人：全球OLED科技公司 , GLOBAL OLED TECHNOLOGY LLC
发明人：龍麥可 , LONG, MICHAEL , 帕隆湯瑪士W , PALONE, THOMAS W. , 寇佩布魯斯E , KOPPE, BRUCE E. , 柏洛森麥可L , BOROSON, MICHAEL L.
IPC分类号： C23C16/448
CPC分类号： C23C14/246 , C23C16/4486

4. 发明专利

TWI406965B 氣化器有权
简体标题：气化器
公开(公告)号：TWI406965B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW095133089
申请日：2006-09-07
申请人：琳科技股份有限公司
发明人：小野弘文
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4486 , Y10S261/65 , Y10T137/0391

5. 发明专利

TW201305377A 氣膠產生裝置及發光層之沉積审中-公开
简体标题：气胶产生设备及发光层之沉积
公开(公告)号：TW201305377A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101121522
申请日：2012-06-15
申请人：愛思強歐洲公司 , AIXTRON SE
发明人：朗麥克 , LONG, MICHAEL , 葛斯多夫馬庫斯 , GERSDORFF, MARKUS
IPC分类号： C23C16/448
CPC分类号： C23C14/246 , B05B7/144 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/24 , C23C16/4486 , C23C24/04
摘要：本發明係有關於一種裝置，包括用於容置粉末(5)的儲存容器(4)及用於將一定量之該粉末(5)自該儲存容器(4)輸送至進料點(13)的螺旋輸送機(8)，該粉末(5)在該進料點(13)上進入載氣流(25)，從而以懸浮粒子形式在該載氣流(25)中經氣膠管道(15)被運走。為了對氣膠產生器進行技術改良，本發明提出如下解決方案：該螺旋輸送機(8)具有被該載氣流(25)穿過的軸向流道(10)。
简体摘要：本发明系有关于一种设备，包括用于容置粉末(5)的存储容器(4)及用于将一定量之该粉末(5)自该存储容器(4)输送至进料点(13)的螺旋输送机(8)，该粉末(5)在该进料点(13)上进入载气流(25)，从而以悬浮粒子形式在该载气流(25)中经气胶管道(15)被运走。为了对气胶产生器进行技术改良，本发明提出如下解决方案：该螺旋输送机(8)具有被该载气流(25)穿过的轴向流道(10)。

6. 发明专利

TWI377092B 噴霧器及半導體處理系統 VAPORIZER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM 失效
简体标题：喷雾器及半导体处理系统 VAPORIZER AND SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TWI377092B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW097110393
申请日：2008-03-24
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：加藤壽 , 岡部庸之 , 大倉成幸 , 中尾賢
IPC分类号： B05B , H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/4486
摘要：本發明係關於一種用於自一液體材料產生一處理氣體之噴霧器，其包括一下部熱交換塊，該下部熱交換塊具有一中空內部空間且安置於一位於容器內部之注入器的噴灑埠下方。一用於已霧化液體材料之上升空間係界定於該噴灑埠與該下部熱交換塊之間，且一相連至該上升空間之環形空間係界定於該容器之一內表面與該下部熱交換塊之間。一內部加熱器安置於該下部熱交換塊之該內部空間中，且包括一由碳纖維之編織束形成且密封於一陶瓷包絡線中的碳線。該內部加熱器經組態以加熱流經該環形空間之該已霧化液體材料，從而產生該處理氣體。
简体摘要：本发明系关于一种用于自一液体材料产生一处理气体之喷雾器，其包括一下部热交换块，该下部热交换块具有一中空内部空间且安置于一位于容器内部之注入器的喷洒端口下方。一用于已雾化液体材料之上升空间系界定于该喷洒端口与该下部热交换块之间，且一相连至该上升空间之环形空间系界定于该容器之一内表面与该下部热交换块之间。一内部加热器安置于该下部热交换块之该内部空间中，且包括一由碳纤维之编织束形成且密封于一陶瓷包络线中的碳线。该内部加热器经组态以加热流经该环形空间之该已雾化液体材料，从而产生该处理气体。

7. 实用新型

TWM415754U 抗汙薄膜之常壓蒸鍍裝置與製作設備 ATMOSPHERIC EVAPORATION DEVICE AND MANUFACTURING APPARATUS OF ANTI-SMUDGE FILM 有权
简体标题：抗污薄膜之常压蒸镀设备与制作设备 ATMOSPHERIC EVAPORATION DEVICE AND MANUFACTURING APPARATUS OF ANTI-SMUDGE FILM
公开(公告)号：TWM415754U
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：TW100207065
申请日：2011-04-21
申请人：馗鼎奈米科技股份有限公司
发明人：徐逸明 , 陳彥政 , 黃世明 , 葉俊嘉 , 陳姵菱 , 林仕軒
IPC分类号： B05B
CPC分类号： C23C16/4486 , C23C16/45595 , C23C16/54
摘要：一種抗汙薄膜之常壓蒸鍍裝置與製作設備。此抗汙薄膜之常壓蒸鍍裝置包含一傳輸裝置與霧化裝置。霧化裝置包含至少一塗料承接裝置、以及至少一霧化元件。傳輸裝置適用以傳送至少一基材。前述之至少一塗料承接裝置用以裝載一抗汙塗料溶液。前述之至少一霧化元件設於前述至少一塗料承接裝置上，用以使抗汙塗料溶液氣化成複數個抗汙塗料蒸氣分子而沉積在前述至少一基材之表面上。
简体摘要：一种抗污薄膜之常压蒸镀设备与制作设备。此抗污薄膜之常压蒸镀设备包含一传输设备与雾化设备。雾化设备包含至少一涂料承接设备、以及至少一雾化组件。传输设备适用以发送至少一基材。前述之至少一涂料承接设备用以装载一抗污涂料溶液。前述之至少一雾化组件设于前述至少一涂料承接设备上，用以使抗污涂料溶液气化成复数个抗污涂料蒸气分子而沉积在前述至少一基材之表面上。

8. 发明专利

TW201111390A 形成含鈦薄膜之組合物及其使用方法 COMPOSITIONS AND METHODS OF USE FOR FORMING TITANIUM-CONTAINING THIN FILMS 审中-公开
简体标题：形成含钛薄膜之组合物及其使用方法 COMPOSITIONS AND METHODS OF USE FOR FORMING TITANIUM-CONTAINING THIN FILMS
公开(公告)号：TW201111390A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099124029
申请日：2010-07-21
申请人：辛格瑪艾瑞契公司
发明人：海斯彼得尼可拉斯 , 歐迪德拉雷傑西 , 金斯利安德瑞
IPC分类号： C07F , C23C
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45553
摘要：本發明係關於一種形成含鈦薄膜之組合物及方法。該組合物包含選自由(甲基環戊二烯基)Ti(NMe2)3、(乙基環戊二烯基)Ti(NMe2)3、(異丙基環戊二烯基)Ti(NMe2)3、(甲基環戊二烯基)Ti(NEt2)3、(甲基環戊二烯基)Ti(NMeEt)3、(乙基環戊二烯基)Ti(NMeEt)3及(甲基環戊二烯基)Ti(OMe)3組成之群之至少一種前驅體；及非該至少一種前驅體之至少一種液化共輔因子；其中該至少一種液化共輔因子係以足以與該至少一種前驅體共作用之量存在，及與該至少一種前驅體組合，形成液體組合物。
简体摘要：本发明系关于一种形成含钛薄膜之组合物及方法。该组合物包含选自由(甲基环戊二烯基)Ti(NMe2)3、(乙基环戊二烯基)Ti(NMe2)3、(异丙基环戊二烯基)Ti(NMe2)3、(甲基环戊二烯基)Ti(NEt2)3、(甲基环戊二烯基)Ti(NMeEt)3、(乙基环戊二烯基)Ti(NMeEt)3及(甲基环戊二烯基)Ti(OMe)3组成之群之至少一种前驱体；及非该至少一种前驱体之至少一种液化共辅因子；其中该至少一种液化共辅因子系以足以与该至少一种前驱体共作用之量存在，及与该至少一种前驱体组合，形成液体组合物。

9. 发明专利

TW200817531A CVD裝置及使用此裝置的薄膜形成方法审中-公开
简体标题： CVD设备及使用此设备的薄膜形成方法
公开(公告)号：TW200817531A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096123744
申请日：2007-06-29
申请人：矢元久良 YAMOTO, HISAYOSHI
发明人：矢元久良 YAMOTO, HISAYOSHI , 田中正史 TANAKA, MASASHI , 荒木智幸 ARAKI, TOMOYUKI
IPC分类号： C23C , G02B
CPC分类号： C23C16/4486 , C23C16/345 , C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/545
摘要：提供一種將由於藉著蒸鍍法或濺鍍法所進行而產生之問題全部予以解決而且並無造成時間之浪費而能夠在被成膜構件之兩面呈有效率地形成薄膜的CVD裝置及使用該裝置的薄膜形成方法。CVD裝置1係包括:反應室2、在前述反應室2之內供應原料氣體之CVD部4、以及排氣前述反應室2內之氣體之排氣裝置3。前述反應室2係包括:被成膜帶16由第1捲繞滾筒17開始到達至第2捲繞滾筒18之行進通路R、以及在沿著前述行進通路R而行進之前述被成膜帶16之兩面來形成薄膜之兩面成膜機構19。
简体摘要：提供一种将由于借着蒸镀法或溅镀法所进行而产生之问题全部予以解决而且并无造成时间之浪费而能够在被成膜构件之两面呈有效率地形成薄膜的CVD设备及使用该设备的薄膜形成方法。CVD设备1系包括:反应室2、在前述反应室2之内供应原料气体之CVD部4、以及排气前述反应室2内之气体之排气设备3。前述反应室2系包括:被成膜带16由第1卷绕滚筒17开始到达至第2卷绕滚筒18之行进通路R、以及在沿着前述行进通路R而行进之前述被成膜带16之两面来形成薄膜之两面成膜机构19。

10. 发明专利

TWI265978B 溶液氣化式CVD裝置失效
简体标题：溶液气化式CVD设备
公开(公告)号：TWI265978B
公开(公告)日：2006-11-11
申请号：TW094106953
申请日：2005-03-08
申请人：優特克股份有限公司 YOUTEC CO., LTD. , 矢元久良 HISAYOSHI YAMOTO
发明人：矢元久良 HISAYOSHI YAMOTO , 腰前伸一 SHINICHI KOSHIMAE
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/4486 , C23C16/52
摘要： [課題] 本發明提供一種溶液氣化式CVD裝置，能夠以高精度長時間控制CVD用的原料溶液的流量。[解決手段] 溶液氣化式CVD裝置所具備的氣化器係包括：孔口管，在載氣中使一種以上的原料溶液被分散為微粒子狀或霧狀；一種以上的原料溶液用通路21~25，以相互隔離的方式供給上述一種以上的原料溶液至上述孔口管；載氣用通路33，以與上述一種以上的原料溶液相互隔離的方式供給上述載氣至上述孔口管；氣化管13，使在上述孔口管被分散的上述一種以上的原料溶液氣化；細孔，連接上述氣化管與上述孔口管，在上述孔口管被分散的上述原料溶液被導入上述氣化管。
简体摘要： [课题] 本发明提供一种溶液气化式CVD设备，能够以高精度长时间控制CVD用的原料溶液的流量。[解决手段] 溶液气化式CVD设备所具备的气化器系包括：孔口管，在载气中使一种以上的原料溶液被分散为微粒子状或雾状；一种以上的原料溶液用通路21~25，以相互隔离的方式供给上述一种以上的原料溶液至上述孔口管；载气用通路33，以与上述一种以上的原料溶液相互隔离的方式供给上述载气至上述孔口管；气化管13，使在上述孔口管被分散的上述一种以上的原料溶液气化；细孔，连接上述气化管与上述孔口管，在上述孔口管被分散的上述原料溶液被导入上述气化管。

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