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2. 发明专利

TW201812081A 用以降低基板處理系統中之再循環之套管、圓錐狀噴淋頭及/或頂板审中-公开
简体标题：用以降低基板处理系统中之再循环之套管、圆锥状喷淋头及/或顶板
公开(公告)号：TW201812081A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106122979
申请日：2017-07-10
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：飛利浦理查 , PHILLIPS, RICHARD , 布拉基埃萊恩 , BLAQUIERE, RYAN , 史旺明內森珊卡 , SWAMINATHAN, SHANKAR
IPC分类号： C23C16/455 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/4401 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J2237/334
摘要：基板處理系統包括處理腔室以及噴淋頭，該噴淋頭包括面板、桿部以及圓柱形基部。套管將噴淋頭連接至處理腔室之上表面。套管定義用以接收二次沖洗氣體之氣體通道以及複數氣體狹縫，該氣體狹縫朝徑向向外和徑向向下的方向引導來自氣體通道的二次沖洗氣體。圓錐形表面係設置為鄰近圓柱形基座並且環繞噴淋頭的桿部。倒圓錐形表面係設置為鄰近處理腔室之上表面以及側壁。圓錐形表面和倒圓錐形表面定義從複數氣體狹縫至一間隙的具角度氣體通道，該間隙係定義於圓柱形基部之徑向外部與處理腔室之側壁之間。
简体摘要：基板处理系统包括处理腔室以及喷淋头，该喷淋头包括皮肤、杆部以及圆柱形基部。套管将喷淋头连接至处理腔室之上表面。套管定义用以接收二次冲洗气体之气体信道以及复数气体狭缝，该气体狭缝朝径向向外和径向向下的方向引导来自气体信道的二次冲洗气体。圆锥形表面系设置为邻近圆柱形基座并且环绕喷淋头的杆部。倒圆锥形表面系设置为邻近处理腔室之上表面以及侧壁。圆锥形表面和倒圆锥形表面定义从复数气体狭缝至一间隙的具角度气体信道，该间隙系定义于圆柱形基部之径向外部与处理腔室之侧壁之间。

3. 发明专利

TW201810362A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及进程
公开(公告)号：TW201810362A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106106672
申请日：2017-03-01
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：八幡橘 , YAHATA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L27/04
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/67196 , H01L21/67742 , H01L21/67748 , H01L21/67754
摘要：提供使對基板的處理品質提升的技術。本發明之基板處理裝置係具有：複數處理室，其係處理基板；搬運室，其係搬運基板；複數移載室，其係被設在搬運室與處理室之間，且對應處理室的各個；複數閘閥，其係被設在搬運室與移載室之間；複數第1氣體供給部，其係被設在搬運室，且對通過複數閘閥的位置的基板各個供給惰性氣體；搬運機器人，其係被設在搬運室內，且將基板搬運至移載室；及控制部，其係以當第1氣體供給部的供給孔與通過閘閥的基板的距離為第1距離之時，以第1流量供給惰性氣體，當距離為比第1距離為更長的第2距離之時，以比第1流量為更多的第2流量供給惰性氣體的方式，控制複數第1氣體供給部與搬運機器人。
简体摘要：提供使对基板的处理品质提升的技术。本发明之基板处理设备系具有：复数处理室，其系处理基板；搬运室，其系搬运基板；复数移载室，其系被设在搬运室与处理室之间，且对应处理室的各个；复数闸阀，其系被设在搬运室与移载室之间；复数第1气体供给部，其系被设在搬运室，且对通过复数闸阀的位置的基板各个供给惰性气体；搬运机器人，其系被设在搬运室内，且将基板搬运至移载室；及控制部，其系以当第1气体供给部的供给孔与通过闸阀的基板的距离为第1距离之时，以第1流量供给惰性气体，当距离为比第1距离为更长的第2距离之时，以比第1流量为更多的第2流量供给惰性气体的方式，控制复数第1气体供给部与搬运机器人。

4. 发明专利

TWI617692B SiCN膜之成膜方法有权
公开(公告)号：TWI617692B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW104116736
申请日：2015-05-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：清水亮 , SHIMIZU, AKIRA , 宮原孝廣 , MIYAHARA, TAKAHIRO , 白井昌志 , SHIRAI, MASASHI , 貞池慎一郎 , SADAIKE, SHINICHIROU
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02167 , C23C16/36 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/0228

5. 发明专利

TW201805470A 下游反應器中之邊緣蝕刻率控制用可調整側邊氣體充氣部审中-公开
简体标题：下游反应器中之边缘蚀刻率控制用可调整侧边气体充气部
公开(公告)号：TW201805470A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106115218
申请日：2017-05-09
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：布拉沃安德魯斯特拉頓 , BRAVO, ANDREW STRATTON , 古哈喬伊迪普 , GUHA, JOYDEEP , 庫馬賈丁得 , KUMAR, JATINDER
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/334
摘要：一種用於基板處理系統之氣體分配裝置的側邊調整環包含鄰接至該氣體分配裝置之面板的第一環。該第一環圍繞該面板並且定義第一充氣部、與第一氣體源連通、以及包含第一複數孔洞，該第一複數孔洞係配置成以第一角度將來自該第一氣體源的氣體引導到處理腔室內。第二環係鄰接至該第一環。該第二環圍繞該第一環並且定義第二充氣部、與該第一氣體源及第二氣體源至少其中一者連通、以及包含第二複數孔洞，該第二複數孔洞係配置成以該第一角度或第二角度將來自該第一氣體源及該第二氣體源至少其中一者的氣體引導到該處理腔室內。該第一環及該第二環可與該氣體分配裝置的該面板分離。
简体摘要：一种用于基板处理系统之气体分配设备的侧边调整环包含邻接至该气体分配设备之皮肤的第一环。该第一环围绕该皮肤并且定义第一充气部、与第一气体源连通、以及包含第一复数孔洞，该第一复数孔洞系配置成以第一角度将来自该第一气体源的气体引导到处理腔室内。第二环系邻接至该第一环。该第二环围绕该第一环并且定义第二充气部、与该第一气体源及第二气体源至少其中一者连通、以及包含第二复数孔洞，该第二复数孔洞系配置成以该第一角度或第二角度将来自该第一气体源及该第二气体源至少其中一者的气体引导到该处理腔室内。该第一环及该第二环可与该气体分配设备的该皮肤分离。

6. 发明专利

TWI614363B 在原子層沉積多站／批式反應器中之序列型先驅物用劑有权
简体标题：在原子层沉积多站／批式反应器中之串行型先驱物用剂
公开(公告)号：TWI614363B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW103124005
申请日：2014-07-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：謙德拉瑟哈蘭拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 斯列文戴米恩 , SLEVIN, DAMIEN , 里瑟卡爾F , LEESER, KARL F.
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/458 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02208 , H01L21/02274 , H01L21/67207

7. 发明专利

TW201802939A 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201802939A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106100833
申请日：2017-01-11
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：橋本良知 , HASHIMOTO, YOSHITOMO , 廣瀨義朗 , HIROSE, YOSHIRO
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/308 , C23C16/325 , C23C16/36 , C23C16/45527 , C23C16/45531 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/02211
摘要：本發明之課題在於提高膜之組成比之控制性。本發明之解決手段係從以下步驟中選擇至少任一者並進行，而於基板上形成膜：(a)以對基板供給含有既定元素與碳之化學鍵結之第1原料氣體之步驟、供給氮化氣體之步驟、供給氧化氣體之步驟的順序為一個循環並進行n1次的步驟；(b)供給第1原料氣體之步驟、供給氧化氣體之步驟、供給氮化氣體之步驟的順序為一個循環並進行n2次的步驟；(c)供給含有較第1原料氣體所含有之既定元素與碳之化學鍵結多之既定元素與碳之化學鍵結的第2原料氣體之步驟、供給氮化氣體之步驟、供給氧化氣體之步驟的順序為一個循環並進行n3次的步驟；以及(d)供給第2原料氣體之步驟、供給氧化氣體之步驟、供給氮化氣體之步驟的順序為一個循環並進行n4次的步驟。
简体摘要：本发明之课题在于提高膜之组成比之控制性。本发明之解决手段系从以下步骤中选择至少任一者并进行，而于基板上形成膜：(a)以对基板供给含有既定元素与碳之化学键结之第1原料气体之步骤、供给氮化气体之步骤、供给氧化气体之步骤的顺序为一个循环并进行n1次的步骤；(b)供给第1原料气体之步骤、供给氧化气体之步骤、供给氮化气体之步骤的顺序为一个循环并进行n2次的步骤；(c)供给含有较第1原料气体所含有之既定元素与碳之化学键结多之既定元素与碳之化学键结的第2原料气体之步骤、供给氮化气体之步骤、供给氧化气体之步骤的顺序为一个循环并进行n3次的步骤；以及(d)供给第2原料气体之步骤、供给氧化气体之步骤、供给氮化气体之步骤的顺序为一个循环并进行n4次的步骤。

8. 发明专利

TW201739941A 流經線進氣空間审中-公开
简体标题：流经线进气空间
公开(公告)号：TW201739941A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106105502
申请日：2017-02-20
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：里瑟卡爾 , LEESER, KARL
IPC分类号： C23C14/22 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C16/448 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , H01J37/32009 , H01J37/32449 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67253
摘要：提供一種用於將氣體輸送至反應器的進氣空間構造，該反應器用於處理半導體晶圓。一進氣空間包含在一近端與一遠端之間延伸的一腔室。一基底連接至該腔室的該近端，以及該基底包含一入口通道以及一出口通道。一管件配置在該腔室內。該管件具有小於一腔室直徑的一管直徑。該管件具有在該腔室之該近端耦合至該入口通道的一連接端以及配置在該腔室之該遠端的一輸出端。
简体摘要：提供一种用于将气体输送至反应器的进气空间构造，该反应器用于处理半导体晶圆。一进气空间包含在一近端与一远程之间延伸的一腔室。一基底连接至该腔室的该近端，以及该基底包含一入口信道以及一出口信道。一管件配置在该腔室内。该管件具有小于一腔室直径的一管直径。该管件具有在该腔室之该近端耦合至该入口信道的一连接端以及配置在该腔室之该远程的一输出端。

9. 发明专利

TWI602942B 成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI602942B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW103102978
申请日：2014-01-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI , 佐佐木幸二 , SASAKI, KOJI , 鈴木啓介 , SUZUKI, KEISUKE , 兩角友一朗 , MOROZUMI, YUICHIRO
IPC分类号： C23C16/30 , H01L21/205 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45544 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02219

10. 发明专利

TW201728780A 用於蝕刻與沉積程序之電腦可定址的電漿密度修改审中-公开
简体标题：用于蚀刻与沉积进程之电脑可寻址的等离子密度修改
公开(公告)号：TW201728780A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105136065
申请日：2016-11-07
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/511 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/3222 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/511 , H01J37/321 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32899 , H01J37/32926 , H01L21/0228 , H01L21/67069
摘要：文中所揭露之製程室中之半導體基板上之反應速率的修改方法使用複數微波天線的一相位陣列。該些方法可包含能量化一製程室中的一電漿、自複數微波天線的一相位陣列發射一微波輻射束、及將該束微波輻射導至該電漿中俾以造成該製程室內之一半導體基板之一表面上的一反應速率的一變化。文中亦揭露複數微波天線之相位陣列的特定實施例。文中亦揭露半導體製程設備，其包含用以將微波輻射束發射至一製程室中之複數微波天線的一相位陣列。
简体摘要：文中所揭露之制程室中之半导体基板上之反应速率的修改方法使用复数微波天线的一相位数组。该些方法可包含能量化一制程室中的一等离子、自复数微波天线的一相位数组发射一微波辐射束、及将该束微波辐射导至该等离子中俾以造成该制程室内之一半导体基板之一表面上的一反应速率的一变化。文中亦揭露复数微波天线之相位数组的特定实施例。文中亦揭露半导体制程设备，其包含用以将微波辐射束发射至一制程室中之复数微波天线的一相位数组。

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