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1. 发明专利

TWI613705B 在低溫下生長薄磊晶膜的方法有权
简体标题：在低温下生长薄磊晶膜的方法
公开(公告)号：TWI613705B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW104135804
申请日：2015-10-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督比阿布希雪克 , DUBE, ABHISHEK , 仲華 , CHUNG, HUA , 王振宇 , WANG, JENN-YUE , 李學斌 , LI, XUEBIN , 黃奕樵 , HUANG, YI CHIAU , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L29/7848 , H01L29/7851

2. 发明专利

TWI326104B 產生用於半導體處理系統之前驅物的設備及方法 METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING A PRECURSOR FOR A SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM 有权
简体标题：产生用于半导体处理系统之前驱物的设备及方法 METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING A PRECURSOR FOR A SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TWI326104B
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：TW093114980
申请日：2004-05-26
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳嶺 , 古文忠 , 仲華 , 馬可達克里斯多夫 , 甘古利沙謝德 , 林珍妮 , 吳典曄 , 奧義艾倫 , 張鎂
IPC分类号： H01L , B01J
摘要：本發明的實施例係有關於一種用來產生一用於半導體處理系統中之前驅物的設備。該設備包括一罐子其具有一側壁，一頂部及一底部。該罐子界定出一具有一上區及一下區的內部空間。該設備進一步包括一圍繞在該罐子周圍的加熱器。該加熱器在該上區與下區之間產生一溫度梯度。 Embodiments of the present invention are directed to an apparatus for generating a precursor for a semiconductor processing system. The apparatus includes a canister having a sidewall, a top portion and a bottom portion. The canister defines an inter volume having an upper region and a lower region. The apparatus further includes a heater surrounding the canister. The heater creates a temperature gradient between the upper region and the lower region. 【創作特點】本發明的實施例係有關於一種用來產生一用於半導體處理系統中之前驅物的設備。該設備包括一罐子其具有一側壁，一頂部及一底部。該罐子界定出一具有一上區及一下區的內部空間。該設備進一步包括一圍繞在該罐子周圍的加熱器。該加熱器在該上區與下區之間產生一溫度梯度。
简体摘要：本发明的实施例系有关于一种用来产生一用于半导体处理系统中之前驱物的设备。该设备包括一罐子其具有一侧壁，一顶部及一底部。该罐子界定出一具有一上区及一下区的内部空间。该设备进一步包括一围绕在该罐子周围的加热器。该加热器在该上区与下区之间产生一温度梯度。 Embodiments of the present invention are directed to an apparatus for generating a precursor for a semiconductor processing system. The apparatus includes a canister having a sidewall, a top portion and a bottom portion. The canister defines an inter volume having an upper region and a lower region. The apparatus further includes a heater surrounding the canister. The heater creates a temperature gradient between the upper region and the lower region. 【创作特点】本发明的实施例系有关于一种用来产生一用于半导体处理系统中之前驱物的设备。该设备包括一罐子其具有一侧壁，一顶部及一底部。该罐子界定出一具有一上区及一下区的内部空间。该设备进一步包括一围绕在该罐子周围的加热器。该加热器在该上区与下区之间产生一温度梯度。

3. 发明专利

TWI647744B 在低溫下生長薄磊晶膜的方法有权
简体标题：在低温下生长薄磊晶膜的方法
公开(公告)号：TWI647744B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106117147
申请日：2015-10-30
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督比阿布希雪克 , DUBE,ABHISHEK , 仲華 , CHUNG,HUA , 王振宇 , WANG,JENN-YUE , 李學斌 , LI,XUEBIN , 黃奕樵 , HUANG,YI-CHIAU , 諸紹芳 , CHU,SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78

4. 发明专利

TW201735117A 在低溫下生長薄磊晶膜的方法审中-公开
简体标题：在低温下生长薄磊晶膜的方法
公开(公告)号：TW201735117A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106117147
申请日：2015-10-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督比阿布希雪克 , DUBE,ABHISHEK , 仲華 , CHUNG,HUA , 王振宇 , WANG,JENN-YUE , 李學斌 , LI,XUEBIN , 黃奕樵 , HUANG,YI-CHIAU , 諸紹芳 , CHU,SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L29/7848 , H01L29/7851
摘要：本發明揭露的實施一般係關於磊晶薄膜上的矽材料的磊晶成長之方法。在一個實施中，該方法包括於半導體片（fin）上形成磊晶薄膜，其中磊晶薄膜包括具有第一刻面與第二刻面的頂表面，以及藉由在約375°C至約450°C的溫度與約5Torr至約20Torr的腔室壓力處將頂表面交替暴露於第一前驅物氣體與第二前驅物氣體而至少在磊晶薄膜的頂表面上形成磊晶層，第一前驅物氣體包含一或多個矽烷，第二前驅物氣體包含一或多個氯化矽烷。
简体摘要：本发明揭露的实施一般系关于磊晶薄膜上的硅材料的磊晶成长之方法。在一个实施中，该方法包括于半导体片（fin）上形成磊晶薄膜，其中磊晶薄膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及借由在约375°C至约450°C的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在磊晶薄膜的顶表面上形成磊晶层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

6. 发明专利

TWI333234B 原子層沉積／化學氣相沉積阻障層與多孔低介電常數材料之整合 INTEGRATION OF ALD/CVD BARRIERS WITH POROUS LOW K MATERIALS 有权
简体标题：原子层沉积／化学气相沉积阻障层与多孔低介电常数材料之集成 INTEGRATION OF ALD/CVD BARRIERS WITH POROUS LOW K MATERIALS
公开(公告)号：TWI333234B
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：TW092136608
申请日：2003-12-23
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：仲華 , 尼可拉奧斯貝奇亞里斯 , 馬可達克里斯多夫 , 陳嶺
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/34 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76838 , H01L21/76873 , H01L21/76876
摘要：提供一種處理一基材的方法。該方法包含沉積及蝕刻一低k介電質層於一基材上；以一電漿預清洗該基材；並沉積一阻障層在該基材上。預清洗該基材最小化阻障層之擴散入該低k介電層及/或加強阻障沉積之沉積。
简体摘要：提供一种处理一基材的方法。该方法包含沉积及蚀刻一低k介电质层于一基材上；以一等离子预清洗该基材；并沉积一阻障层在该基材上。预清洗该基材最小化阻障层之扩散入该低k介电层及/或加强阻障沉积之沉积。

7. 发明专利

TW200952080A ＥＣＰ電鍍期間膜之選擇性成長的製程 A PROCESS FOR SELECTIVE GROWTH OF FILMS DURING ECP PLATING 审中-公开
简体标题：ＥＣＰ电镀期间膜之选择性成长的制程 A PROCESS FOR SELECTIVE GROWTH OF FILMS DURING ECP PLATING
公开(公告)号：TW200952080A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098106203
申请日：2009-02-26
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：虞哲民 , 王偉D , 汪榮軍 , 仲華
IPC分类号： H01L , C25D
CPC分类号： H01L21/76879 , C25D5/02 , H01L21/76856 , H01L21/76859 , H01L21/76862 , H01L21/76873
摘要：本發明提供一種在電鍍製程中控制基板場區上之金屬沉積的方法。在一態樣中，於電漿下在已圖案化之基板的場區上沉積介電層，且留下開口中暴露出來的導電表面。省略或減少在場區上進行電鍍的步驟，而獲得無空隙的特徵結構並且使過量電鍍減至最少。在另一態樣中，可能使用金屬的電阻層來代替該介電層。在又一態樣中，改質該導電場區的表面，以改變該表面相對於開口之側壁和底部的化學勢。
简体摘要：本发明提供一种在电镀制程中控制基板场区上之金属沉积的方法。在一态样中，于等离子下在已图案化之基板的场区上沉积介电层，且留下开口中暴露出来的导电表面。省略或减少在场区上进行电镀的步骤，而获得无空隙的特征结构并且使过量电镀减至最少。在另一态样中，可能使用金属的电阻层来代替该介电层。在又一态样中，改质该导电场区的表面，以改变该表面相对于开口之侧壁和底部的化学势。

8. 发明专利

TW201628065A 在低溫下生長薄磊晶膜的方法审中-公开
简体标题：在低温下生长薄磊晶膜的方法
公开(公告)号：TW201628065A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104135804
申请日：2015-10-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督比阿布希雪克 , DUBE, ABHISHEK , 仲華 , CHUNG, HUA , 王振宇 , WANG, JENN-YUE , 李學斌 , LI, XUEBIN , 黃奕樵 , HUANG, YI CHIAU , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L29/7848 , H01L29/7851
摘要：本發明揭露的實施一般係關於磊晶薄膜上的矽材料的磊晶成長之方法。在一個實施中，該方法包括於半導體片(fin)上形成磊晶薄膜，其中磊晶薄膜包括具有第一刻面與第二刻面的頂表面，以及藉由在約375℃至約450℃的溫度與約5Torr至約20Torr的腔室壓力處將頂表面交替暴露於第一前驅物氣體與第二前驅物氣體而至少在磊晶薄膜的頂表面上形成磊晶層，第一前驅物氣體包含一或多個矽烷，第二前驅物氣體包含一或多個氯化矽烷。
简体摘要：本发明揭露的实施一般系关于磊晶薄膜上的硅材料的磊晶成长之方法。在一个实施中，该方法包括于半导体片(fin)上形成磊晶薄膜，其中磊晶薄膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及借由在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在磊晶薄膜的顶表面上形成磊晶层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

9. 发明专利

TWI542725B 誘導處理室清潔氣體之紊流的方法及設備有权
简体标题：诱导处理室清洁气体之紊流的方法及设备
公开(公告)号：TWI542725B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW100120573
申请日：2011-06-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：仲華 , CHUNG, HUA , 董希子 , DONG, XIZI , 曼亞文傑森 , MAUNG, KYAWWIN JASON , 花輪廣治 , HANAWA, HIROJI , 姜聖元 , KANG, SANG WON , 考區大衛H , QUACH, DAVID H. , 奧葛多唐諾得J K , OLGADO, DONALD J. K. , 布爾大衛 , BOUR, DAVID , 許偉勇 , HSU, WEI-YUNG , 湯亞歷山大 , TAM, ALEXANDER , 張恩中 , CHANG, ANZHONG , 阿佳亞史蘇美德 , ACHARYA, SUMEDH
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： B08B5/00 , C23C16/4405 , C23C16/45506 , C23C16/45591 , H01L21/02041 , H01L21/67115 , Y10S438/905

10. 发明专利

TW201613103A 自對準置換鰭片的形成审中-公开
简体标题：自对准置换鳍片的形成
公开(公告)号：TW201613103A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104126426
申请日：2015-08-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：張鄞 , ZHANG, YING , 仲華 , CHUNG, HUA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/02 , H01L29/66
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/02587 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L21/31116 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/1054 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要：在此提供用於形成FinFET結構的方法與設備。本文所述之選擇性蝕刻與沉積製程可提供於FinFET之製造而無需利用多重圖案化製程。本文所述之實施例也提供鰭片材料之製造方法，該方法用於從矽轉變成三五族材料，同時維持所用之各種材料的可接受的晶格走向。進一步之實施例提供蝕刻設備，該蝕刻設備可用於執行本文所述之方法。
简体摘要：在此提供用于形成FinFET结构的方法与设备。本文所述之选择性蚀刻与沉积制程可提供于FinFET之制造而无需利用多重图案化制程。本文所述之实施例也提供鳍片材料之制造方法，该方法用于从硅转变成三五族材料，同时维持所用之各种材料的可接受的晶格走向。进一步之实施例提供蚀刻设备，该蚀刻设备可用于运行本文所述之方法。

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