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1. 发明专利

TW201710543A 具有低氟含量之鎢膜审中-公开
简体标题：具有低氟含量之钨膜
公开(公告)号：TW201710543A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105116363
申请日：2016-05-26
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：施洛斯勞倫斯 , SCHLOSS, LAWRENCE , 巴曉蘭 , BA, XIAOLAN
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/76876 , C23C16/0281 , C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L21/76877 , H01L21/76898
摘要：本文所述之方法與設備的實施樣態係關於鎢成核層及其他含鎢薄膜的沉積。方法的各種實施例涉及在低腔室壓力下將基板暴露到鎢前驅物及還原劑的交替脈衝，而藉此在基板的表面上沉積含鎢層。根據各種實施例，可將腔室壓力維持在10托或低於10托。在一些實施例中，可將腔室壓力維持在7托或低於7托，或甚至更低，例如維持在5托或低於5托。方法可使用含氟的鎢前驅物來實施，但其結果為在所沉積的層中的氟量非常低或偵測不到。
简体摘要：本文所述之方法与设备的实施样态系关于钨成核层及其他含钨薄膜的沉积。方法的各种实施例涉及在低腔室压力下将基板暴露到钨前驱物及还原剂的交替脉冲，而借此在基板的表面上沉积含钨层。根据各种实施例，可将腔室压力维持在10托或低于10托。在一些实施例中，可将腔室压力维持在7托或低于7托，或甚至更低，例如维持在5托或低于5托。方法可使用含氟的钨前驱物来实施，但其结果为在所沉积的层中的氟量非常低或侦测不到。

2. 发明专利

TWI570261B 對介電基板上以ＣＣＴＢＡ為基礎之ＣＶＤ鈷成核作用進行改良的表面處理有权
简体标题：对介电基板上以ＣＣＴＢＡ为基础之ＣＶＤ钴成核作用进行改良的表面处理
公开(公告)号：TWI570261B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW103128658
申请日：2014-08-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅佩布山N , ZOPE, BHUSHAN N. , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V , GELATOS, AVGERINOS V.
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/22 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/76879 , C23C14/22 , C23C16/0245 , C23C16/0281 , C23C16/18 , C23C16/50 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/53257 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

TWI541900B 絕緣膜及其製造方法有权
简体标题：绝缘膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI541900B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW101137001
申请日：2012-10-05
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , 日新電機股份有限公司 , NISSIN ELECTRIC CO., LTD.
发明人：宮永美紀 , MIYANAGA, MIKI , 粟田英章 , AWATA, HIDEAKI , 岡田浩 , OKADA, HIROSHI , 栗巢賢一 , KURISU, KENICHI , 安東靖典 , ANDO, YASUNORI , 高橋英治 , TAKAHASHI, EIJI , 藤原將喜 , FUJIWARA, MASAKI
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/0281 , C23C16/345 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H01L29/78696

4. 发明专利

TW201520853A 觸控面板及其製造方法审中-公开
简体标题：触摸皮肤及其制造方法
公开(公告)号：TW201520853A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103135038
申请日：2014-10-08
申请人：宸鴻美國有限責任公司 , TPK AMERICA, LLC
发明人：貝克布雷恩 , BAKER, BRAIN , 笹本埃德 , SASAMOTO, ED , 謝裡夫蒙齊爾 , CHERIF, MONDHER
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： C23C14/086 , B32B2457/208 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/5873 , C23C16/0281 , C23C16/407 , G06F3/0414 , Y10T428/24851
摘要：本發明提供了一種觸控面板，包括第一基板、遮蔽層以及第一高密度導電層。遮蔽層形成於第一基板的邊緣區域。第一高密度導電層覆蓋第一基板及遮蔽層。本發明還提供了一種使用HiPIMS輔助直流濺射工藝以製造上述觸控面板的製造方法。本發明的觸控面板具有結構簡單的優點，借此簡化生產製造的複雜性和降低成本。
简体摘要：本发明提供了一种触摸皮肤，包括第一基板、屏蔽层以及第一高密度导电层。屏蔽层形成于第一基板的边缘区域。第一高密度导电层覆盖第一基板及屏蔽层。本发明还提供了一种使用HiPIMS辅助直流溅射工艺以制造上述触摸皮肤的制造方法。本发明的触摸皮肤具有结构简单的优点，借此简化生产制造的复杂性和降低成本。

5. 发明专利

TW201324616A 絕緣膜及其製造方法审中-公开
简体标题：绝缘膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201324616A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101137001
申请日：2012-10-05
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , 日新電機股份有限公司 , NISSIN ELECTRIC CO., LTD.
发明人：宮永美紀 , MIYANAGA, MIKI , 粟田英章 , AWATA, HIDEAKI , 岡田浩 , OKADA, HIROSHI , 栗巢賢一 , KURISU, KENICHI , 安東靖典 , ANDO, YASUNORI , 高橋英治 , TAKAHASHI, EIJI , 藤原將喜 , FUJIWARA, MASAKI
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/0281 , C23C16/345 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：本發明係提供一種絕緣膜，其係含有矽原子、氟原子及氮原子者，且包括配置於含有氧原子之基板上之第1氮化矽膜、及與該第1氮化矽膜接觸地配置之第2氮化矽膜，該第2氮化矽膜中所含之氟量多於該第1氮化矽膜中所含之氟量，並且，本發明係提供一種半導體元件，其包含含有銦原子及氧原子之氧化物半導體層、及含有矽原子、氟原子及氮原子之絕緣膜。該半導體元件可成為薄膜電晶體。
简体摘要：本发明系提供一种绝缘膜，其系含有硅原子、氟原子及氮原子者，且包括配置于含有氧原子之基板上之第1氮化硅膜、及与该第1氮化硅膜接触地配置之第2氮化硅膜，该第2氮化硅膜中所含之氟量多于该第1氮化硅膜中所含之氟量，并且，本发明系提供一种半导体组件，其包含含有铟原子及氧原子之氧化物半导体层、及含有硅原子、氟原子及氮原子之绝缘膜。该半导体组件可成为薄膜晶体管。

6. 发明专利

TW593730B 直接於基材上低溫合成奈米碳管的方法失效
简体标题：直接于基材上低温合成奈米碳管的方法
公开(公告)号：TW593730B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091105805
申请日：2002-03-25
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：黃建良 HWANG, CHIEN LIANG , 丁傑 TING, JACK , 江日舜 , 莊銓
IPC分类号： C23C , B82B
CPC分类号： C23C16/0281 , B82Y30/00 , C23C16/26 , C23C28/021 , C23C28/023 , C30B25/00 , C30B29/605 , Y10S977/843 , Y10S977/89
摘要：經由低溫熱化學氣相沈積反應，奈米碳管被直接成長在一具有三層金屬層的基材表面上，以作為場發射顯示器的場發射電子源。該三層金屬層包含一層活性金屬觸媒，其被夾在一位於該基材上的金屬擔體層及一覆蓋金屬層之間。該活性金屬觸媒為鐵、鈷、鎳或其合金，該金屬擔體與覆蓋金屬則可分別為金、銀、銅、鈀、鉑或其合金，及這三層金屬層可通過真空濺鍍、化學氣相沈積、物理氣相沈積、網印或電鍍的方式被形成。
简体摘要：经由低温热化学气相沉积反应，奈米碳管被直接成长在一具有三层金属层的基材表面上，以作为场发射显示器的场发射电子源。该三层金属层包含一层活性金属触媒，其被夹在一位于该基材上的金属担体层及一覆盖金属层之间。该活性金属触媒为铁、钴、镍或其合金，该金属担体与覆盖金属则可分别为金、银、铜、钯、铂或其合金，及这三层金属层可通过真空溅镀、化学气相沉积、物理气相沉积、网印或电镀的方式被形成。

7. 发明专利

TW200407933A 適用於電子發射裝置之圖案化且粒化的觸媒層,以及相關製法 PATTERNED GRANULIZED CATALYST LAYER SUITABLE FOR ELECTRON-EMITTING DEVICE, AND ASSOCIATED FABRICATION METHOD 审中-公开
简体标题：适用于电子发射设备之图案化且粒化的触媒层,以及相关制法 PATTERNED GRANULIZED CATALYST LAYER SUITABLE FOR ELECTRON-EMITTING DEVICE, AND ASSOCIATED FABRICATION METHOD
公开(公告)号：TW200407933A
公开(公告)日：2004-05-16
申请号：TW092122866
申请日：2003-08-20
申请人：理想顯示公司 CDREAM DISPLAY CORPORATION
发明人：康盛球 KANG, SIMON , 禹慶 BAE, CRAIG , 金正宰 KIM, JUNG JAE
IPC分类号： H01J
CPC分类号： B82Y30/00 , C23C16/0281 , C23C16/26
摘要：一種電子發射裝置，其含有直立式發射器電極構成多個側面分離的區域位於電子發射元件及一個基板之間。此電子發射元件包含奈米碳管，此奈米碳管於能夠與位於下方的基板之熱應力相容的200℃至600℃溫度範圍內生長。電子發射元件生長於粒化的觸媒層上，提供大表面積以於這樣低的溫度範圍內生長電子發射元件。
简体摘要：一种电子发射设备，其含有直立式发射器电极构成多个侧面分离的区域位于电子发射组件及一个基板之间。此电子发射组件包含奈米碳管，此奈米碳管于能够与位于下方的基板之热应力兼容的200℃至600℃温度范围内生长。电子发射组件生长于粒化的触媒层上，提供大表面积以于这样低的温度范围内生长电子发射组件。

8. 发明专利

TW569323B 鎢膜的形成方法有权
简体标题：钨膜的形成方法
公开(公告)号：TW569323B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW091118001
申请日：2002-08-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大久保和哉 , 立花光博 , 方成 , 鈴木健二 KENJI SUZUKI , 佐藤耕一 , 石塚穗高
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/0281 , C23C16/14 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76877
摘要：以提供一種埋入孔孔徑雖小，亦能抑制付予特性不良影響程度大之間隙發生或火山發生，而埋填特性良好之鎢膜形成方法。
在被設成可真空汲引之處理容器(22)內，對被處理体W表面予以形成鎢膜時，將供應還原性氣體之還原性氣體供應製程(70)與供應含鎢氣體之鎢氣體供應製程(72)，在兩製程間介存供應惰性氣體同時真空汲引之清理製程(74)下，加以交錯反覆實行以形成初期鎢膜(76)。藉此，可形成膜厚均勻性高之種子層的初期鎢膜，進而，以後在堆積主要鎢膜時，例如埋入孔孔徑雖小，亦能抑制賦予特性不良影響程度大之間隙發生或火山發生。
简体摘要：以提供一种埋入孔孔径虽小，亦能抑制付予特性不良影响程度大之间隙发生或火山发生，而埋填特性良好之钨膜形成方法。在被设成可真空汲引之处理容器(22)内，对被处理体W表面予以形成钨膜时，将供应还原性气体之还原性气体供应制程(70)与供应含钨气体之钨气体供应制程(72)，在两制程间介存供应惰性气体同时真空汲引之清理制程(74)下，加以交错反复实行以形成初期钨膜(76)。借此，可形成膜厚均匀性高之种子层的初期钨膜，进而，以后在堆积主要钨膜时，例如埋入孔孔径虽小，亦能抑制赋予特性不良影响程度大之间隙发生或火山发生。

9. 发明专利

TW459063B 一種於一基材上沉積一鎢層之化學氣相沉積方法及基材處理系統失效
简体标题：一种于一基材上沉积一钨层之化学气相沉积方法及基材处理系统
公开(公告)号：TW459063B
公开(公告)日：2001-10-11
申请号：TW087107424
申请日：1998-05-13
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：瑞維瑞傑各帕蘭 , 史帝夫葛漢納耶 , 學山崎 , 慶一大塚 , 優二前田
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/76838 , C23C16/02 , C23C16/0281 , C23C16/14 , H01L21/28556
摘要：一用來於一基材上沉積一鎢層之多步驟化學氣相沉積方法。該沉積方法第一步驟包括一成核步驟，其中WF6及SiH4被引入一沉積室。其次，WF6及SiH4流被停止且二硼烷被引入該室達5.25秒。最後，於一體沉積步驟期間，該WF6隨H2及B2H6流再引入該室以於該基材上沉積一鎢層。於一較佳具體例中，該體沉積步驟亦將氮引入處理氣體。
简体摘要：一用来于一基材上沉积一钨层之多步骤化学气相沉积方法。该沉积方法第一步骤包括一成核步骤，其中WF6及SiH4被引入一沉积室。其次，WF6及SiH4流被停止且二硼烷被引入该室达5.25秒。最后，于一体沉积步骤期间，该WF6随H2及B2H6流再引入该室以于该基材上沉积一钨层。于一较佳具体例中，该体沉积步骤亦将氮引入处理气体。

10. 发明专利

TW451305B 鎢層之形成方法及鎢層之積層構造有权
简体标题：钨层之形成方法及钨层之积层构造
公开(公告)号：TW451305B
公开(公告)日：2001-08-21
申请号：TW089100344
申请日：2000-01-11
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：饗場康 , 小池幸男
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/0281 , C23C16/14 , H01L21/28556 , H01L21/28568
摘要：一邊供應含由氟化鎢(譬如六氟化鎢)氣構成之原料氣與還原該原料氣之還原氣(譬如氫氣)之處理氣體，一邊在被處理體(譬如半導體晶片)之表面形成鎢層。該情形，在被處理體表面形成鎢之核結晶膜的核結晶膜形成步驟與在該結晶膜上形成主鎢膜的主鎢膜形成步驟之間，施行中間鎢膜形成步驟。該中間鎢膜形成步驟與主鎢膜形成步驟相較，以原料氣對還原氣之流量比作小之狀態形成中間鎢膜。由此，核結晶膜後之潛伏時間T2沒有了，可提高全體的平均成膜速度，同時改善被處理體間膜厚之均一性。
简体摘要：一边供应含由氟化钨(譬如六氟化钨)气构成之原料气与还原该原料气之还原气(譬如氢气)之处理气体，一边在被处理体(譬如半导体芯片)之表面形成钨层。该情形，在被处理体表面形成钨之核结晶膜的核结晶膜形成步骤与在该结晶膜上形成主钨膜的主钨膜形成步骤之间，施行中间钨膜形成步骤。该中间钨膜形成步骤与主钨膜形成步骤相较，以原料气对还原气之流量比作小之状态形成中间钨膜。由此，核结晶膜后之潜伏时间T2没有了，可提高全体的平均成膜速度，同时改善被处理体间膜厚之均一性。

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