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1. 发明专利

TW201726925A 用於分離或富集化細胞的方法及組合物审中-公开
简体标题：用于分离或富集化细胞的方法及组合物
公开(公告)号：TW201726925A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106111529
申请日：2013-07-05
申请人：騰隆科技公司 , AVIVA BIOSCIENCES CORPORATION
发明人：關安東尼歐 , GUIA, ANTONIO , 亞馬尼斯道格拉斯T , YAMANISHI, DOUGLAS T. , 佳堤安卓雅 , GHETTI, ANDREA , 陶國良 , TAO, GUOLIANG , 陶慧敏 , TAO, HUIMIN , 楚翁凱 , TRUONG, KY , 吳鐳 , WU, LEI , 王小波 , WANG, XIAOBO
IPC分类号： C12Q1/24 , B01D35/06 , G01N1/40
CPC分类号： G01N27/44791 , A61M1/34 , A61M1/3618 , A61M1/362 , A61M1/3679 , A61M2205/3375 , B01D29/0093 , B01D57/02 , B01D61/147 , B01D61/18 , B01D63/087 , B01D63/088 , B01D67/0034 , B01D67/0062 , B01D67/0072 , B01D67/0088 , B01D67/009 , B01D69/144 , B01D71/02 , B01D71/027 , B01D71/04 , B01D71/28 , B01D71/38 , B01D71/44 , B01D71/52 , B01D71/72 , B01D2313/20 , B01D2313/345 , B01D2325/021 , B01D2325/028 , B01L3/502 , B01L3/502753 , B01L3/502761 , B01L2300/0681 , B01L2300/0816 , B01L2300/0861 , B01L2400/0409 , B01L2400/0457 , B01L2400/0478 , B01L2400/0644 , B01L2400/065 , B03C1/01 , B03C1/288 , B03C5/005 , B03C5/028 , B03C2201/26 , B05D1/62 , C23C8/06 , C23C14/3414 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/50 , G01N1/34 , G01N33/491
摘要：本發明提供一過濾腔，其包含一容置於一外殼內的微加工過濾器；其中該過濾器及/或該外殼的內表面係經氣相沉積法、昇華作用、氣相表面反應、或粒子濺射修飾以製得一均勻的塗層。本發明並提供一方法，其係用以自一流體樣本中分離細胞，該方法包含：a)配送一流體樣本至於本文中所揭露的該過濾腔；及b)提供該流體樣本一流體流通過該過濾腔；其中，依據前述流體樣本成份的尺寸、形狀、或形變性，該流體樣本中的成份係通過會被留置於該過濾器中。
简体摘要：本发明提供一过滤腔，其包含一容置于一外壳内的微加工过滤器；其中该过滤器及/或该外壳的内表面系经气相沉积法、升华作用、气相表面反应、或粒子溅射修饰以制得一均匀的涂层。本发明并提供一方法，其系用以自一流体样本中分离细胞，该方法包含：a)配送一流体样本至于本文中所揭露的该过滤腔；及b)提供该流体样本一流体流通过该过滤腔；其中，依据前述流体样本成份的尺寸、形状、或形变性，该流体样本中的成份系通过会被留置于该过滤器中。

2. 发明专利

TWI522488B 利用受控固體形態學且基於固體前驅物之流體傳送有权
简体标题：利用受控固体形态学且基于固体前驱物之流体发送
公开(公告)号：TWI522488B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW096132592
申请日：2007-08-31
申请人：安特格利斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：克雷利約翰M , CLEARY, JOHN M. , 阿諾約瑟I , ARNO, JOSE I. , 漢德里克斯布萊恩C , HENDRIX, BRYAN C. , 納托唐恩 , NAITO, DONN , 貝托史考特 , BATTLE, SCOTT , 葛瑞格約翰 , GREGG, JOHN , 伍德詹斯基麥克J , WODJENSKI, MICHAEL J. , 蘇中因 , XU, CHONGYING
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C14/48 , C23C16/08 , C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/30 , C23C16/4402 , C23C16/45525 , C23C16/45544

3. 发明专利

TW201416480A 通過控制表面組成來調控鎢成長审中-公开
简体标题：通过控制表面组成来调控钨成长
公开(公告)号：TW201416480A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102133943
申请日：2013-09-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吳凱 , WU, KAI , 朴基振 , PARK, KIEJIN , 柳尙澔 , YU, SANG-HO , 李相協 , LEE, SANG-HYEOB , 大都克哉 , DAITO, KAZUYA , 克林喬許華 , COLLINS, JOSHUA , 王班哲明C , WANG, BENJAMIN C.
IPC分类号： C23C16/06
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/08 , C23C16/50
摘要：在此揭露一種於催化巨量CVD沉積期間選擇性控制催化材料沉積速率的方法。該方法可包括以下步驟：將基材定位在處理腔室中，該基材包括表面區域與縫隙區域二者；將包含鎢的第一成核層正形地沉積覆於該基材的暴露表面上；以活化氮處理該第一成核層的至少一部分，其中該活化氮優先沉積於該表面區域上；將包含鎢之鹵化物的第一沉積氣體與含氫氣體反應，優先沉積鎢填充層於該基材的縫隙區域中；使包含鎢之鹵化物的成核氣體反應，以形成第二成核層；以及使包含鎢之鹵化物的第二沉積氣體與含氫氣體反應，以沉積鎢場層。
简体摘要：在此揭露一种于催化巨量CVD沉积期间选择性控制催化材料沉积速率的方法。该方法可包括以下步骤：将基材定位在处理腔室中，该基材包括表面区域与缝隙区域二者；将包含钨的第一成核层正形地沉积覆于该基材的暴露表面上；以活化氮处理该第一成核层的至少一部分，其中该活化氮优先沉积于该表面区域上；将包含钨之卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，优先沉积钨填充层于该基材的缝隙区域中；使包含钨之卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨之卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。

5. 发明专利

TW201222637A 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD 审中-公开
简体标题：基板处理设备及半导体设备之制造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TW201222637A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100132592
申请日：2011-09-09
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：淺井優幸 , 本田剛一 , 梅本衛 , 奧田和幸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/08 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01J37/3244 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02175 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/0337 , H01L21/32051 , H01L21/32053
摘要：基板處理裝置具有：處理室，其對基板進行處理；複數個緩衝室，其係與處理室作區隔，且分別具有朝處理室開口之供氣口；第一處理氣體供給系，其朝處理室內供給第一處理氣體；第二處理氣體供給系，其可分別朝複數個緩衝室內供給第二處理氣體；電源，其輸出高頻電力；電漿產生用電極，其藉由利用電源施加高頻電力，在複數個緩衝室之各室的內部使第二處理氣體活化；加熱系，其對基板進行加熱；及控制手段，其以將表面形成有金屬膜之基板曝露於第一處理氣體、及藉由對電極施加高頻電力而在複數個緩衝室內部被活化且自複數個緩衝室被供給至處理室之第二處理氣體，一面將基板加熱為第一處理氣體之自行分解溫度以下一面於金屬膜上形成膜的方式，控制第一處理氣體供給系、電源、第二處理氣體供給系及加熱系。
简体摘要：基板处理设备具有：处理室，其对基板进行处理；复数个缓冲室，其系与处理室作区隔，且分别具有朝处理室开口之供气口；第一处理气体供给系，其朝处理室内供给第一处理气体；第二处理气体供给系，其可分别朝复数个缓冲室内供给第二处理气体；电源，其输出高频电力；等离子产生用电极，其借由利用电源施加高频电力，在复数个缓冲室之各室的内部使第二处理气体活化；加热系，其对基板进行加热；及控制手段，其以将表面形成有金属膜之基板曝露于第一处理气体、及借由对电极施加高频电力而在复数个缓冲室内部被活化且自复数个缓冲室被供给至处理室之第二处理气体，一面将基板加热为第一处理气体之自行分解温度以下一面于金属膜上形成膜的方式，控制第一处理气体供给系、电源、第二处理气体供给系及加热系。

6. 发明专利

TW201203368A 薄膜之形成方法审中-公开
公开(公告)号：TW201203368A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100108843
申请日：2011-03-16
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石坂忠大 , 羅倫強納森 , 橫山敦 , 五味淳 , 安室千晃 , 加藤多佳良 , 波多野達夫 , 河崎洋章
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76829 , C23C14/025 , C23C14/18 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , C23C16/0272 , C23C16/08 , C23C16/56 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/42 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要：本發明係一種薄膜之形成方法，係於表面具有凹部之作為被處理體之半導體晶圓表面形成薄膜來填埋凹部；具有下述製程：於半導體晶圓表面形成填埋用金屬膜來填埋凹部之製程；以被覆金屬膜之方式於作為被處理體之半導體晶圓表面之全面形成擴散防止用金屬膜之製程；以及，對作為被處理體之半導體晶圓進行退火之製程。
简体摘要：本发明系一种薄膜之形成方法，系于表面具有凹部之作为被处理体之半导体晶圆表面形成薄膜来填埋凹部；具有下述制程：于半导体晶圆表面形成填埋用金属膜来填埋凹部之制程；以被覆金属膜之方式于作为被处理体之半导体晶圆表面之全面形成扩散防止用金属膜之制程；以及，对作为被处理体之半导体晶圆进行退火之制程。

7. 发明专利

TW201117298A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製造裝置 METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备之制造设备 METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：TW201117298A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099126040
申请日：2010-08-05
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：原田雅通
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/76814 , C23C16/0236 , C23C16/08 , H01L21/02063
摘要：本發明揭露一種半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製造裝置，係在進行成膜處理之前先執行蝕刻導電層之表面的前處理。成膜處理係在從設置於絕緣層之通孔露出的導電層上選擇性地形成鎢薄膜。當導電層由氮化鈦、氮化鉭、氮化鈀及氮化鎢中之一所構成時，可使用氫氣與氮氣所構成的蝕刻氣體。當導電層由鎢、鈦、鉭、鈀、鈦化鎢、鎳、鈷、鈦矽化物、鎢矽化物、鉭矽化物、鈷矽化物及鎳矽化物中之一所構成時，可使用由氟氣與氬氣所構成的蝕刻氣體。
简体摘要：本发明揭露一种半导体设备之制造方法及半导体设备之制造设备，系在进行成膜处理之前先运行蚀刻导电层之表面的前处理。成膜处理系在从设置于绝缘层之通孔露出的导电层上选择性地形成钨薄膜。当导电层由氮化钛、氮化钽、氮化钯及氮化钨中之一所构成时，可使用氢气与氮气所构成的蚀刻气体。当导电层由钨、钛、钽、钯、钛化钨、镍、钴、钛硅化物、钨硅化物、钽硅化物、钴硅化物及镍硅化物中之一所构成时，可使用由氟气与氩气所构成的蚀刻气体。

8. 发明专利

TWI225663B 金屬膜之製造方法及製造裝置 METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCTION OF METAL FILM OR THE LIKE 失效
简体标题：金属膜之制造方法及制造设备 METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCTION OF METAL FILM OR THE LIKE
公开(公告)号：TWI225663B
公开(公告)日：2004-12-21
申请号：TW092104656
申请日：2003-03-05
申请人：三菱重工業股份有限公司 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人： 本仁志 HITOSHI SAKAMOTO , 八幡直樹 NAOKI YAHATA , 西森年彥 TOSHIHIKO NISHIMORI , 大庭義行 YOSHIYUKI OOBA , 利根川裕 HIROSHI TONEGAWA , 小城育昌 IKUMASA KOSHIRO , 小椋謙 YUZURU OGARA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/321 , C23C16/08 , C23C16/14 , C23C16/4488 , H01J37/32357 , H01J2237/3326 , H01L21/28556 , H01L21/76879
摘要：本發明係關於一金屬膜製造裝置，其在一室內以一Cl2氣電漿來蝕刻一銅板構件以形成一包含一Cu組份與一Cl2氣之預形體；依預定方式控制銅板構件與一基材的溫度以及其溫度之間的一差異以將預形體的Cu組份沉積在基材上，藉以形成一Cu膜。此裝置中，在與室內部導通使一Cl2氣流動的一通道之一激勵室中形成Cl*，且將Cl*供應至室中以從基材上吸附的預形體抽出一Cl2氣，藉以促進一Cu膜形成反應。此裝置具有高的膜形成速度，可使用一便宜的初始材料，且可盡量減少留在膜中的雜質。
简体摘要：本发明系关于一金属膜制造设备，其在一室内以一Cl2气等离子来蚀刻一铜板构件以形成一包含一Cu组份与一Cl2气之预形体；依预定方式控制铜板构件与一基材的温度以及其温度之间的一差异以将预形体的Cu组份沉积在基材上，借以形成一Cu膜。此设备中，在与室内部导通使一Cl2气流动的一信道之一激励室中形成Cl*，且将Cl*供应至室中以从基材上吸附的预形体抽出一Cl2气，借以促进一Cu膜形成反应。此设备具有高的膜形成速度，可使用一便宜的初始材料，且可尽量减少留在膜中的杂质。

9. 发明专利

TW484180B 來自鹵化鉭先質之化學氣相沉積之積體鉭及氮化鉭膜失效
简体标题：来自卤化钽先质之化学气相沉积之积体钽及氮化钽膜
公开(公告)号：TW484180B
公开(公告)日：2002-04-21
申请号：TW089107863
申请日：2000-04-26
申请人：東京威力科創有限公司
发明人：强J 侯搭拉 , 喬漢尼斯F M 魏斯登朶普
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/08 , C23C16/34
摘要：本發明說明以來自無機五鹵化鉭(TaX5)先質及氮沉積高品質保形性鉭/氮化鉭(Ta/TaNx)雙層膜之化學氣相沉積法(CVD)。無機五鹵化鉭先質是五氟化鉭(TaF5)、五氯化鉭(TaC15)及五溴化鉭(TaBr5)。將Tax5傳送至加熱室中。將蒸氣與處理氣體組合，以便於在加熱至300℃至500℃之基板上沉積Ta膜，並將蒸氣與含有氮之處理氣體組合，以便於在該基板上沉積TaNx膜。經沉積之Ta/TaNx雙層膜有用於含有銅膜之積體電路板，尤其是小的高縱橫比部件。這些膜的高保形性優於以PVD沉積之膜。
简体摘要：本发明说明以来自无机五卤化钽(TaX5)先质及氮沉积高品质保形性钽/氮化钽(Ta/TaNx)双层膜之化学气相沉积法(CVD)。无机五卤化钽先质是五氟化钽(TaF5)、五氯化钽(TaC15)及五溴化钽(TaBr5)。将Tax5发送至加热室中。将蒸气与处理气体组合，以便于在加热至300℃至500℃之基板上沉积Ta膜，并将蒸气与含有氮之处理气体组合，以便于在该基板上沉积TaNx膜。经沉积之Ta/TaNx双层膜有用于含有铜膜之集成电路板，尤其是小的高纵横比部件。这些膜的高保形性优于以PVD沉积之膜。

10. 发明专利

TW434694B 減低由化學氣相沉積法所形成之毯覆式鎢膜之應力的方法失效
简体标题：减低由化学气相沉积法所形成之毯覆式钨膜之应力的方法
公开(公告)号：TW434694B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW088105559
申请日：1999-04-07
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：北崎正樹 , 田中啓一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/0281 , C23C16/08 , H01L21/28556 , H01L21/28568
摘要：一種利用CVD法來形成一毯覆式鎢膜的方法。其係在形成用以形成毯覆式鎢膜的核之前，將含有WF6氣體、 SiH4氣體及H2氣體的混合氣體供給到一真空室12中。此時，調節各種氣體的流量，而使SiH4氣體大於WF6氣體的流量，進而進行數秒的前處理。此時，WF6氣體/SiH4氣體的流量比係可在0.15~0.35之間，而處理時間係可在2~10秒之間。於完成前處理之後，則進行核形成處理，進而形成一毯覆式W膜，據此，即使W膜之成膜處理係在低溫環境下進行時，其膜應力亦不會增大。
简体摘要：一种利用CVD法来形成一毯覆式钨膜的方法。其系在形成用以形成毯覆式钨膜的核之前，将含有WF6气体、 SiH4气体及H2气体的混合气体供给到一真空室12中。此时，调节各种气体的流量，而使SiH4气体大于WF6气体的流量，进而进行数秒的前处理。此时，WF6气体/SiH4气体的流量比系可在0.15~0.35之间，而处理时间系可在2~10秒之间。于完成前处理之后，则进行核形成处理，进而形成一毯覆式W膜，据此，即使W膜之成膜处理系在低温环境下进行时，其膜应力亦不会增大。

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