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1. 发明专利

TWI617369B 用於基板邊緣清理的裝置有权
简体标题：用于基板边缘清理的设备
公开(公告)号：TWI617369B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW103106534
申请日：2014-02-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：荷登詹姆士馬修 , HOLDEN, JAMES MATTHEW , 徐宋文 , SUH, SONG-MOON , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 葛許卡亞吉特 , GHOSH, KALYANJIT , 沃福斯基里昂 , VOLFOVSKI, LEON , 萊斯麥可R , RICE, MICHAEL R. , 吉爾金李察 , GILJUM, RICHARD
IPC分类号： B08B5/02 , B08B11/02
CPC分类号： H01L21/67028 , B01D39/12 , B08B5/00 , B08B7/00 , H01L21/02076 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/67051

2. 发明专利

TW201801177A 基板之汽相氫氧自由基處理用系統及方法审中-公开
简体标题：基板之汽相氢氧自由基处理用系统及方法
公开(公告)号：TW201801177A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106107706
申请日：2017-03-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：布朗意恩 J , BROWN, IAN J. , 普林茲華勒斯 P , PRINTZ, WALLACE P.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , B08B5/00 , B08B7/00
CPC分类号： H01L21/0206 , B08B5/00 , B08B7/0057 , B08B7/04 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/67023
摘要：一種用以處理基板的設備及方法。該方法包括將基板設置在基板處理系統的處理腔室內。基板包括位於該基板的工作表面上的含碳材料層。該方法亦包括：接收過氧化氫蒸汽至基板處理系統的蒸汽處理區域中、藉由處理蒸汽處理區域中之過氧化氫蒸汽以產生氫氧自由基蒸汽、及將氫氧自由基蒸汽與剩餘的過氧化氫蒸汽引導至基板的工作表面，從而使含碳材料進行化學改質。
简体摘要：一种用以处理基板的设备及方法。该方法包括将基板设置在基板处理系统的处理腔室内。基板包括位于该基板的工作表面上的含碳材料层。该方法亦包括：接收过氧化氢蒸汽至基板处理系统的蒸汽处理区域中、借由处理蒸汽处理区域中之过氧化氢蒸汽以产生氢氧自由基蒸汽、及将氢氧自由基蒸汽与剩余的过氧化氢蒸汽引导至基板的工作表面，从而使含碳材料进行化学改质。

3. 发明专利

TWI591754B 由靜電夾頭移除受損的環氧樹脂之方法有权
简体标题：由静电夹头移除受损的环氧树脂之方法
公开(公告)号：TWI591754B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102134150
申请日：2013-09-23
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：侍宏 , SHIH, HONG , 黃拓川 , HUANG, TUOCHUAN , 方彥 , FANG, YAN , 拉庫克斯克里夫 , LACROIX, CLIFF , 牛頓尼爾 , NEWTON, NEAL , 察翠瑞許 , CHHATRE, RISH
IPC分类号： H01L21/683 , B29B17/00
CPC分类号： H01L21/6833 , B08B1/00 , B08B5/00 , B08B5/02 , B08B7/00 , B08B7/0071

4. 发明专利

TW201704531A 用於蝕刻和腔室清洗之方法以及用於該方法之氣體审中-公开
简体标题：用于蚀刻和腔室清洗之方法以及用于该方法之气体
公开(公告)号：TW201704531A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105114575
申请日：2016-05-11
申请人：首威公司 , SOLVAY S. A. , 弗蘭霍夫應用推廣研究協會 , FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.
发明人：匹特羅夫麥克 , PITTROFF, MICHAEL , 威廉德羅伯特 , WIELAND, ROBERT , 鮑達登潔米拉 , BOUDADEN, JAMILA
IPC分类号： C23F1/12 , C23G5/00 , H01L21/306
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B5/00 , B08B7/0035 , B08B9/08 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H01J2237/3321 , H01L21/31116
摘要：本發明涉及用包含氟氣、氮氣和氬氣以及所述氣體混合物或由其組成的氣體混合物清洗用於半導體製造的裝置的腔室之方法。
简体摘要：本发明涉及用包含氟气、氮气和氩气以及所述气体混合物或由其组成的气体混合物清洗用于半导体制造的设备的腔室之方法。

5. 发明专利

TWI544516B 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體有权
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及记忆媒体
公开(公告)号：TWI544516B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103111979
申请日：2014-03-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中啓一 , TANAKA, KEIICHI , 吉原孝介 , YOSHIHARA, KOUSUKE , 井關智弘 , ISEKI, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/024 , B08B5/00 , G03F7/3021 , H01L21/67028 , H01L21/67034

6. 发明专利

TW201537680A 用於塗覆半導體基材空腔之方法审中-公开
简体标题：用于涂覆半导体基材空腔之方法
公开(公告)号：TW201537680A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104102588
申请日：2015-01-26
申请人： EV集團E塔那有限公司 , EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人：放克羅安卓亞
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/31 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/02057 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B5/00 , B08B7/0014 , B08B7/0035 , H01L21/76898
摘要：本發明係關於一種用於在用於處理半導體基材(1)之至少一表面(1o)的處理步驟之前以臨時施加之塗覆材料(3)臨時塗覆空腔(2)之方法，該等空腔(2)至少部分貫穿該半導體基材(1)及提供用於永久塗覆及/或配備。此外，本發明係關於一種用於移除半導體基材(1)之空腔(2)之臨時塗層的方法，由此根據先前提及之方法施加該塗層及由此特定而言隨後立即進行空腔(2)之永久塗覆及/或配備。
简体摘要：本发明系关于一种用于在用于处理半导体基材(1)之至少一表面(1o)的处理步骤之前以临时施加之涂覆材料(3)临时涂覆空腔(2)之方法，该等空腔(2)至少部分贯穿该半导体基材(1)及提供用于永久涂覆及/或配备。此外，本发明系关于一种用于移除半导体基材(1)之空腔(2)之临时涂层的方法，由此根据先前提及之方法施加该涂层及由此特定而言随后立即进行空腔(2)之永久涂覆及/或配备。

7. 发明专利

TW201308425A 光罩淨化裝置及光罩淨化方法审中-公开
简体标题：光罩净化设备及光罩净化方法
公开(公告)号：TW201308425A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100127956
申请日：2011-08-05
申请人：黃天興
发明人：黃天興
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/027 , B08B5/02
CPC分类号： B08B5/00 , Y10T137/87169
摘要：一種光罩淨化裝置，包含一個光罩單元，及一個膜壓控制單元。該光罩單元包括一個光罩、一個安裝在該光罩周圍的框架，及一個設置在該框架上的防護膜，該光罩、該框架及該防護膜共同界定出一個光罩空間，該框架具有一個連通該光罩空間的透氣孔。該膜壓控制單元包括一個導氣管。而其光罩淨化方法則是交替進行排氣步驟與進氣步驟，利用該導氣管間歇擾動氣體，使氣流快速通過該透氣孔外側或該防護膜外側，令該光罩空間的壓力產生變化，並讓該光罩空間內的氣體排出且讓淨化氣體進入，故能有效達到提升光罩潔淨度與增進產品良率的功效。
简体摘要：一种光罩净化设备，包含一个光罩单元，及一个膜压控制单元。该光罩单元包括一个光罩、一个安装在该光罩周围的框架，及一个设置在该框架上的防护膜，该光罩、该框架及该防护膜共同界定出一个光罩空间，该框架具有一个连通该光罩空间的透气孔。该膜压控制单元包括一个导气管。而其光罩净化方法则是交替进行排气步骤与进气步骤，利用该导气管间歇扰动气体，使气流快速通过该透气孔外侧或该防护膜外侧，令该光罩空间的压力产生变化，并让该光罩空间内的气体排出且让净化气体进入，故能有效达到提升光罩洁净度与增进产品良率的功效。

8. 发明专利

TWI384571B 顆粒消除單元及具有顆粒消除單元之基板傳輸裝置有权
简体标题：颗粒消除单元及具有颗粒消除单元之基板传输设备
公开(公告)号：TWI384571B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW097135393
申请日：2008-09-15
申请人：細美事有限公司 , SEMES CO., LTD.
发明人：安英基 , AHN, YOUNG-KI , 鄭載正 , JEONG, JAE-JEONG , 成寶倫彰 , SUNG, BO-RAM-CHAN , 具教旭 , KOO, KYO-WOOG
IPC分类号： H01L21/67 , B65G49/07
CPC分类号： B08B5/00 , H01L21/67017

9. 发明专利

TWI360168B 半導體製程中移除微粒之系統與方法 A SYSTEM AND METHOD FOR REMOVING PARTICLES IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING 有权
简体标题：半导体制程中移除微粒之系统与方法 A SYSTEM AND METHOD FOR REMOVING PARTICLES IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING
公开(公告)号：TWI360168B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW095126282
申请日：2006-07-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：夏振原 , 洪彰成 , 呂啟綸 , 張世明 , 王文娟 , 黃彥彬 , 張慶裕 , 林進祥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B6/00 , B08B5/00 , H01L21/02057 , H01L21/67017 , H01L21/67051
摘要：一種半導體晶圓製造系統，包含加工晶圓的反應室製程路徑，以及利用靜電及電磁方法移除半導體晶圓上微粒之設備。其中，此移除設備係安裝於上述之反應室製程路徑上。
简体摘要：一种半导体晶圆制造系统，包含加工晶圆的反应室制程路径，以及利用静电及电磁方法移除半导体晶圆上微粒之设备。其中，此移除设备系安装于上述之反应室制程路径上。

10. 发明专利

TW200924098A 粒子排除單元及具有其之基板搬運設備 UNIT FOR ELIMINATING PARTICLES AND APPARATUS FOR TRANSFERRING A SUBSTRATE HAVING THE SAME 审中-公开
简体标题：粒子排除单元及具有其之基板搬运设备 UNIT FOR ELIMINATING PARTICLES AND APPARATUS FOR TRANSFERRING A SUBSTRATE HAVING THE SAME
公开(公告)号：TW200924098A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097135393
申请日：2008-09-15
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：安英基 AHN, YOUNG-KI , 鄭載正 JEONG, JAE-JEONG , 成寶倫彰 SUNG, BO-RAM-CHAN , 具教旭 KOO, KYO-WOOG
IPC分类号： H01L , B65G
CPC分类号： B08B5/00 , H01L21/67017
摘要：在基板傳輸裝置中,分隔牆係配置於殼體之垂直方向,用以將殼體之內部空間分隔為第一空間及第二空間。壓力產生元件將第一空間分隔為上部空間及下部空間,並於第一空間中沿著垂直方向移動,使得正壓力及負壓力交替地產生於上部空間及下部空間。基板支撐元件係可移動式地配置於第二空間,用以支撐及傳輸基板。數個閘門係配置於殼體之側壁及分隔牆。藉由正壓力及負壓力開啓及關閉閘門,使得顆粒透過第一空間由第二空間移至外部空間,進而消除顆粒。
简体摘要：在基板传输设备中,分隔墙系配置于壳体之垂直方向,用以将壳体之内部空间分隔为第一空间及第二空间。压力产生组件将第一空间分隔为上部空间及下部空间,并于第一空间中沿着垂直方向移动,使得正压力及负压力交替地产生于上部空间及下部空间。基板支撑组件系可移动式地配置于第二空间,用以支撑及传输基板。数个闸门系配置于壳体之侧壁及分隔墙。借由正压力及负压力开启及关闭闸门,使得颗粒透过第一空间由第二空间移至外部空间,进而消除颗粒。

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