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1. 发明专利

TW202030362A PECVD設備與製程审中-公开
简体标题： PECVD设备与制程
公开(公告)号：TW202030362A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109105303
申请日：2013-10-23
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉札高帕藍納卡拉詹 , RAJAGOPALAN, NAGARAJAN , 韓新海 , HAN, XINHAI , 蔣文揚 , TSIANG, MICHAEL , 尾方正樹 , OGATA, MASAKI , 蔣志鈞 , JIANG, ZHIJUN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 諾瓦克湯瑪斯 , NOWAK, THOMAS , 周建華 , ZHOU, JIANHUA , 山卡克里西南蘭普拉卡西 , SANKARAKRISHNAN, RAMPRAKASH , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 班莎阿米 , BANSAL, AMIT , 李正敏 , LEE, JEONGMIN , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 布迪亞多愛德華 , BUDIARTO, EDWARD , 潘納斯尤克狄米崔 , PANASYUK, DMITRIY , 李泰倫斯Y , LEE, TERRANCE Y. , 陳建 , CHEN, JIAN , 亞尤伯摩哈德 , AYOUB, MOHAMAD , 朴興來 , PARK, HEUNG LAK , 瑞李派翠克 , REILLY, PATRICK , 夏可夏西 , SHAIKH, SHAHID , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN , 史塔利科瑟吉 , STARIK, SERGEY
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
摘要：茲描述根據PECVD製程來處理基材的設備和方法。調整基材的溫度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。調整電漿密度分布，以改變基材各處的沉積速率分布。加熱接觸電漿的腔室表面，以改善電漿密度均勻性及減少在腔室表面形成低品質沉積物。原位量測技術可用於監測沉積製程的進行，及觸發涉及基材溫度分布、電漿密度分布、壓力、溫度與反應物流量的控制動作。
简体摘要：兹描述根据PECVD制程来处理基材的设备和方法。调整基材的温度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。调整等离子密度分布，以改变基材各处的沉积速率分布。加热接触等离子的腔室表面，以改善等离子密度均匀性及减少在腔室表面形成低品质沉积物。原位量测技术可用于监测沉积制程的进行，及触发涉及基材温度分布、等离子密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。

2. 发明专利

TW202026447A 磁性懸浮系統、磁性懸浮系統的底座、真空系統、及在真空腔室中非接觸地支承及移動載體的方法审中-公开
简体标题：磁性悬浮系统、磁性悬浮系统的底座、真空系统、及在真空腔室中非接触地支承及移动载体的方法
公开(公告)号：TW202026447A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108127718
申请日：2019-08-05
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：奧斯特亨寧 , AUST, HENNING , 梅斯碩斯登 , MEISS, THORSTEN
IPC分类号： C23C14/50 , C23C16/54 , C23C16/458 , C23C16/56 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/683 , H02N15/00 , F16C32/04 , H02K41/035 , B65G54/02
摘要：一種用以在真空腔室中非接觸地支承及移動載體的磁性懸浮系統，包括底座，定義傳送軌道；載體，沿著傳送軌道於底座的上方為可移動的；以及至少一磁性軸承，用以在底座及載體之間產生磁性懸浮力。此至少一磁性軸承包括第一磁鐵單元及第二磁鐵單元，第一磁鐵單元配置於底座，及第二磁鐵單元配置於載體。磁性懸浮系統更包括磁性側向穩定裝置，用以在側向方向中穩定載體，磁性側向穩定裝置包括穩定磁鐵單元，配置於底座；其中第一磁鐵單元及穩定磁鐵單元之至少一者係配置在底座之殼體空間中，殼體空間係藉由分隔牆與真空腔室之內部體積分隔。
简体摘要：一种用以在真空腔室中非接触地支承及移动载体的磁性悬浮系统，包括底座，定义发送轨道；载体，沿着发送轨道于底座的上方为可移动的；以及至少一磁性轴承，用以在底座及载体之间产生磁性悬浮力。此至少一磁性轴承包括第一磁铁单元及第二磁铁单元，第一磁铁单元配置于底座，及第二磁铁单元配置于载体。磁性悬浮系统更包括磁性侧向稳定设备，用以在侧向方向中稳定载体，磁性侧向稳定设备包括稳定磁铁单元，配置于底座；其中第一磁铁单元及稳定磁铁单元之至少一者系配置在底座之壳体空间中，壳体空间系借由分隔墙与真空腔室之内部体积分隔。

3. 发明专利

TWI697583B 具備清潔功能的半導體製程設備及其清潔方法有权
简体标题：具备清洁功能的半导体制程设备及其清洁方法
公开(公告)号：TWI697583B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108128144
申请日：2019-08-07
申请人：南韓商吉佳藍科技股份有限公司 , GIGALANE CO.,LTD.
发明人：金亨源 , KIM, HYOUNG WON , 鄭明敎 , JUNG, MYOUNG KYO , 鄭熙錫 , JUNG, HEE SEOK
IPC分类号： C23C16/54 , H01L21/67

4. 发明专利

TW202022157A 處理腔室部件之清潔方法审中-公开
简体标题：处理腔室部件之清洁方法
公开(公告)号：TW202022157A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108136976
申请日：2019-10-15
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：權炳錫 , KWON, BYUNG SEOK , 庫許魯須薩派瑞尚特庫馬 , KULSHRESHTHA, PRASHANT KUMAR , 李光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS , 博貝克莎拉蜜雪兒 , BOBEK, SARAH MICHELLE
IPC分类号： C23C16/54 , B08B7/00 , H01L21/67 , H01J37/317
摘要：提供了一種清潔半導體處理腔室的部件的方法。該方法包含將部件中的殘留物曝露於含有含氮氣體和含氧氣體的處理電漿。部件中的殘留物經歷化學反應而清潔部件。清潔了部件，將部件恢復到運行處理化學反應之前的條件。
简体摘要：提供了一种清洁半导体处理腔室的部件的方法。该方法包含将部件中的残留物曝露于含有含氮气体和含氧气体的处理等离子。部件中的残留物经历化学反应而清洁部件。清洁了部件，将部件恢复到运行处理化学反应之前的条件。

5. 发明专利

TWI695908B 用於在真空中的一可撓性基板之連續處理的設備及其方法有权
简体标题：用于在真空中的一可挠性基板之连续处理的设备及其方法
公开(公告)号：TWI695908B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW106115931
申请日：2017-05-15
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：索爾安提瑞爾斯 , SAUER, ANDREAS , 格伯岡瑟 , GERBER, GUNTHER , 海恩史德分 , HEIN, STEFAN , 德穆思萊納 , DEMUTH, RAINER
IPC分类号： C23C16/54 , B41F15/42

6. 发明专利

TWI695907B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI695907B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW106102802
申请日：2017-01-25
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 大泉行雄 , OHIZUMI, YUKIO , 本間學 , HONMA, MANABU , 小林健 , KOBAYASHI, TAKESHI
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/452

7. 发明专利

TWI695906B 溫度控制的基板支撐組件有权
简体标题：温度控制的基板支撑组件
公开(公告)号：TWI695906B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107147096
申请日：2015-02-03
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕克維傑D , PARKHE,VIJAY D. , 馬可拉契夫康斯坦汀 , MAKHRATCHEV,KONSTANTIN , 小野真德 , ONO,MASANORI , 郭智強 , GUO,ZHIQIANG
IPC分类号： C23C16/46 , C23C14/50 , C23C16/54 , H01L21/67

8. 发明专利

TWI691614B 線性電漿輔助化學氣相沈積設備有权
简体标题：线性等离子辅助化学气相沉积设备
公开(公告)号：TWI691614B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW106112658
申请日：2013-02-18
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫達喬瑟 , KUDELA,JOZEF , 安華蘇海 , ANWAR,SUHAIL , 蘇倫珊卡爾 , SORENSEN,CARL A. , 促翁格道格拉斯 , TRUONG,DOUGLAS , 懷特約翰 , WHITE,JOHN M.
IPC分类号： C23C16/511 , C23C16/54

9. 发明专利

TW202004856A 用於半導體製程腔室的表面塗層的襯套組件审中-公开
简体标题：用于半导体制程腔室的表面涂层的衬套组件
公开(公告)号：TW202004856A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108124644
申请日：2014-05-01
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 古波若沙堤西 , KUPPURAO, SATHEESH , 帕塔雷凱拉辛奇蘭 , PATALAY, KAILASH KIRAN , 布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/54
摘要：本文揭示的實施例係關於用於一半導體製程腔室中的表面塗層的襯套組件。在一實施例中，一種用於一半導體製程腔室中的襯套組件包括：一襯套主體，該襯套主體具有一圓柱環形式；以及一塗層，該塗層塗覆於該襯套主體上，其中該塗層在大約200 nm與大約5000 nm之間的一或更多個波長時係不透明的。在另一實施例中，一種用於沉積一介電層於一基板上的設備包括：一製程腔室，該製程腔室具有一內部容積係界定於該製程腔室的一腔室主體中；一襯套組件，該襯套組件設置於該製程腔室中，其中該襯套組件進一步包括：一襯套主體，該襯套主體具有一圓柱環形式；以及一塗層，該塗層塗覆該襯套主體的一外壁並且面向該腔室主體，其中該塗層在大約200 nm與大約5000 nm之間的一或更多個波長時係不透明的。
简体摘要：本文揭示的实施例系关于用于一半导体制程腔室中的表面涂层的衬套组件。在一实施例中，一种用于一半导体制程腔室中的衬套组件包括：一衬套主体，该衬套主体具有一圆柱环形式；以及一涂层，该涂层涂覆于该衬套主体上，其中该涂层在大约200 nm与大约5000 nm之间的一或更多个波长时系不透明的。在另一实施例中，一种用于沉积一介电层于一基板上的设备包括：一制程腔室，该制程腔室具有一内部容积系界定于该制程腔室的一腔室主体中；一衬套组件，该衬套组件设置于该制程腔室中，其中该衬套组件进一步包括：一衬套主体，该衬套主体具有一圆柱环形式；以及一涂层，该涂层涂覆该衬套主体的一外壁并且面向该腔室主体，其中该涂层在大约200 nm与大约5000 nm之间的一或更多个波长时系不透明的。

10. 发明专利

TWI680201B 氣相沉積裝置及其蓋板與噴氣裝置有权
简体标题：气相沉积设备及其盖板与喷气设备
公开(公告)号：TWI680201B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW107134076
申请日：2018-09-27
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 黃健寶 , WONG, KIAN-POH , 梁祐笙 , LIANG, YU-SHENG , 邱建欽 , CHIU, CHIEN-CHIN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54

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