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1. 发明专利

TW201639037A 用於製程腔室的燈加熱审中-公开
简体标题：用于制程腔室的灯加热
公开(公告)号：TW201639037A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105101134
申请日：2016-01-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薩米爾梅莫特圖格魯爾 , SAMIR, MEHMET TUGRUL , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： H05B3/0047 , F26B3/30
摘要：提供一製程腔室，其包含連接在一起以定義一空間的一頂部、一底部與一側壁。一基材支座係設置於該空間。該製程腔室進一步包含面向該基材支座的一或多於一個燈頭，每一燈頭都包括沿著一平面設置之多數燈具佈置。該燈具佈置係由一中心與複數個同心環形區域所定義。每一環形區域都由一內部邊緣與一外部邊緣所定義，且每一環形區域都包含一或多於一個燈具的三或多於三個定向線。一或多於一個燈具的每一定向線都具有一第一端部，其線性延伸至一第二端部，其繞著該中心以至少10度分開。該第一與第二端部兩者都位於一環形區域內。位於一相同環形區域內的每一定向線則相距該中心等距離。
简体摘要：提供一制程腔室，其包含连接在一起以定义一空间的一顶部、一底部与一侧壁。一基材支座系设置于该空间。该制程腔室进一步包含面向该基材支座的一或多于一个灯头，每一灯头都包括沿着一平面设置之多数灯具布置。该灯具布置系由一中心与复数个同心环形区域所定义。每一环形区域都由一内部边缘与一外部边缘所定义，且每一环形区域都包含一或多于一个灯具的三或多于三个定向线。一或多于一个灯具的每一定向线都具有一第一端部，其线性延伸至一第二端部，其绕着该中心以至少10度分开。该第一与第二端部两者都位于一环形区域内。位于一相同环形区域内的每一定向线则相距该中心等距离。

2. 发明专利

TW201624570A 用於可調整照明來源的設備审中-公开
简体标题：用于可调整照明来源的设备
公开(公告)号：TW201624570A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104132434
申请日：2015-10-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫瑪納裘特 , KUMAR, NAVJOT , 妙尼O , MYO, NYI O. , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 吉力哈卡梅須 , GIRIDHAR, KAMESH , 加真卓帕拉木拉里 , GAJENDRA, PALAMURALI
IPC分类号： H01L21/324 , F21V21/06
CPC分类号： H01L21/67115 , H05B3/0047
摘要：於此揭露用於處理腔室的照明器模組的位置之調整的設備。實作一般包含一處理腔室，該處理腔室包括界定一內容積的一封閉體；一基板支撐件，該基板支撐件設置於該處理腔室的該內容積中；及複數個可調整照明器模組。各可調整照明器模組可包含一輻射來源；與輻射來源連接的一照明器連接器；一可調整裝設支架，該可調整裝設支架連接至該照明器連接器，可調整裝設支架可樞轉地連接至處理腔室；及一可調整力裝置，該可調整力裝置被裝設與該可調整裝設支架連接。
简体摘要：于此揭露用于处理腔室的照明器模块的位置之调整的设备。实作一般包含一处理腔室，该处理腔室包括界定一内容积的一封闭体；一基板支撑件，该基板支撑件设置于该处理腔室的该内容积中；及复数个可调整照明器模块。各可调整照明器模块可包含一辐射来源；与辐射来源连接的一照明器连接器；一可调整装设支架，该可调整装设支架连接至该照明器连接器，可调整装设支架可枢转地连接至处理腔室；及一可调整力设备，该可调整力设备被装设与该可调整装设支架连接。

3. 发明专利

TW201639039A 用以在晶圓中消除沉積谷的新基座設計审中-公开
简体标题：用以在晶圆中消除沉积谷的新基座设计
公开(公告)号：TW201639039A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105101727
申请日：2016-01-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉馬納桑卡西科 , RAMANATHAN, KARTHIK , 薛卡提克 , SHAH, KARTIK , 妙尼O , MYO, NYI O. , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 托比恩傑弗瑞 , TOBIN, JEFFREY
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： C23C16/4583 , C30B25/12
摘要：本文的實施例大致上關於半導體基材的熱處理的基座。在一實施例中，基座包括一第一緣、一被第一緣耦接且環繞的內部區域、及一或更多個被形成在內部區域上的環狀突部。該一或更多個環狀突部可被形成在內部區域上於對應於被形成在基材上的谷的位置的位置處，並且該一或更多個環狀突部有助於減少或消除谷的形成。
简体摘要：本文的实施例大致上关于半导体基材的热处理的基座。在一实施例中，基座包括一第一缘、一被第一缘耦接且环绕的内部区域、及一或更多个被形成在内部区域上的环状突部。该一或更多个环状突部可被形成在内部区域上于对应于被形成在基材上的谷的位置的位置处，并且该一或更多个环状突部有助于减少或消除谷的形成。

4. 发明专利

TW201628065A 在低溫下生長薄磊晶膜的方法审中-公开
简体标题：在低温下生长薄磊晶膜的方法
公开(公告)号：TW201628065A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104135804
申请日：2015-10-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督比阿布希雪克 , DUBE, ABHISHEK , 仲華 , CHUNG, HUA , 王振宇 , WANG, JENN-YUE , 李學斌 , LI, XUEBIN , 黃奕樵 , HUANG, YI CHIAU , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L29/7848 , H01L29/7851
摘要：本發明揭露的實施一般係關於磊晶薄膜上的矽材料的磊晶成長之方法。在一個實施中，該方法包括於半導體片(fin)上形成磊晶薄膜，其中磊晶薄膜包括具有第一刻面與第二刻面的頂表面，以及藉由在約375℃至約450℃的溫度與約5Torr至約20Torr的腔室壓力處將頂表面交替暴露於第一前驅物氣體與第二前驅物氣體而至少在磊晶薄膜的頂表面上形成磊晶層，第一前驅物氣體包含一或多個矽烷，第二前驅物氣體包含一或多個氯化矽烷。
简体摘要：本发明揭露的实施一般系关于磊晶薄膜上的硅材料的磊晶成长之方法。在一个实施中，该方法包括于半导体片(fin)上形成磊晶薄膜，其中磊晶薄膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及借由在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在磊晶薄膜的顶表面上形成磊晶层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

5. 发明专利

TWI686869B 用於製程腔室的燈加熱有权
简体标题：用于制程腔室的灯加热
公开(公告)号：TWI686869B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105101134
申请日：2016-01-14
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薩米爾梅莫特圖格魯爾 , SAMIR, MEHMET TUGRUL , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67

6. 发明专利

TWI613705B 在低溫下生長薄磊晶膜的方法有权
简体标题：在低温下生长薄磊晶膜的方法
公开(公告)号：TWI613705B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW104135804
申请日：2015-10-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督比阿布希雪克 , DUBE, ABHISHEK , 仲華 , CHUNG, HUA , 王振宇 , WANG, JENN-YUE , 李學斌 , LI, XUEBIN , 黃奕樵 , HUANG, YI CHIAU , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L29/7848 , H01L29/7851

7. 发明专利

TW201602403A 在ＥＰＩ腔室中的基材熱控制审中-公开
简体标题：在ＥＰＩ腔室中的基材热控制
公开(公告)号：TW201602403A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104117994
申请日：2015-06-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吳英秋 , NGO, ANHTHU , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 妙尼O , MYO, NYI O. , 布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL , 黃奕樵 , HUANG, YI CHIAU , 朱作明 , ZHU, ZUOMING , 鮑提斯塔凱文賈許 , BAUTISTA, KEVIN JOSEPH , 薛卡提克 , SHAH, KARTIK , 童艾德瑞克 , TONG, EDRIC , 李學斌 , LI, XUEBIN , 叢哲鵬 , CONG, ZHEPENG , 拉馬查倫巴拉蘇拉馬尼安 , RAMACHANDRAN, BALASUBRAMANIAN
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/46 , C30B25/10 , C30B25/12 , H01L21/683 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/12 , C23C16/4586
摘要：在一個實施例中，提供用於一熱處理腔室的承受器。該承受器包含一基座，該基座具有一前側及一後側，該後側相對於該前側由一熱傳導材料製成，其中該基座包含一周邊區域，該周邊區域環繞一凹陷面積，該凹陷面積具有小於該周邊區域的一厚度之一厚度；及複數個突起特徵，該複數個突起特徵由該前側及該後側的其中一者或兩者突出。
简体摘要：在一个实施例中，提供用于一热处理腔室的承受器。该承受器包含一基座，该基座具有一前侧及一后侧，该后侧相对于该前侧由一热传导材料制成，其中该基座包含一周边区域，该周边区域环绕一凹陷面积，该凹陷面积具有小于该周边区域的一厚度之一厚度；及复数个突起特征，该复数个突起特征由该前侧及该后侧的其中一者或两者突出。

8. 发明专利

TWI647744B 在低溫下生長薄磊晶膜的方法有权
简体标题：在低温下生长薄磊晶膜的方法
公开(公告)号：TWI647744B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106117147
申请日：2015-10-30
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督比阿布希雪克 , DUBE,ABHISHEK , 仲華 , CHUNG,HUA , 王振宇 , WANG,JENN-YUE , 李學斌 , LI,XUEBIN , 黃奕樵 , HUANG,YI-CHIAU , 諸紹芳 , CHU,SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78

9. 发明专利

TW201735117A 在低溫下生長薄磊晶膜的方法审中-公开
简体标题：在低温下生长薄磊晶膜的方法
公开(公告)号：TW201735117A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106117147
申请日：2015-10-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督比阿布希雪克 , DUBE,ABHISHEK , 仲華 , CHUNG,HUA , 王振宇 , WANG,JENN-YUE , 李學斌 , LI,XUEBIN , 黃奕樵 , HUANG,YI-CHIAU , 諸紹芳 , CHU,SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L29/7848 , H01L29/7851
摘要：本發明揭露的實施一般係關於磊晶薄膜上的矽材料的磊晶成長之方法。在一個實施中，該方法包括於半導體片（fin）上形成磊晶薄膜，其中磊晶薄膜包括具有第一刻面與第二刻面的頂表面，以及藉由在約375°C至約450°C的溫度與約5Torr至約20Torr的腔室壓力處將頂表面交替暴露於第一前驅物氣體與第二前驅物氣體而至少在磊晶薄膜的頂表面上形成磊晶層，第一前驅物氣體包含一或多個矽烷，第二前驅物氣體包含一或多個氯化矽烷。
简体摘要：本发明揭露的实施一般系关于磊晶薄膜上的硅材料的磊晶成长之方法。在一个实施中，该方法包括于半导体片（fin）上形成磊晶薄膜，其中磊晶薄膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及借由在约375°C至约450°C的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在磊晶薄膜的顶表面上形成磊晶层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

10. 发明专利

TW201624608A 用以減少邊緣溫度峰値的新式基座設計审中-公开
简体标题：用以减少边缘温度峰値的新式基座设计
公开(公告)号：TW201624608A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104134709
申请日：2015-10-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 薛卡提克 , SHAH, KARTIK , 吳英秋 , NGO, ANHTHU , 拉馬納桑卡西科 , RAMANATHAN, KARTHIK , 帕塔克尼廷 , PATHAK, NITIN , 妙尼O , MYO, NYI O. , 布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL , 柯林斯理查O , COLLINS, RICHARD O. , 鮑提斯塔凱文賈許 , BAUTISTA, KEVIN JOSEPH , 童艾德瑞克 , TONG, EDRIC , 叢者澎 , CONG, ZHEPENG , 常安中 , CHANG, ANZHONG , 勞建邦 , LO, KIN PONG , 漢柯爾曼尼斯 , HEMKAR, MANISH
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68735 , C23C16/4583 , H01L21/67115
摘要：本發明揭露的實施例一般係關於用於半導體基板熱處理的基座。在一個實施例中，基座包括第一緣邊(rim)與第二緣邊，第一緣邊環繞內區域且耦接至內區域，第二緣邊設置於內緣邊與第一緣邊之間。第二緣邊包含傾斜支撐表面，傾斜支撐表面具有形成於傾斜支撐表面中的複數個切口，且傾斜支撐表面相對於內區域的頂表面傾斜。
简体摘要：本发明揭露的实施例一般系关于用于半导体基板热处理的基座。在一个实施例中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内区域且耦接至内区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的复数个切口，且倾斜支撑表面相对于内区域的顶表面倾斜。

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