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1. 发明专利

TWI456687B 藉由增加含矽材料的光學吸收性改良輻射加熱效能有权
简体标题：借由增加含硅材料的光学吸收性改良辐射加热性能
公开(公告)号：TWI456687B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW100114709
申请日：2011-04-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：塙廣二 , HANAWA, HIROJI , 曼亞文傑森 , MAUNG, KYAWWIN JASON
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/68771

2. 发明专利

TWI542725B 誘導處理室清潔氣體之紊流的方法及設備有权
简体标题：诱导处理室清洁气体之紊流的方法及设备
公开(公告)号：TWI542725B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW100120573
申请日：2011-06-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：仲華 , CHUNG, HUA , 董希子 , DONG, XIZI , 曼亞文傑森 , MAUNG, KYAWWIN JASON , 花輪廣治 , HANAWA, HIROJI , 姜聖元 , KANG, SANG WON , 考區大衛H , QUACH, DAVID H. , 奧葛多唐諾得J K , OLGADO, DONALD J. K. , 布爾大衛 , BOUR, DAVID , 許偉勇 , HSU, WEI-YUNG , 湯亞歷山大 , TAM, ALEXANDER , 張恩中 , CHANG, ANZHONG , 阿佳亞史蘇美德 , ACHARYA, SUMEDH
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： B08B5/00 , C23C16/4405 , C23C16/45506 , C23C16/45591 , H01L21/02041 , H01L21/67115 , Y10S438/905

3. 外观设计

TWD147215S 用來使一製程腔室的清洗氣體產生紊流的清洗盤 CLEANING PLATE FOR INDUCING TURBULENT FLOW OF A PROCESSING CHAMBER CLEANING GAS 有权
简体标题：用来使一制程腔室的清洗气体产生紊流的清洗盘 CLEANING PLATE FOR INDUCING TURBULENT FLOW OF A PROCESSING CHAMBER CLEANING GAS
公开(公告)号：TWD147215S
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：TW100304292
申请日：2011-08-19
申请人：應用材料股份有限公司
设计人：仲華 , 董希子 , 曼亞文傑森 , 塙廣二 , 姜聖元 , 考區大衛H , 奧葛多唐諾得J K , 布爾大衛 , 許偉勇 , 湯亞歷山大 , 常安中 , 阿佳亞史蘇美德
摘要：【物品用途】
本創作係一種用來使一製程腔室的清洗氣體產生紊流的清洗盤。
【創作特點】
參照立體圖、俯視圖、及仰視圖，本創作之清洗盤，由上面俯視係呈圓形，其被分為四個區域，且在各區域分隔線接近圓周處形成兩個略呈三角形的凹洞。
另參照另一立體圖、及局部放大圖，本創作之清洗盤，由底面仰視係各區域中間延伸桿體分別具有一略呈長條形的凸部。
整體而言，本創作的外型獨特美觀，實為一外型新穎之新式樣設計。
简体摘要：【物品用途】本创作系一种用来使一制程腔室的清洗气体产生紊流的清洗盘。【创作特点】参照三維图、俯视图、及仰视图，本创作之清洗盘，由上面俯视系呈圆形，其被分为四个区域，且在各区域分隔线接近圆周处形成两个略呈三角形的凹洞。另参照另一三維图、及局部放大图，本创作之清洗盘，由底面仰视系各区域中间延伸杆体分别具有一略呈长条形的凸部。整体而言，本创作的外型独特美观，实为一外型新颖之新式样设计。

4. 发明专利

TW201213603A 誘導處理室清潔氣體之紊流的方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR INDUCING TURBULENT FLOW OF A PROCESSING CHAMBER CLEANING GAS 审中-公开
简体标题：诱导处理室清洁气体之紊流的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR INDUCING TURBULENT FLOW OF A PROCESSING CHAMBER CLEANING GAS
公开(公告)号：TW201213603A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100120573
申请日：2011-06-13
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：仲華 , 董希子 , 曼亞文傑森 , 花輪廣治 , 姜聖元 , 考區大衛H , 奧葛多唐諾得J K , 布爾大衛 , 許偉勇 , 湯亞歷山大 , 張恩中 , 阿佳亞史蘇美德
IPC分类号： C23C
CPC分类号： B08B5/00 , C23C16/4405 , C23C16/45506 , C23C16/45591 , H01L21/02041 , H01L21/67115 , Y10S438/905
摘要：本發明之實施例一般係與利用一清潔板來清潔腔室組件的設備與方法有關。清潔板係用以在一清潔處理期間定位在一基板支架上，且清潔板包含複數個紊流誘導結構。當清潔板在清潔處理期間旋轉時，紊流誘導結構會誘導出清潔氣體之紊流。清潔板增加了清潔氣體在清潔期間中在噴淋頭附近的停留時間。此外，清潔板降低了清潔板內的濃度梯度，以提供更有效之清潔。該方法包含定位該清潔板為與一噴淋頭相鄰；將一清潔氣體引入至噴淋頭與清潔板之間的空間中。接著，沉積在噴淋頭表面之材料會被加熱，且在存在清潔氣體的同時汽化，然後被排出處理腔。
简体摘要：本发明之实施例一般系与利用一清洁板来清洁腔室组件的设备与方法有关。清洁板系用以在一清洁处理期间定位在一基板支架上，且清洁板包含复数个紊流诱导结构。当清洁板在清洁处理期间旋转时，紊流诱导结构会诱导出清洁气体之紊流。清洁板增加了清洁气体在清洁期间中在喷淋头附近的停留时间。此外，清洁板降低了清洁板内的浓度梯度，以提供更有效之清洁。该方法包含定位该清洁板为与一喷淋头相邻；将一清洁气体引入至喷淋头与清洁板之间的空间中。接着，沉积在喷淋头表面之材料会被加热，且在存在清洁气体的同时汽化，然后被排出处理腔。

5. 发明专利

TW201203448A 藉由增加含矽材料的光學吸收性改良輻射加熱效能 IMPROVED RADIATION HEATING EFFICIENCY BY INCREASING OPTICAL ABSORPTION OF A SILICON CONTAINING MATERIAL 审中-公开
简体标题：借由增加含硅材料的光学吸收性改良辐射加热性能 IMPROVED RADIATION HEATING EFFICIENCY BY INCREASING OPTICAL ABSORPTION OF A SILICON CONTAINING MATERIAL
公开(公告)号：TW201203448A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100114709
申请日：2011-04-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：塙廣二 , 曼亞文傑森
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/68771
摘要：本發明的實施例通常提供一種方法以及設備，用於增加設置在熱製程腔室中的腔室部件的吸收係數。在一實施例中，該方法通常包含：提供基板載具，該基板載具具有第一表面與第二表面，配置該第一表面以支撐基板，該第一表面與該第二表面平行且相對；將該基板載具的第二表面進行表面處理製程，以粗糙化該基板載具的該第二表面，其中該基板載具包含一材料，該材料包含碳化矽；以及在基板載具的粗糙的第二表面上形成含氧化物層。所形成的含氧化物層在接近由一或多個能量來源所傳輸的輻射波長處具有光學吸收性質，該一或多個能量來源用於加熱該腔室部件。
简体摘要：本发明的实施例通常提供一种方法以及设备，用于增加设置在热制程腔室中的腔室部件的吸收系数。在一实施例中，该方法通常包含：提供基板载具，该基板载具具有第一表面与第二表面，配置该第一表面以支撑基板，该第一表面与该第二表面平行且相对；将该基板载具的第二表面进行表面处理制程，以粗糙化该基板载具的该第二表面，其中该基板载具包含一材料，该材料包含碳化硅；以及在基板载具的粗糙的第二表面上形成含氧化物层。所形成的含氧化物层在接近由一或多个能量来源所传输的辐射波长处具有光学吸收性质，该一或多个能量来源用于加热该腔室部件。

6. 发明专利

TW201111050A 氣體分配噴頭及清潔方法 GAS DISTRIBUTION SHOWERHEAD AND METHOD OF CLEANING 审中-公开
简体标题：气体分配喷头及清洁方法 GAS DISTRIBUTION SHOWERHEAD AND METHOD OF CLEANING
公开(公告)号：TW201111050A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099128898
申请日：2010-08-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：塙廣二 , 曼亞文傑森 , 仲華
IPC分类号： B05B , C23C
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/4404 , C23C16/45574 , H01L21/67115
摘要：沉積製程期間，材料不僅可能沉積在基材上，而且也可能沉積在其他腔室部件上。在MOCVD腔室中，一種該等部件為氣體分配噴頭。可透過以由包括惰氣與氯氣的電漿所生成的自由基轟擊該噴頭而清潔之。為了生成電漿，噴頭可受負偏壓或者相對基材支撐件浮接。噴頭可包含不鏽鋼且以陶瓷塗層塗佈。
简体摘要：沉积制程期间，材料不仅可能沉积在基材上，而且也可能沉积在其他腔室部件上。在MOCVD腔室中，一种该等部件为气体分配喷头。可透过以由包括惰气与氯气的等离子所生成的自由基轰击该喷头而清洁之。为了生成等离子，喷头可受负偏压或者相对基材支撑件浮接。喷头可包含不锈钢且以陶瓷涂层涂布。

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